保险丝电路、系统和方法技术方案

本发明专利技术公开了一种保险丝电路，系统及方法，用于熔断保险丝，探测保险丝状态并减小流经保险丝的静态放电电流，其包括：保险丝，具有完整状态和熔断状态，其中当熔断电流流经所述保险丝后，所述保险丝处于所述熔断状态；第一晶体管，耦合于电源和所述保险丝之间；以及与所述第一晶体管互补的第二晶体管，所述第二晶体管耦合于所述保险丝和地之间；导通所述第一晶体管和所述第二晶体管，以使所述熔断电流流经所述保险丝，并且通过所述第一晶体管和所述第二晶体管减少流经所述保险丝的静态放电电流。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种电路保护系统，尤其是关于一种。
技术介绍
保险丝电路可用于多种半导体应用，例如，存储器设备或可编程逻辑设备。在应用 中，用于数据存储的存储器设备可包括保险丝电路。附图说明图1所示为传统保险丝电路100的方 框图。在图1中，晶体管104(例如，P沟道金属氧化物半导体场效应(PMOS)晶体管)耦 合于保险丝102的一端，用于响应于修调信号为保险丝102提供熔断电流IB。通常将修调 信号经由反相器110和112发送至晶体管104的栅极。晶体管104的源极连接至电源，用于 为晶体管104提供输入电压VDD。保险丝102的另一端连接至地。晶体管106(例如，PMOS 晶体管)耦合于保险丝102，用于为保险丝102提供读电流IK(IK < Ib)。将偏置电压VB提 供至晶体管106的栅极。将电源连接至晶体管106的源极，从而为晶体管106提供输入电 压VDD。此外，反相器108耦合于保险丝102，用于检测保险丝102上的压降，并根据该压降 输出信号。保险丝102具有完整状态和熔断状态。如果保险丝102已被熔断，保险丝102的 电阻值将会相对较高(例如，100千欧)；本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种保险丝电路，其特征在于，所述保险丝电路至少包括：保险丝，具有完整状态和熔断状态，其中当熔断电流流经所述保险丝后，所述保险丝处于所述熔断状态；第一晶体管，耦合于电源和所述保险丝之间；以及第二晶体管，与所述第一晶体管互为互补晶体管，其中所述第二晶体管耦合于所述保险丝和地之间；其中导通所述第一晶体管和所述第二晶体管，以使所述熔断电流流经所述保险丝，并且通过所述第一晶体管和所述第二晶体管减少流经所述保险丝的静态放电电流。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：栗国星，陈松涛，
申请(专利权)人：凹凸电子武汉有限公司，
类型：发明
国别省市：83[中国|武汉]