【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种电源管理集成电路以及半导体封装件，具体地，涉及一种具有增加耐久性的电源管理集成电路。
技术介绍
1、由于对移动产品(诸如智能电话或平板个人计算机(pc))的高效电力管理的需要增加，电源管理集成电路(pmic)最近已经成为重要的问题。特别地，功耗的降低和效率的提高是移动装置中的电源管理集成电路的重要方面。能够以高驱动电压和出色电源效率提供电源的诸如脉冲宽度调制直流至直流(pwm dc-dc)转换器的开关稳压器已经广泛地应用于电源管理集成电路中。
技术实现思路
1、一方面是提供一种防止骤回击穿电压下降以及防止比导通电阻增加的电源管理集成电路。
2、另一方面是提供一种使用电源管理集成电路的半导体封装件。
3、根据一些实施例的方面，一种电源管理集成电路可以包括降压转换器，该降压转换器包括具有第一导电类型的第一金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)和具有第二导电类型的第二mosfet，其中，第一mosfet包括被二维地布置的多个晶体管集合，其中，多个晶体管集合中的每一个包括多个源极区域、多个漏极区域、以及多个源极区域与多个漏极区域之间的多个栅电极，其中，多个源极区域中的每一个和多个漏极区域中的每一个包括具有第一导电类型的杂质区域，其中，多个源极区域中的每一个还包括具有第二导电类型的多个分段区域，其中，多个源极区域中的第一源极区域与多个源极区域中的第二源极区域在第一方向上间隔开，并且其中，第一源极区域中的多个分段区域中的第一数量与第二源极区域中的多个
4、根据一些实施例的另一方面，一种电源管理集成电路可以包括降压转换器，该降压转换器包括具有第一导电类型的第一金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)和具有第二导电类型的第二mosfet，其中，第一mosfet包括被二维地布置的多个晶体管集合，其中，多个晶体管集合中的晶体管集合包括源极区域、漏极区域和位于源极区域与漏极区域之间的栅电极，其中，源极区域和漏极区域中的每一个包括具有第一导电类型的杂质区域，其中，源极区域还包括具有第二导电类型的多个分段区域，其中，栅电极在第一方向上延伸，并且其中，多个分段区域沿着第一方向彼此间隔开。
5、根据一些实施例的又一方面，一种电源管理集成电路可以包括：源极区域和漏极区域，其在衬底上沿第一方向交替地设置；栅电极，其对应于源极区域和漏区域之间；源电极，其共同连接到源极区域；以及漏电极，其共同连接到漏极区域，其中，源极区域中的每一个和漏极区域中的每一个包括具有第一导电类型的第一杂质区域，其中，源极区域中的每一个还包括具有第二导电类型的第二杂质区域，其中，第二杂质区域包括彼此间隔开的多个分段区域，并且其中，位于源电极和漏电极之间的区中的多个分段区域的第一密度大于位于除了源电极和漏电极之间的区以外的其余区中的多个分段区域的第二密度。
6、根据一些实施例的又一方面，一种半导体封装件可以包括下半导体封装件和位于下半导体封装件上的上半导体封装件，其中，下半导体封装件包括重分布衬底、安装在重分布衬底上的第一裸片和电源管理集成电路、位于第一裸片上的上重分布层、以及将上重分布层竖直地连接至重分布衬底的导电柱，其中，上半导体封装件包括电连接至上重分布层的上衬底、以及安装在上衬底上的第二裸片，其中，电源管理集成电路包括降压转换器，该降压转换器包括具有第一导电类型的第一金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)和具有第二导电类型的第二mosfet，其中，第一mosfet包括被二维地布置的多个晶体管集合，其中，多个晶体管集合中的晶体管集合包括源极区域、漏极区域、以及位于源极区域与漏极区域之间的栅电极，其中，源极区域和漏极区域中的每一个包括具有第一导电类型的杂质区域，并且其中，源极区域还包括具有第二导电类型的分段区域。
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1.一种包括降压转换器的电源管理集成电路，所述降压转换器包括具有第一导电类型的第一金属氧化物半导体场效应晶体管以及具有第二导电类型的第二金属氧化物半导体场效应晶体管，
2.根据权利要求1所述的电源管理集成电路，其中：
3.根据权利要求1所述的电源管理集成电路，其中：
4.根据权利要求1所述的电源管理集成电路，其中：
5.根据权利要求1所述的电源管理集成电路，其中，所述多个分段区域包括：
6.根据权利要求1所述的电源管理集成电路，其中，所述多个晶体管集合中的每一个还包括：
7.根据权利要求1所述的电源管理集成电路，其中，所述多个晶体管集合中的每一个还包括包围所述晶体管集合的边界的保护环区域，所述保护环区域具有所述第二导电类型。
8.根据权利要求1所述的电源管理集成电路，其中：
9.根据权利要求1所述的电源管理集成电路，其中，所述多个分段区域被配置为防止包括所述多个分段区域的晶体管集合的骤回击穿电压的下降。
10.根据权利要求1所述的电源管理集成电路，其中：
11.
12.根据权利要求11所述的电源管理集成电路，其中：
13.根据权利要求11所述的电源管理集成电路，
14.根据权利要求11所述的电源管理集成电路，其中，所述晶体管集合还包括：
15.根据权利要求11所述的电源管理集成电路，其中，所述晶体管集合还包括包围所述晶体管集合的边界的保护环区域，所述保护环区域具有所述第二导电类型。
16.一种电源管理集成电路，包括：
17.根据权利要求16所述的电源管理集成电路，其中：
18.根据权利要求17所述的电源管理集成电路，其中，所述多个分段区域包括：
19.根据权利要求16所述的电源管理集成电路，还包括位于所述源极区域中的每一个上的硅化物层，
20.根据权利要求16所述的电源管理集成电路，其中：
...【技术特征摘要】
1.一种包括降压转换器的电源管理集成电路，所述降压转换器包括具有第一导电类型的第一金属氧化物半导体场效应晶体管以及具有第二导电类型的第二金属氧化物半导体场效应晶体管，
2.根据权利要求1所述的电源管理集成电路，其中：
3.根据权利要求1所述的电源管理集成电路，其中：
4.根据权利要求1所述的电源管理集成电路，其中：
5.根据权利要求1所述的电源管理集成电路，其中，所述多个分段区域包括：
6.根据权利要求1所述的电源管理集成电路，其中，所述多个晶体管集合中的每一个还包括：
7.根据权利要求1所述的电源管理集成电路，其中，所述多个晶体管集合中的每一个还包括包围所述晶体管集合的边界的保护环区域，所述保护环区域具有所述第二导电类型。
8.根据权利要求1所述的电源管理集成电路，其中：
9.根据权利要求1所述的电源管理集成电路，其中，所述多个分段区域被配置为防止包括所述多个分段区域的晶体管集合的骤回击穿电压的下降。
10.根据权利要求1所述的电...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴正贤，金贞敬，朴永训，张勋，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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