【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种温度感测装置，且尤其是涉及一种用以感测功率晶体管接点温度的温度感测装置。
技术介绍
1、基于功率晶体管常操作在高温的环境下，因此对于温度的操作上限特别敏感。当功率晶体管操作在温度上限的环境下时，当功率晶体管发生转态现象时，特别容易发生损坏的现象。
2、基于上述，针对功率晶体管的运作，进行环境温度的侦测是很重要的。重点在于，温度侦测电路对于温度侦测的反应速度是否足够快以保护功率晶体管不至于损毁。然而，若设计使温度侦测电路过于敏感，又可能使温度侦测动作发生误动作而错关闭了功率晶体管的动作。因此，如何设计一种可正确判断又可快速反应过温现象的温度侦测电路，是本领域技术人员的重要课题。
技术实现思路
1、本专利技术是针对一种温度感测装置，可提升温度感测结果的精准度。
2、根据本专利技术的实施例，温度感测装置包括电阻串以及控制电路。电阻串，包括相互串接的可变电阻器、第一电阻以及第二电阻。电阻串耦接在感测端以及参考接地电压间。第一电阻以及第二电阻相互耦接至监控端以提供监控电压。控制电路耦接至电阻串，接收监控电压，通过比较监控电压以及多个参考电压以产生感测温度信息，根据感测温度信息以产生以调整信息。其中控制电路用以根据调整信息以对可变电阻器所提供的电阻值进行调整，第一电阻为多晶硅电阻，第二电阻为碳化硅扩散电阻。
3、基于上述，本专利技术的温度感测装置的控制器可根据电阻串所产生的监控电压来获得感测温度信息，并根据感测温度信息与实际的温度信息进行比
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种温度感测装置，包括：
2.根据权利要求1所述的温度感测装置，其中所述可变电阻器包括：
3.根据权利要求2所述的温度感测装置，其中所述多个N个第三电阻的多个电阻值为公比等于2的等比数列。
4.根据权利要求2所述的温度感测装置，其中所述可变电阻器更包括：
5.根据权利要求1所述的温度感测装置，其中所述可变电阻器包括：
6.根据权利要求5所述的温度感测装置，其中所述多个N个第三电阻的多个电阻值为公比等于2的等比数列。
7.根据权利要求1所述的温度感测装置，其中所述控制电路中具有熔丝电阻对照表，所述控制电路根据所述监控电压以查找所述熔丝电阻对照表以调整所述可变电阻的电阻值。
8.根据权利要求1所述的温度感测装置，其中所述控制电路包括：
9.根据权利要求8所述的温度感测装置，其中各所述逻辑运算器为异或门或异或非门。
10.根据权利要求8所述的温度感测装置，其中所述多个参考电压包括依大小顺序排列的第一参考电压至第M参考电压，所述多个比较器包括分别对应所述第一参考电压至所述第M参
11.根据权利要求8所述的温度感测装置，其中所述控制电路更包括：
12.根据权利要求11所述的温度感测装置，其中所述参考电压产生器包括：
13.根据权利要求11所述的温度感测装置，其中所述参考电压产生器包括：
14.根据权利要求1所述的温度感测装置，其中所述第一电阻与所述第二电阻依序耦接在所述感测端以及所述参考接地电压间。
15.根据权利要求1所述的温度感测装置，其中所述第二电阻与所述第一电阻依序耦接在所述感测端以及所述参考接地电压间。
16.根据权利要求1所述的温度感测装置，其中所述第二电阻为N型碳化硅扩散电阻或P型碳化硅扩散电阻。
17.根据权利要求1所述的温度感测装置，其中所述控制电路通过调整所述可变电阻器所提供的电压值，以使所述监控电压等于默认电压值。
18.根据权利要求1所述的温度感测装置，其中所述感测端为一功率晶体管的控制端，所述功率晶体管与所述第一电阻、所述第二电阻以及所述可变电阻器整合设置在相同的集成电路中。
19.根据权利要求18所述的温度感测装置，其中当所述第二电阻为P型碳化硅扩散电阻时，所述第二电阻包括：
20.根据权利要求18所述的温度感测装置，其中当所述第二电阻为N型碳化硅扩散电阻时，所述第二电阻包括：
...【技术特征摘要】
1.一种温度感测装置，包括：
2.根据权利要求1所述的温度感测装置，其中所述可变电阻器包括：
3.根据权利要求2所述的温度感测装置，其中所述多个n个第三电阻的多个电阻值为公比等于2的等比数列。
4.根据权利要求2所述的温度感测装置，其中所述可变电阻器更包括：
5.根据权利要求1所述的温度感测装置，其中所述可变电阻器包括：
6.根据权利要求5所述的温度感测装置，其中所述多个n个第三电阻的多个电阻值为公比等于2的等比数列。
7.根据权利要求1所述的温度感测装置，其中所述控制电路中具有熔丝电阻对照表，所述控制电路根据所述监控电压以查找所述熔丝电阻对照表以调整所述可变电阻的电阻值。
8.根据权利要求1所述的温度感测装置，其中所述控制电路包括：
9.根据权利要求8所述的温度感测装置，其中各所述逻辑运算器为异或门或异或非门。
10.根据权利要求8所述的温度感测装置，其中所述多个参考电压包括依大小顺序排列的第一参考电压至第m参考电压，所述多个比较器包括分别对应所述第一参考电压至所述第m参考电压的第一比较器至第m比较器，所述多个比较器并分别产生第一比较结果至第m比较结果，
11.根据权利要求8所述的温度...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈伟梵，蔡国基，
申请(专利权)人：力拓半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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