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一种用于在待处理衬底上形成的多个沟槽的内壁表面上形成碳膜的方法,包括:沉积步骤,通过供应包含碳前体气体和载气的混合气体并向该混合气体施加高频电压以产生等离子体,在待处理衬底的沟槽的内壁表面上沉积碳膜;间隔步骤,停止供应碳前体气体和施加高频电...该专利属于ASMIP私人控股有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过ASMIP私人控股有限公司授权不得商用。
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一种用于在待处理衬底上形成的多个沟槽的内壁表面上形成碳膜的方法,包括:沉积步骤,通过供应包含碳前体气体和载气的混合气体并向该混合气体施加高频电压以产生等离子体,在待处理衬底的沟槽的内壁表面上沉积碳膜;间隔步骤,停止供应碳前体气体和施加高频电...