【技术实现步骤摘要】
本公开涉及形成碳膜的方法和膜形成设备。
技术介绍
1、在nand闪存的制造过程中,在氧化物-氮化物-氧化物-亚硝酸盐层(onon层)中形成的沟槽的内壁表面上形成牺牲层。等离子体cvd方法作为形成牺牲层的方法是众所周知的。美国专利申请公开号2019/0385907公开了通过使用等离子体cvd方法在沟槽的内表面上形成碳膜的方法。
2、在nand闪速中,为了提高容量,层叠的onon层的数量在增加,并且在onon层中形成的沟槽的深度相应地增加。沟槽越深,碳膜材料(碳前体)越难到达沟槽底部。因此,随着沟槽的深度变得更深,在沟槽开口周围形成的碳膜倾向于变得更厚,而在沟槽底部周围形成的碳膜倾向于变得更薄。因此,在沟槽的内壁表面上形成具有均匀厚度的碳膜变得困难。
技术实现思路
1、本公开的第一方面提供了一种用于在待处理衬底上形成的多个沟槽的内壁表面上形成碳膜的方法,包括:沉积步骤,通过供应包含碳前体气体和载气的混合气体并向该混合气体施加高频电压以产生等离子体,在待处理衬底的沟槽的内壁表面上沉积
...【技术保护点】
1.一种用于在待处理衬底上形成的多个沟槽的内壁表面上形成碳膜的方法,包括:
2.根据权利要求1所述的形成碳膜的方法,
3.根据权利要求1所述的形成碳膜的方法,
4.根据权利要求1所述的形成碳膜的方法,
5.根据权利要求1所述的形成碳膜的方法,
6.根据权利要求1所述的形成碳膜的方法,
7.根据权利要求1所述的形成碳膜的方法,
8.根据权利要求1所述的形成碳膜的方法,
9.一种膜形成设备,包括:
10.根据权利要求9所述的膜形成设备,
【技术特征摘要】
1.一种用于在待处理衬底上形成的多个沟槽的内壁表面上形成碳膜的方法,包括:
2.根据权利要求1所述的形成碳膜的方法,
3.根据权利要求1所述的形成碳膜的方法,
4.根据权利要求1所述的形成碳膜的方法,
5.根据权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:须佐圭雄,杉浦博次,菊地良幸,
申请(专利权)人:ASMIP私人控股有限公司,
类型:发明
国别省市:
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