【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体激光器检测，尤其涉及一种半导体激光器良率生成方法、系统、电子设备及存储介质。
技术介绍
1、半导体激光器(ld，laser diode)，又称激光二极管，是用半导体材料作为工作物质的激光器，其具有体积小、重量轻、电光转换效率高、可靠性高和寿命长等优点，在工业加工、生物医疗和国家防御等领域具有重要的应用。
2、相关技术中，半导体激光器在cos(chip on submount)封装良率测试时，cos测试的各个工序均需要依赖人工来进行操作记录，其不仅效率较低，同时在记录过程中极易出现记录失误。
技术实现思路
1、针对现有技术的不足，本申请实施例提供了一种半导体激光器良率生成方法、系统、电子设备及存储介质，旨在解决现有技术中半导体激光器cos封装良率测试需要依赖人工操作记录，而导致效率较低，易出现失误的技术问题。
2、为解决上述问题，第一方面，本申请实施例提供了一种半导体激光器良率生成方法，其包括：
3、获取来料的半导体激光器的良品数量、芯片类型以及所述半导体激光器当前的第一测试数量；
4、若所述第一测试数量小于所述良品数量，确定所述来料的半导体激光器是否存在在制品；
5、若所述来料的半导体激光器中不存在在制品，根据所述芯片类型获取所述第一测试数量的半导体激光器的第一测试信息，并根据所述第一测试信息生成所述来料的半导体激光器的测试良率。
6、第二方面，本申请实施例还提供了一种半导体激光器良率生成系统，
7、获取单元，用于获取来料的半导体激光器的良品数量、芯片类型以及所述半导体激光器当前的第一测试数量；
8、确定单元，用于若所述第一测试数量小于所述良品数量，确定所述来料的半导体激光器是否存在在制品；
9、生成单元，用于若所述来料的半导体激光器中不存在在制品，根据所述芯片类型获取所述第一测试数量的半导体激光器的第一测试信息，并根据所述第一测试信息生成所述来料的半导体激光器的测试良率。
10、第三方面，本申请实施例又提供了一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，其中，所述处理器执行所述计算机程序时实现如上述第一方面所述的半导体激光器良率生成方法。
11、第四方面，本申请实施例还提供了一种计算机可读存储介质，其中，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序当被处理器执行时使所述处理器执行上述第一方面所述的半导体激光器良率生成方法。
12、本申请实施例提供了一种半导体激光器良率生成方法、系统、电子设备及存储介质，该方法通过获取来料的半导体激光器的良品数量、芯片类型以及所述半导体激光器当前的第一测试数量；若所述第一测试数量小于所述良品数量，确定所述来料的半导体激光器是否存在在制品；若所述来料的半导体激光器中不存在在制品，根据所述芯片类型获取所述第一测试数量的半导体激光器的第一测试信息，并根据所述第一测试信息生成所述来料的半导体激光器的测试良率，进而可以快速的获取来料的半导体激光器cos封装的良率测试，同时也可以避免人工操作记录失误而导致良率较低的技术问题，极大的提高了半导体激光器的生产效率。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体激光器良率生成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体激光器良率生成方法，其特征在于，在所述确定所述来料的半导体激光器是否存在在制品之后，还包括：
3.根据权利要求1所述的半导体激光器良率生成方法，其特征在于，在所述获取来料的半导体激光器的良品数量、芯片类型以及所述半导体激光器当前的第一测试数量之后，还包括：
4.根据权利要求3所述的半导体激光器良率生成方法，其特征在于，所述根据所述第二测试信息生成所述来料的半导体激光器的偏振度良率或/和发射角良率，包括：
5.根据权利要求4所述的半导体激光器良率生成方法，其特征在于，所述根据所述第二测试信息、所述第三测试信息生成所述来料的半导体激光器的偏振度良率，包括：
6.根据权利要求1所述的半导体激光器良率生成方法，其特征在于，所述根据所述第一测试信息生成所述来料的半导体激光器的测试良率，包括：
7.根据权利要求6所述的半导体激光器良率生成方法，其特征在于，在所述根据所述第一测试信息生成所述来料的半导体激光器的测试良率之后，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体激光器良率生成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体激光器良率生成方法，其特征在于，在所述确定所述来料的半导体激光器是否存在在制品之后，还包括：
3.根据权利要求1所述的半导体激光器良率生成方法，其特征在于，在所述获取来料的半导体激光器的良品数量、芯片类型以及所述半导体激光器当前的第一测试数量之后，还包括：
4.根据权利要求3所述的半导体激光器良率生成方法，其特征在于，所述根据所述第二测试信息生成所述来料的半导体激光器的偏振度良率或/和发射角良率，包括：
5.根据权利要求4所述的半导体激光器良率生成方法，其特征在于，所述根据所述第二测试信息、所述第三测试信息生成所述来料的半导体激光器的偏振度良率，包括：
6.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱玉芹，叶杨椿，王利娟，曾科，王明，李霞，刘洋，
申请(专利权)人：武汉锐科光纤激光技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。