【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造的,特别涉及一种基板处理方法及设备冷却方法。
技术介绍
1、现有的设备中,在反应管内放置有通过晶舟承载的基板,反应管外设置的加热器,可以在成膜处理过程中使基板的温度上升;为了移送完成成膜处理的基板,需要先冷却晶舟。
2、通常提供空气或氮气用于冷却反应管,并将反应管内的真空环境转换成大气环境;在晶舟随反应管冷却而降到设定的温度时,可以将晶舟及其承载的基板从反应管取出。
3、如果对反应管进行自然冷却,需要较长的冷却时间,导致生产效率下降。如果对反应管进行快速冷却,需要通过鼓风机大量排出空气,使反应管得以强制冷却,但成膜处理过程中附着在反应管内壁上的沉积膜就容易发生龟裂,在管内产生飞散的微细颗粒,这些颗粒容易掉落在基板上,影响产品良率。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种基板处理方法及设备冷却方法,可以对反应管进行有效冷却,减小反应管各处的温度偏差,降低沉积膜龟裂的风险。
2、本专利技术的一个技术方案是提供一种基板处理设备的
...【技术保护点】
1.一种基板处理设备的冷却方法,所述基板处理设备设有用于执行基板处理工艺的反应管,其外围环绕设置有加热元件;基板由晶舟承载并放置于反应管内;其特征在于,所述冷却方法在完成基板处理工艺后执行,包含:向反应管的内部供应第一冷却气体,从内部对反应管进行冷却;
2.如权利要求1所述的冷却方法,其特征在于,
3.如权利要求2所述的冷却方法,其特征在于,
4.如权利要求1~3中任意一项所述的冷却方法,其特征在于,
5.如权利要求4所述的冷却方法,其特征在于,
6.如权利要求1所述的冷却方法,其特征在于,
7.
...【技术特征摘要】
1.一种基板处理设备的冷却方法,所述基板处理设备设有用于执行基板处理工艺的反应管,其外围环绕设置有加热元件;基板由晶舟承载并放置于反应管内;其特征在于,所述冷却方法在完成基板处理工艺后执行,包含:向反应管的内部供应第一冷却气体,从内部对反应管进行冷却;
2.如权利要求1所述的冷却方法,其特征在于,
3.如权利要求2所述的冷却方法,其特征在于,
4.如权利要求1~3中任意一项所述的冷却方法,其特征在于,
5.如权利要求4所述的冷却方法,其特征在于,
6.如权利要求1所述的冷却方法,其特征在于,<...
【专利技术属性】
技术研发人员:钟伟峰,王微莉,方弘柱,
申请(专利权)人:芯恺半导体设备徐州有限责任公司,
类型:发明
国别省市:
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