【技术实现步骤摘要】
本公开涉及光子学芯片，更具体地说，涉及包括波导芯的结构和制造这种结构的方法。
技术介绍
1、光子学芯片用于许多应用和系统，包括但不限于数据通信系统和数据计算系统。光子学芯片将光学部件和电子部件集成到统一平台中。除了其他因素之外，布局面积、成本和操作开销可通过在同一芯片上集成两种类型的部件来减小。
2、边缘耦合器，也称为光斑尺寸转换器，其是这样的光学部件，该光学部件通常用于将来自光源(如激光器或光纤)的给定模式的光耦合到光子学芯片上的其他光学部件。边缘耦合器可以包括限定具有尖端的倒锥形(inverse taper)的波导芯的一部分。在边缘耦合器构造中，倒锥形的窄端部提供邻近光源定位在尖端处的刻面(facet)，而倒锥形的宽端部被连接到将光路由到光子学芯片的光学部件的波导芯的另一部分。
3、当光从光源传输到边缘耦合器时，倒锥形的逐渐变化的横截面积支持与模式转换相关联的模式变换和模式尺寸变化。倒锥形的尖端不能完全限制(confine)从光源接收到的入射模式，因为尖端的横截面积明显小于模式尺寸。因此，入射模式的电磁场的相当大的比例围绕倒锥形的尖端分布。随着倒锥形的宽度增加，倒锥形能够支持整个入射模式并限制电磁场。
4、需要包括波导芯的改善的结构和制造这种结构的方法。
技术实现思路
1、在本专利技术的一个实施例中，一种结构包括：波导芯，其包括具有第一梯形部和与所述第一梯形部堆叠的第二梯形部的部分。所述第一梯形部具有第一梯形形状，并且所述第二梯形部具有不同于
2、在本专利技术的一个实施例中，一种方法包括：形成包括具有第一梯形部和与所述第一梯形部堆叠的第二梯形部的部分的波导芯。所述第一梯形部具有第一梯形形状，并且所述第二梯形部具有不同于所述第一梯形形状的第二梯形形状。
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1.一种结构，包括：
2.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第一波导芯的所述部分是锥形的。
3.根据权利要求2所述的结构，其中，所述第一波导芯的所述部分在端部终止。
4.根据权利要求3所述的结构，还包括：
5.根据权利要求4所述的结构，其中，所述光源是半导体激光二极管。
6.根据权利要求5所述的结构，其中，所述第一波导芯的所述部分被旋转以补偿所述模式传播方向的角度未对准。
7.根据权利要求3所述的结构，其中，所述第一波导芯的所述部分具有随着距所述端部的距离的增加而增加的宽度。
8.根据权利要求2所述的结构，还包括：
9.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第一梯形部的所述第一梯形形状具有第一底角，并且所述第二梯形部的所述第二梯形形状具有小于所述第一底角的第二底角。
10.根据权利要求9所述的结构，其中，所述第一底角是第一锐角，并且所述第二底角是第二锐角。
11.根据权利要求9所述的结构，其中，所述第一波导芯具有顶表面，并且所述第一梯形部邻近所述第一波导芯的所述
12.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第一梯形部的所述第一梯形形状具有第一底角和第二底角，并且所述第一底角与所述第二底角相等。
13.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第一梯形部的所述第一梯形形状具有第一底角和第二底角，并且所述第一底角与所述第二底角不相等。
14.根据权利要求1所述的结构，还包括：
15.根据权利要求1所述的结构，还包括：
16.根据权利要求1所述的结构，还包括：
17.一种方法，包括：
18.根据权利要求17所述的方法，其中，形成包括具有所述第一梯形部和与所述第一梯形部堆叠的所述第二梯形部的所述部分的所述波导芯包括：
19.根据权利要求17所述的方法，其中，形成包括具有所述第一梯形部和与所述第一梯形部堆叠的所述第二梯形部的所述部分的所述波导芯包括：
20.根据权利要求17所述的方法，其中，所述波导芯的所述部分在端部终止，所述波导芯的所述部分是锥形的以具有随着距所述端部的距离的增加而增加的宽度，并且所述方法还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种结构，包括：
2.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第一波导芯的所述部分是锥形的。
3.根据权利要求2所述的结构，其中，所述第一波导芯的所述部分在端部终止。
4.根据权利要求3所述的结构，还包括：
5.根据权利要求4所述的结构，其中，所述光源是半导体激光二极管。
6.根据权利要求5所述的结构，其中，所述第一波导芯的所述部分被旋转以补偿所述模式传播方向的角度未对准。
7.根据权利要求3所述的结构，其中，所述第一波导芯的所述部分具有随着距所述端部的距离的增加而增加的宽度。
8.根据权利要求2所述的结构，还包括：
9.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第一梯形部的所述第一梯形形状具有第一底角，并且所述第二梯形部的所述第二梯形形状具有小于所述第一底角的第二底角。
10.根据权利要求9所述的结构，其中，所述第一底角是第一锐角，并且所述第二底角是第二锐角。
11.根据权利要求9所述的结构，其中，所述第一波导芯具有顶表面，并且所述第一梯形部邻近所述第一波...
【专利技术属性】
技术研发人员：卞宇生，K·拉马钱德兰，K·纳米，
申请(专利权)人：格芯美国集成电路科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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