【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种光刻机温度与压力的监控方法。
技术介绍
1、故障检测与分类系统(fault detection classification，简称fdc)，主要收集整合并监控半导体生产相关数据，达到实时的分析，有效的捕捉生产出现的异常，并自动报警。
2、一个生产机台有很多个传感器，各传感器用于监控机台参数，同时每个传感器的数据收集精度与采集数据方式各有差异，传感器将获取的生产原始数据上传到工厂数据电脑，然后fdc监控平台获取生产原始数据，工程师将采样的原始数据进行监控，主要对生产关键的步骤窗口进行卡控，对获取的窗口数据进行处理，得到新的追踪数据，在处理过程中可对获取的窗口数据进行平均值、最大值、最小值或方差等的处理。
3、现有的先进光刻机温度与压力相关参数的监控，业界普遍采用的监控方式为按固定时间收值的方式，通过每间隔一个周期收取一个点的方式来监控机台各个模块温度压力的状况。然而，该监控手段过于单一，无法应对传感器异常宕机等特殊情况，同时也无法精确锁定受到影响的晶圆(无法显示晶圆信息)，影响工程师处理效率。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种光刻机温度与压力的监控方法，用于解决现有的监控手段单一且处理效率较低的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种光刻机温度与压力的监控方法，所述方法包括：
3、步骤1)按照时间顺序以预设时间周期收集fdc数据，且每个时间
4、步骤2)将相邻时间点的所述fdc数据进行减差处理以得到fdc减差数据；
5、步骤3)从数据源文件中解析出所述fdc数据，并同时解析出晶圆信息。
6、可选地，根据收集的所述fdc数据对机台温度及机台压力进行实时监控。
7、可选地，所述预设时间周期包括5min。
8、可选地，所述数据源文件由光刻机报给设备自动化程序。
9、可选地，根据所述fdc减差数据判断是否存在异常的传感器。
10、可选地，根据所述fdc减差数据判断是否存在异常的传感器的方法包括：
11、对所述fdc减差数据进行逻辑判断以得到fdc逻辑值，若所述fdc减差数据的值为0，输出的所述fdc逻辑值为1，若所述fdc减差数据的值为1，输出的所述fdc逻辑值为0；
12、设置卡控值，并判断是否存在连续的n个所述fdc逻辑值大于所述卡控值；
13、若判断结果为是，存在异常的传感器，若判断结果为否，不存在异常的传感器；
14、其中，n为大于等于2的正整数。
15、可选地，n的值取6。
16、可选地，所述卡控值包括0.6或0.8。
17、可选地，根据解析出的所述晶圆信息及所述fdc数据判断因机台温度及机台压力异常产生机台宕机而受到影响的晶圆。
18、如上所述，本专利技术的光刻机温度与压力的监控方法，通过收集fdc数据对机台的温度及压力进行监控，并对收集的fdc数据进行减差处理，从而判断是否存在异常的传感器，再根据fdc数据与晶圆信息判断机台因温度、压力宕机时受到影响的晶圆。通过上述方法能够应对传感器异常宕机的情况，并且精准锁定受到影响的晶圆，从而提高工作人员的处理效率。
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1.一种光刻机温度与压力的监控方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的光刻机温度与压力的监控方法，其特征在于，根据收集的所述FDC数据对机台温度及机台压力进行实时监控。
3.根据权利要求1所述的光刻机温度与压力的监控方法，其特征在于，所述预设时间周期包括5min。
4.根据权利要求1所述的光刻机温度与压力的监控方法，其特征在于，所述数据源文件由光刻机报给设备自动化程序。
5.根据权利要求1所述的光刻机温度与压力的监控方法，其特征在于，根据所述FDC减差数据判断是否存在异常的传感器。
6.根据权利要求5所述的光刻机温度与压力的监控方法，其特征在于，根据所述FDC减差数据判断是否存在异常的传感器的方法包括：
7.根据权利要求6所述的光刻机温度与压力的监控方法，其特征在于，N的值取6。
8.根据权利要求6所述的光刻机温度与压力的监控方法，其特征在于，所述卡控值包括0.6或0.8。
9.根据权利要求1所述的光刻机温度与压力的监控方法，其特征在于，根据解析出的所述晶圆信息及所述
...【技术特征摘要】
1.一种光刻机温度与压力的监控方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的光刻机温度与压力的监控方法，其特征在于，根据收集的所述fdc数据对机台温度及机台压力进行实时监控。
3.根据权利要求1所述的光刻机温度与压力的监控方法，其特征在于，所述预设时间周期包括5min。
4.根据权利要求1所述的光刻机温度与压力的监控方法，其特征在于，所述数据源文件由光刻机报给设备自动化程序。
5.根据权利要求1所述的光刻机温度与压力的监控方法，其特征在于，根据所述fdc减差数据判断是...
【专利技术属性】
技术研发人员：韩洋，黄俊，徐晓敏，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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