【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及半导体晶片的加工方法。
技术介绍
1、公知有以下结构：若将晶体管等的半导体元件的制造所使用的半导体晶片研磨的较薄则半导体晶片翘曲，因此通过不研磨而是保留半导体晶片的外周部来抑制半导体晶片的翘曲。在从这样的半导体晶片将半导体元件单片化的情况下，在将半导体元件单片化之前，切断半导体晶片的外周部而形成平坦的半导体晶片(例如参照专利文献1)。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2013－98248号公报
技术实现思路
1、专利技术所要解决的课题
2、在专利文献1中的切断半导体晶片的外周部的工序中，首先，粘贴有粘着带的半导体晶片设置于保持台的凹部保持部以及环状间隔物。在此，凹部保持部的高度位置和环状间隔物的高度位置的差与半导体晶片的外周部和比半导体晶片的外周部靠内方的平坦部的厚度的差相等。该情况下，半导体晶片的平坦部以粘着带与凹部保持部相接的方式设置于保持台，半导体晶片的外周部以粘着带与环状间隔物相接的方式设置于环状间隔物。接着，通过利用负压吸引源整体地吸引粘着带，从而半导体晶片被吸引保持于保持台。接着，半导体晶片的平坦部中与外周部相邻的部分切断。
3、然而，在凹部保持部的高度位置和环状间隔物的高度位置的差与半导体晶片的外周部和比半导体晶片的外周部靠内方的平坦部的厚度的差不同的情况下，有时半导体晶片的切断的部分从凹部保持部浮起。在以该状态切断半导体晶片的情况下，有半导体晶片的平坦部破损的担忧。
...【技术保护点】
1.一种半导体晶片的加工方法，其特征在于，具备以下工序：
2.根据权利要求1所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，
8.根据权利要求6所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，
9.根据权利要求4所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，
10.根据权利要求9所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，
11.根据权利要求4～10任一项中所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，
12.根据权利要求3～11任一项中所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，
13.根据权利要求1～12任一项中所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，
14.
15.根据权利要求1～14任一项中所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，
16.根据权利要求15所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，
17.根据权利要求16所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体晶片的加工方法，其特征在于，具备以下工序：
2.根据权利要求1所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，
8.根据权利要求6所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，
9.根据权利要求4所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，
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