【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种半导体封装及其制造方法。
技术介绍
1、安装在电子装置中的半导体器件要求具有高性能和高容量以及小型化。为了实现这些要求，已经开发了一种用于将异构半导体芯片互连到单个半导体封装的系统级封装(sip)技术。
技术实现思路
1、本公开的主题涉及一种具有改进的可靠性和产量的半导体封装及其制造方法。
2、通常，本公开中描述的主题的创新方面可以体现在一种半导体封装中，该半导体封装包括：衬底以及第一芯片结构和第二芯片结构，衬底包括：重分布构件，该重分布构件具有彼此相对的第一表面和第二表面，并且包括设置在第一表面上的焊盘结构和电连接到焊盘结构的重分布层；互连芯片，设置在重分布构件的第二表面上，并且包括电连接到重分布层的互连电路；过孔结构，设置在互连芯片周围，并且电连接到重分布层；密封剂，密封互连芯片和过孔结构中的每一个的至少一部分；以及凸块结构，设置在密封剂上，第一芯片结构和第二芯片结构设置在重分布构件的第一表面上，并且电连接到焊盘结构。凸块结构可以包括在垂直于第二表面的第一方向上与互连芯片的至少一部分重叠的第一凸块结构、以及与过孔结构的至少一部分重叠的第二凸块结构。第一凸块结构可以包括设置在密封剂上的第一箔层、以及设置在第一箔层上的第一镀层。第二凸块结构可以包括设置在密封剂上的第二箔层、以及设置在穿透第二箔层以暴露过孔结构的至少一部分的开口中的第二镀层。
3、本公开的其他方面可以体现在一种半导体封装中，该半导体封装包括：衬底以及第一芯片结构和第二芯片结构，衬
4、本公开的其他方面可以体现在一种半导体封装中，该半导体封装包括：基底衬底，包括布线电路；中介层衬底，设置在基底衬底上；以及第一芯片结构和第二芯片结构，设置在中介层衬底上。中介层衬底可以包括：重分布构件，具有朝向第一芯片结构和第二芯片结构的第一表面、以及朝向基底衬底的第二表面，并且包括设置在第一表面上的第一焊盘结构和第二焊盘结构；互连芯片，设置在重分布构件的第二表面上，并电连接到第一焊盘结构；过孔结构，设置在互连芯片周围，并电连接到第二焊盘结构；密封剂，覆盖互连芯片和过孔结构中的每一个的至少一部分；第一凸块结构，设置在密封剂上，并且与互连芯片的至少一部分重叠；以及第二凸块结构，设置在第一凸块结构周围。第一焊盘结构的宽度可以与第二焊盘结构的宽度基本相同。第二凸块结构可以包括向密封剂内部延伸以接触过孔结构的第二镀层。
5、本公开的其他方面可以体现在一种制造半导体封装的方法中，该方法包括：将过孔结构和互连芯片附接到胶带；使用堆叠有初始箔层和初始密封剂的载体，在胶带上形成密封互连芯片和过孔结构的密封剂；去除胶带，并在互连芯片和过孔结构上形成重分布构件；去除载体，并形成穿透初始箔以暴露过孔结构的至少一部分的开口；在初始箔层的表面上和开口中形成初始种子层；使用图案化的感光材料层在初始种子层上形成金属层；以及去除感光材料层，并蚀刻从金属层暴露的初始种子层和初始箔层，以形成种子层和箔层。
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1.一种半导体封装，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一镀层包括第一种子层和接触所述第一种子层的第一金属层，其中，所述第一种子层接触所述第一箔层。
3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第二镀层包括第二种子层和接触所述第二种子层的第二金属层，其中，所述第二种子层接触所述第二箔层，并沿所述开口的内部延伸。
4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述重分布构件包括提供所述第一表面和所述第二表面的介电层，并且
5.根据权利要求4所述的半导体封装，其中，所述介电层包括光敏树脂。
6.根据权利要求4所述的半导体封装，其中，所述介电层的厚度在20μm至30μm的范围内。
7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一芯片结构和所述第二芯片结构通过所述互连电路彼此电连接。
8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述焊盘结构包括电连接到所述互连电路的第一焊盘结构，
9.根据权利要求8所述的半导体封装，其中，相邻的第一焊盘结构之间的第一距离小于相邻的第二焊盘结构
10.根据权利要求9所述的半导体封装，其中，所述第一距离在10μm至60μm的范围内，并且
11.根据权利要求8所述的半导体封装，其中，所述第一焊盘结构的沿平行于所述第一表面的第二方向的宽度与所述第二焊盘结构的沿所述第二方向的宽度相同。
12.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述焊盘结构包括设置在所述第一表面上的焊盘部分，并且其中，所述焊盘结构包括设置在所述焊盘部分上的表面层。
13.根据权利要求1所述的半导体封装，包括：
14.一种半导体封装，包括：
15.根据权利要求14所述的半导体封装，其中，
16.一种半导体封装，包括：
17.根据权利要求16所述的半导体封装，其中，
18.根据权利要求16所述的半导体封装，其中，
19.根据权利要求16所述的半导体封装，其中，
20.根据权利要求16所述的半导体封装，其中，
...【技术特征摘要】
1.一种半导体封装，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一镀层包括第一种子层和接触所述第一种子层的第一金属层，其中，所述第一种子层接触所述第一箔层。
3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第二镀层包括第二种子层和接触所述第二种子层的第二金属层，其中，所述第二种子层接触所述第二箔层，并沿所述开口的内部延伸。
4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述重分布构件包括提供所述第一表面和所述第二表面的介电层，并且
5.根据权利要求4所述的半导体封装，其中，所述介电层包括光敏树脂。
6.根据权利要求4所述的半导体封装，其中，所述介电层的厚度在20μm至30μm的范围内。
7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一芯片结构和所述第二芯片结构通过所述互连电路彼此电连接。
8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述焊盘结构包括电连接到所述互连电路的第一焊盘结构，
9.根据权利要求8所述的半导体封装，其中...
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