减少开尔文电阻测试差异的方法技术

本发明专利技术提供一种减少开尔文电阻测试差异的方法，将第一测试机台与待测试器件的的第一至四测试端分别连接，第一测试端施加固定电流I，第二测试端用于测量第一电压值V1，第三测试端用于测量第二电压值V2，第四测试端施加电压值为0V，从而得到待测器件的第一电阻值；将第二测试机台与待测试器件的第一至四测试端分别连接，第一测试端施加电压值为0V，第二测试端用于测量第三电压值V2’，第三测试端用于测量第四电压值V1’，第四测试端施加固定电流I，从而得到待测器件的第二电阻值R2；根据所述第一、二电阻值获取最终电阻值R＝(R1+R2)/2。本发明专利技术通过测试两次，消除不同机台间因为硬件差异带来的开尔文电阻测试差异。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种减少开尔文电阻测试差异的方法。

技术介绍

1、不同厂家生产的wat(晶圆允收测试)机台，由于机台构造，硬件供货厂商不同，因此后来者机台在做验机过程中，部分参数由于机台本身硬件精度存在的固有差异而出现不可避免的偏差。开尔文电阻就是其中的一类参数，图1示出了现有技术中的开尔文电阻测试结构。电阻等于电压除以电流，由于电流为固定施加值，并非量测得到，所以差异来源即为电压。常用做法是通过实验收集得到两类机台量测电压的固定差异数值，在测试程式中补偿此数值。问题虽得到解决，但是弊端同样存在：两类机台所用的wat测试文件出现不同，不利于统一化管理。

2、为解决上述问题，需要提出一种新型的减少开尔文电阻测试差异的方法。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种减少开尔文电阻测试差异的方法，用于解决现有技术中两类机台所用的wat测试文件出现不同，不利于统一化管理的问题。

2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种减少开尔文电阻本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种减少开尔文电阻测试差异的方法，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的减少开尔文电阻测试差异的方法，其特征在于：步骤一中的所述第一、二测试机台为晶圆允收测试机台。

3.根据权利要求1所述的减少开尔文电阻测试差异的方法，其特征在于：步骤一中的所述测试器件的测试电阻包括：多晶硅电阻，扩散电阻，金属电阻。

4.根据权利要求3所述的减少开尔文电阻测试差异的方法，其特征在于：步骤一中的所述测试电阻集成在半导体衬底上。

5.根据权利要求4所述的减少开尔文电阻测试差异的方法，其特征在于：步骤一中的所述半导体衬底包括块状半导体衬底或绝缘体上...

【技术特征摘要】

1.一种减少开尔文电阻测试差异的方法，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的减少开尔文电阻测试差异的方法，其特征在于：步骤一中的所述第一、二测试机台为晶圆允收测试机台。

3.根据权利要求1所述的减少开尔文电阻测试差异的方法，其特征在于：步骤一中的所述测试器件的测试电阻包括：多晶硅电阻，扩散电阻，金属电阻。

4.根据权利要求3所述的减少开尔文电阻测试差异的方法，其特征在于：步骤一中的所述测试电阻集成在半导体衬底上。

5.根据权利要求4所述的减少开尔文电阻测试差异的方法，其特征在于：步骤一中的所述半导体衬底包括块状半导体衬底或绝缘体上硅(soi)衬底。

6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：邢阳阳，朱燕萍，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：