一种石墨烯纳米带发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种石墨烯纳米带发光二极管及其制备方法，包括由下自上依次设置的衬底、阳极、空穴注入层、发光层、电子注入层、阴极；发光层的材质为GNR；空穴注入层的材质为NiO；电子注入层的材质为IGZO。本发明专利技术创新性地将石墨烯纳米带作为发光二极管的发光层，采用IGZO和NiO作为电子和空穴注入层，因为这两种半导体材料的能带结构能够与石墨烯纳米带的能带结构相匹配，在理论上能够实现载流子的注入、复合等过程，所以在将能量传递给石墨烯纳米带的价带电子时，能够使得石墨烯纳米带价带电子激发到导带，从而在电子由不稳定的导带重新回到价带的过程中，能够将能量以可见光的形式释放出来。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种石墨烯纳米带发光二极管(gnrled)及其制备方法，属于光电器件。

技术介绍

1、石墨烯(graphene)自2004年被发现以来，由于其具有高强度、硬度、热导率、电导率和极佳的透光性而广受关注，其优异的光学电学特性，展示出了极大的应用潜力。然而，由于石墨烯为零带隙材料，因此无法用作半导体材料，这限制了它在场效应晶体管和其他光电器件中的应用。为了扩展其禁带宽度，从而赋予其半导体的特性，有学者按照一定的形状将单层的石墨烯展开成为宽度大概小于50nm的准一维的石墨烯条带，并发现通过改变石墨烯纳米带(graphene nanoribbons,gnr)的宽度和边缘几何结构，可以改变其电子特性，实现了石墨烯纳米带的可调带隙。当前，石墨烯纳米带已经在传感器元件、场效应晶体管、高速电开关等领域有着广泛的应用。此外，作为一类新型半导体材料，它在光电领域的应用也引起了人们的关注。

2、2018年，意大利和法国研究团队首次通过实验观察到7个原子宽的石墨烯纳米带的高强度发光现象，强度与碳纳米管制成的发光器件相当，并且可以通过调节电压来改变颜色。这些本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种石墨烯纳米带发光二极管，其特征在于，包括由下自上依次设置的衬底、阳极、空穴注入层、发光层、电子注入层、阴极；

2.根据权利要求1所述的一种石墨烯纳米带发光二极管，其特征在于，所述空穴注入层的厚度为30-200nm；所述电子注入层的厚度为50-200nm。

3.根据权利要求1所述的一种石墨烯纳米带发光二极管，其特征在于，所述空穴注入层的厚度为30nm；所述电子注入层的厚度为50nm。

4.根据权利要求1所述的一种石墨烯纳米带发光二极管，其特征在于，所述阳极的材质为ITO；所述阴极的材质为Al；所述衬底为玻璃衬底。

5.根据权利要求1-...

【技术特征摘要】

1.一种石墨烯纳米带发光二极管，其特征在于，包括由下自上依次设置的衬底、阳极、空穴注入层、发光层、电子注入层、阴极；

2.根据权利要求1所述的一种石墨烯纳米带发光二极管，其特征在于，所述空穴注入层的厚度为30-200nm；所述电子注入层的厚度为50-200nm。

3.根据权利要求1所述的一种石墨烯纳米带发光二极管，其特征在于，所述空穴注入层的厚度为30nm；所述电子注入层的厚度为50nm。

4.根据权利要求1所述的一种石墨烯纳米带发光二极管，其特征在于，所述阳极的材质为ito；所述阴极的材质为al；所述衬底为玻璃衬底。

5.根据权利要求1-4任一所述的一种石墨烯纳米带发...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋爱民，李艳芳，李虎，
申请(专利权)人：山东大学，
类型：发明
国别省市：