【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种短路保护电路，尤其是涉及一种应用于碳化硅功率晶体管的短路保护电路。
技术介绍
1、近年来碳化硅功率晶体管的技术快速的发展，并被广泛的应用在能源转换和分配、航空电子和汽车、可再生能源和电力牵引等领域上。
2、为确保功率晶体管的安全性，短路保护电路常被应用已在当电子装置发生短路现象时执行保护动作。然而，在电路成本的考虑下，如何设计可快速反应以实时截止功率晶体管的短路保护电路，是为本领域技术人员的一重要课题。
技术实现思路
1、本专利技术是针对一种短路保护电路，在短路状态发生时，可加速功率晶体管被截止的速度。
2、根据本专利技术的实施例，短路保护电路适用于功率晶体管。短路保护电路包括第一二极管、第一电阻、分压电路、栅极电压产生器、下拉电路以及控制信号产生器。第一二极管具有阴极端耦接至功率晶体管的漏极端。第一电阻耦接在二极管的阳极端与功率晶体管的栅极端间。分压电路耦接在功率晶体管的栅极端与功率晶体管的源极端间，用以产生分压电压。栅极电压产生器根据第一驱动信号以及第二驱动信号以提供栅极电压至功率晶体管的栅极端。下拉电路耦接至功率晶体管的栅极端，根据控制信号以拉低栅极电压。控制信号产生器根据第一驱动信号、二极管阳极端上的电压以及分压电压以产生控制信号。
3、基于上述，本专利技术的短路保护电路可根据功率晶体管上所流通的短路电流来产生控制信号，并通过控制信号使下拉电路被启动，以进一步使功率晶体管被截止。本专利技术一实施例中，短路保护电路的部分电
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1.一种短路保护电路，适用于功率晶体管，包括：
2.根据权利要求1所述的短路保护电路，其中所述分压电路、所述第一二极管、所述下拉电路与所述功率晶体管整合在相同的集成电路中。
3.根据权利要求1所述的短路保护电路，其中所述功率晶体管设置在集成电路中，所述分压电路、所述第一二极管以及所述下拉电路设置在所述集成电路外。
4.根据权利要求1所述的短路保护电路，其中所述分压电路针对所述功率晶体管的栅极端与所述功率晶体管的源极端间的电压差进行分压以产生所述分压电压。
5.根据权利要求1所述的短路保护电路，其中所述分压电路包括相互串联耦接的第二电阻以及第三电阻。
6.根据权利要求5所述的短路保护电路，其中所述集成电路包括：
7.根据权利要求6所述的短路保护电路，其中所述集成电路包括：
8.根据权利要求1所述的短路保护电路，其中在一第一模式下，所述栅极电压产生器根据所述第一驱动信号以及所述第二驱动信号以提供等于第一电压的所述栅极电压使所述功率晶体管被导通。
9.根据权利要求8所述的短路保护电路，其中在
10.根据权利要求1所述的短路保护电路，其中所述栅极电压产生器包括：
11.根据权利要求10所述的短路保护电路，其中所述栅极电压产生器更包括：
12.根据权利要求11所述的短路保护电路，其中所述栅极电压产生器更包括：
13.根据权利要求12所述的短路保护电路，其中所述三晶体管的控制端耦接至所述四二极管的阳极端。
14.根据权利要求12所述的短路保护电路，其中所述栅极电压产生器更包括：
15.根据权利要求12所述的短路保护电路，其中所述第四二极管的阳极端或阴极端提供所述第一驱动号至所述控制信号产生器。
16.根据权利要求1所述的短路保护电路，其中所述控制信号产生器包括：
17.根据权利要求16所述的短路保护电路，其中所述逻辑电路为许密特触发器架构的与门。
18.根据权利要求16所述的短路保护电路，其中当所述第一二极管阳极端上的电压大于所述分压电压，且所述第一驱动信号为逻辑高准位时，所述控制信号产生器产生所述控制信号以致能所述下拉电路。
19.根据权利要求1所述的短路保护电路，其中所述功率晶体管为碳化硅晶体管。
20.根据权利要求1所述的短路保护电路，其中所述下拉电路包括：
21.根据权利要求1所述的短路保护电路，其中在短路现象发生时，所述控制信号产生器产生所述控制信号以启动所述下拉电路，所述下拉电路根据所述控制信号以拉低所述栅极电压并使所述功率晶体管被截止。
22.根据权利要求1所述的短路保护电路，其中所述第一二极管为肖特基二极管。
...【技术特征摘要】
1.一种短路保护电路，适用于功率晶体管，包括：
2.根据权利要求1所述的短路保护电路，其中所述分压电路、所述第一二极管、所述下拉电路与所述功率晶体管整合在相同的集成电路中。
3.根据权利要求1所述的短路保护电路，其中所述功率晶体管设置在集成电路中，所述分压电路、所述第一二极管以及所述下拉电路设置在所述集成电路外。
4.根据权利要求1所述的短路保护电路，其中所述分压电路针对所述功率晶体管的栅极端与所述功率晶体管的源极端间的电压差进行分压以产生所述分压电压。
5.根据权利要求1所述的短路保护电路，其中所述分压电路包括相互串联耦接的第二电阻以及第三电阻。
6.根据权利要求5所述的短路保护电路，其中所述集成电路包括：
7.根据权利要求6所述的短路保护电路，其中所述集成电路包括：
8.根据权利要求1所述的短路保护电路，其中在一第一模式下，所述栅极电压产生器根据所述第一驱动信号以及所述第二驱动信号以提供等于第一电压的所述栅极电压使所述功率晶体管被导通。
9.根据权利要求8所述的短路保护电路，其中在第二模式下，所述栅极电压产生器根据所述第一驱动信号以及所述第二驱动信号以提供等于第二电压的所述栅极电压使所述功率晶体管被截止，其中所述第一电压大于所述第二电压。
10.根据权利要求1所述的短路保护电路，其中所述栅极电压产生器包括：
11.根据权利要求10所述的短路...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈伟梵，蔡国基，
申请(专利权)人：力拓半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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