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半导体装置包括具有一侧的第一主面以及另一侧的第二主面且包括有源区域的半导体层、形成于上述有源区域的多个IGBT区域、以与多个上述IGBT区域邻接的方式形成于上述有源区域的多个二极管区域，在以L表示多个上述IGBT区域以及多个上述二极管区域之...
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