【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体加工领域,尤其是涉及静电品监测标记,具体为一种晶圆切割工程静电监测标记系统。
技术介绍
1、目前,晶圆切割工程,晶圆切割等待区域,晶圆切割过程会发生静电放电现象导致晶圆被静电击穿,所以产生过静电放电现象的晶圆,后续加工半导体的良品率会降低需要单独分类否则后续整理加工问题时优化加工程序时会让技术人员做出错误的判断,对加工程序做出负优化的改动,但是全自动批量化的加工无法具体区分并跟踪,在切割中就有发生静电放电现象的产品。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点,本专利技术的目的在于提供一种晶圆切割工程静电监测标记系统,用于解决现有技术的难点。
2、为实现上述目的及其他相关目的,本专利技术提供一种晶圆切割工程静电监测标记系统,包括:
3、晶圆等待区1,所述晶圆等待区1设置有标签扫描装置11,所述标签扫描装置11扫描晶圆编号,并传输至服务器5中;
4、晶圆传输区2,所述晶圆传输区2一侧与晶圆等待区1相连,所述晶圆传输区2另一侧与晶圆切割
<本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种晶圆切割工程静电监测标记系统,其特征在于,包括:
2.根据权利要求3所述的晶圆切割工程静电监测标记系统,其特征在于,所述晶圆传输区(2)靠近晶圆切割机(3)的一侧设置有静电消除器(21)。
3.根据权利要求4所述的晶圆切割工程静电监测标记系统,其特征在于,所述一种晶圆切割工程静电监测标记系统的具体流程包括以下步骤:
【技术特征摘要】
1.一种晶圆切割工程静电监测标记系统,其特征在于,包括:
2.根据权利要求3所述的晶圆切割工程静电监测标记系统,其特征在于,所述晶圆传输区(2)靠近晶圆切割机(3...
【专利技术属性】
技术研发人员:董瑞,诸敏敏,钱伟,曾红,于贤利,
申请(专利权)人:海太半导体无锡有限公司,
类型:发明
国别省市:
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