【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造设备，尤其涉及一种半导体处理设备及其气体输送系统。
技术介绍
1、cvd(chemical vapor deposition，化学气相沉积)反应腔是进行化学气相沉积的关键设备，通过气体管路将来自气体源的反应气体输送入反应腔中，对位于反应腔中的基片进行沉积处理。在设备安装过程中可能由于操作不当令气体管路发生歪斜，或者在沉积处理过程中，气体管路由于自重原因或其他原因发生歪斜，导致气体分布不均匀，沉积速率不一致，反应效率降低，设备维护难度增加，工艺稳定性受影响，并存在安全隐患。
2、这里的陈述仅提供与本专利技术有关的
技术介绍
，而并不必然地构成现有技术。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种半导体处理设备及其气体输送系统，令进气管路保持竖直状态，确保进气管路不会发生歪斜，避免进气管路与反应腔内壁接触生成固体颗粒物，简化了安装过程，提升了进气管路的稳定性和反应腔内基片的安全性，确保了半导体设备稳定运行，提高了设备运行效率，提高了产量。
2、为...
【技术保护点】
1.一种半导体处理设备，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，所述进气管路的进气端连通至外部气体源，所述进气管路的出气端呈U型结构，所述出气端的末尾设置出气口。
3.如权利要求2或3所述的半导体处理设备，其特征在于，所述固定块与所述反应腔一体成型，所述反应腔和所述固定块的材质均采用石英。
4.如权利要求3所述的半导体处理设备，其特征在于，位于所述进气管路两侧的所述固定块处于同一水平面，且两个所述固定块之间的距离等于所述进气管路的外径。
5.如权利要求4所述的半导体处理设备，其特征在于，所述...
【技术特征摘要】
1.一种半导体处理设备，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，所述进气管路的进气端连通至外部气体源，所述进气管路的出气端呈u型结构，所述出气端的末尾设置出气口。
3.如权利要求2或3所述的半导体处理设备，其特征在于，所述固定块与所述反应腔一体成型，所述反应腔和所述固定块的材质均采用石英。
4.如权利要求3所述的半导体处理设备，其特征在于，位于所述进气管路两侧的所述固定块处于同一水平面，且两个所述固定块之间的距离等于所述进气管路的外径。
5.如权利要求4所述的半导体处理设备，其特征在于，所述固定块的长度设置为2mm，宽度设置为2mm，厚度设置为所述进气管路的外径的二分之一。
6.如权利要求2所述的半导体处理设备，其特征在于，所述进气管路的材质采用石英。
7.一种用于半导体处理设备的气...
【专利技术属性】
技术研发人员：钟伟峰，朱红群，钟佑恺，
申请(专利权)人：芯恺半导体设备徐州有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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