【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电子领域，更具体而言，涉及一种谐振器。
技术介绍
1、现有技术中，谐振器常应用于通信领域，随着移动通信技术的快速发展，对谐振器的性能要求越来越高，特别是薄膜体声波谐振器作为谐振器的一种典型器件，需要提升薄膜体声波谐振器的性能，但现有薄膜体声波(thin film baw)谐振器的谐振区中存在应力集中的问题，特别是谐振器应用于高功率的情景时，经常会因为应力过于集中在多边形的角部，导致谐振器存在严重的横向能量泄露，甚至失效的情况发生，严重影响器件性能。
技术实现思路
1、本技术针对上述技术问题，设计出了一种谐振器及电子器件，其能克服现有技术中存在的上述技术问题，从而降低谐振器的横向能量泄露，减少失效的情况发生，提升谐振器的器件性能。
2、在下文中将给出关于本技术的简要概述，以便提供关于本技术某些方面的基本理解。应当理解，此概述并不是关于本技术的穷举性概述。它并不是意图确定本技术的关键或重要部分，也不是意图限定本技术的范围。其目的仅仅是以简化的形式给出某些概念，以此作为稍后论述的更详细描述的前序。
3、待定根据本技术提供一种谐振器，包括堆叠设置的衬底、第二电极、压电层、第一电极；其中，所述衬底中形成有声波反射区域；所述声波反射区域、所述第二电极、所述压电层、所述第一电极在所述衬底上表面投影上重合的部分构成谐振区；构成所述谐振区的所述声波反射区域、第二电极、压电层、第一电极中，其中面积最小的一层的所述投影为多边形，所述多边形的至少一个内角用圆弧倒角；其中，
4、进一步的，所述声波反射区域包括空腔、布拉格反射层或背腔中的一种。
5、进一步的，所述多边形为规则或者不规则的多边形。
6、进一步的，所述多边形的所有内角用圆弧倒角。
7、进一步的，所述面积最小的一层为所述声波反射区域、压电层、第一电极或第二电极。
8、进一步的，所述声波反射区域、所述第二电极、所述压电层、所述第一电极在所述衬底上表面的投影皆为多边形。
9、进一步的，所述声波反射区域、所述第二电极、所述压电层、所述第一电极的在所述衬底上表面投影的各多边形中均至少有一个内角用圆弧倒角。
10、进一步的，所述圆弧的半径小于两相邻的边中最大边的长度的一半。
11、进一步的，第一电极和/或第二电极的内角中除与外部信号引线相连的边参与构成的内角外的所有内角用圆弧倒角。
12、进一步的，所述圆弧为一段圆弧或多段圆弧，所述多段圆弧形成为s形或波浪形。
13、本
技术实现思路
的方案至少能有助于实现如下效果之一：制作工艺简单，降低横向能量泄露，减少失效的情况发生，提升谐振器的器件性能。
【技术保护点】
1.一种谐振器，其特征在于：包括堆叠设置的衬底、第二电极、压电层、第一电极；
2.如权利要求1所述的谐振器，其特征在于：所述声波反射区域包括空腔、布拉格反射层或背腔中的一种。
3.如权利要求1所述的谐振器，其特征在于：所述多边形为规则或者不规则的多边形。
4.如权利要求3所述的谐振器，其特征在于：所述多边形的所有内角用圆弧倒角。
5.如权利要求3所述的谐振器，其特征在于：所述面积最小的一层为所述声波反射区域、压电层、第一电极或第二电极。
6.如权利要求3所述的谐振器，其特征在于：所述声波反射区域、所述第二电极、所述压电层、所述第一电极在所述衬底上表面的投影皆为多边形。
7.如权利要求6所述的谐振器，其特征在于：所述声波反射区域、所述第二电极、所述压电层、所述第一电极的在所述衬底上表面投影的各多边形中均至少有一个内角用圆弧倒角。
8.如权利要求7所述的谐振器，其特征在于：所述圆弧的半径小于两相邻的边中最大边的长度的一半。
9.如权利要求7所述的谐振器，其特征在于：第一电极和/或第二电极的
10.如权利要求1-9中任一项所述的谐振器，其特征在于：所述圆弧为一段圆弧或多段圆弧，所述多段圆弧形成为S形或波浪形。
...【技术特征摘要】
1.一种谐振器，其特征在于：包括堆叠设置的衬底、第二电极、压电层、第一电极；
2.如权利要求1所述的谐振器，其特征在于：所述声波反射区域包括空腔、布拉格反射层或背腔中的一种。
3.如权利要求1所述的谐振器，其特征在于：所述多边形为规则或者不规则的多边形。
4.如权利要求3所述的谐振器，其特征在于：所述多边形的所有内角用圆弧倒角。
5.如权利要求3所述的谐振器，其特征在于：所述面积最小的一层为所述声波反射区域、压电层、第一电极或第二电极。
6.如权利要求3所述的谐振器，其特征在于：所述声波反射区域、所述第二电极、所述压电层、所述第一电...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡洵，赖志国，杨清华，
申请(专利权)人：苏州汉天下电子有限公司，
类型：新型
国别省市：
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