【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示，尤其涉及一种堆叠微显示装置及其制备方法。
技术介绍
1、micro-led(也称微led)作为新一代核心显示技术，具备低功耗、高集成、高显示效果和高技术寿命等优良特性，呈现蓬勃发展态势。但在生产和开发micro-led芯片过程中，也面临很多技术挑战。特别是在将micro-led焊接在基板，例如tft/pcb基板的工艺过程中，现有技术中需要将大批量的发光芯片用巨量转移设备、巨量焊接设备固定在基板表面，整个过程不仅效率低，而且设备成本贵，使得微显示装置的显示屏(例如基于tft/pcb基板的micro-led屏)制造成本居高不下。还有一些厂家，先将micro-led三色发光芯片封装成一个单元体(称为mip封装体)，然后再把mip封装体通过固晶设备转移到tft/pcb基板上；但这种制作显示屏的方法，同样需要采用巨量转移设备和巨量焊接工艺制作mip封装体，整个工艺制作流程长，费时费力。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种堆叠微显示装置及其制备方法，以简化堆叠微显示装置的制备工艺，降低制备成本。
2、第一方面，本专利技术实施例提供了一种堆叠微显示装置的制备方法，包括：
3、提供一基板和至少两个发光阵列模组；其中，所述基板上包括阵列排布的多个像素单元，每个所述像素单元包括多个贴合电极；所述发光阵列模组包括层叠设置的生长衬底和发光阵列层，所述发光阵列层包括阵列排布的多个发光芯片，每个所述发光芯片远离所述生长衬底的一侧设置有芯片电极；
4、
5、可选地，将各所述发光阵列模组依次层叠设置于所述基板设置有所述贴合电极的一侧，包括：
6、将第一个所述发光阵列模组设置有所述芯片电极的一面与所述基板设置有所述贴合电极的一面键合；其中，第一个所述发光阵列模组中的各所述芯片电极均与对应的所述贴合电极对位并电连接；
7、针对其他所述发光阵列模组，将所述发光阵列模组设置有所述芯片电极的一面与前一个所述发光阵列模组中未设置所述芯片电极的一面键合；其中，其他所述发光阵列模组中的各所述芯片电极均与对应的所述贴合电极对位并电连接；
8、其中，针对除去最后一个所述发光阵列模组外的各所述发光阵列模组，在所述发光阵列模组键合完成后，在所述发光阵列模组上刻蚀通孔，后一个所述发光阵列模组中的芯片电极通过所述通孔实现与对应的贴合电极的电连接。
9、可选地，对于至少部分所述发光阵列模组，在所述发光阵列模组键合完成后，剥离所述发光阵列模组中的生长衬底。
10、可选地，所述像素单元包括驱动电路键合区，所述贴合电极设置于所述驱动电路键合区；所述发光芯片包括芯片键合区，所述芯片电极设置于所述芯片键合区；
11、第一个所述发光阵列模组中的各所述芯片键合区与所述基板中的各所述驱动电路键合区对位键合；
12、针对其他所述发光阵列模组，所述发光阵列模组中的各所述芯片键合区与前一个所述发光阵列模组中未设置所述芯片电极的一面键合；其中，任意两层所述发光阵列层中对应同一像素单元的两个所述发光芯片的芯片键合区在所述基板上的垂直投影至少部分重叠。
13、可选地，所述基板设置有所述贴合电极的一面上，所述驱动电路键合区除去各所述贴合电极以外的表面均覆盖有绝缘介质；所述发光阵列层设置有所述芯片电极的一面上，所述芯片键合区除去各所述芯片电极以外的表面均覆盖有绝缘介质；
14、采用混合键合的方式，对所述发光阵列模组与目标结构进行键合；其中，针对第一个所述发光阵列模组，所述目标结构为所述基板；针对其他所述发光阵列模组，所述目标结构为所述发光阵列模组的前一个发光阵列模组。
15、第二方面，本专利技术实施例还提供了一种堆叠微显示装置，其特征在于，采用本专利技术任意实施例所提供的堆叠微显示装置的制备方法制备。
16、可选地，所述贴合电极的数量与所有所述发光阵列模组中的所有所述芯片电极的数量相同，且各所述贴合电极与各所述芯片电极一一对应电连接。
17、可选地，每个所述发光芯片的芯片电极均包括阳极电极和阴极电极；
18、至少两层所述发光阵列层中，对应同一所述像素单元的各所述发光芯片的阳极电极和阴极电极之间的连线在所述基板上的垂直投影交叉。
19、可选地，每个所述发光芯片的芯片电极均包括第一功能电极和第二功能电极；多个所述贴合电极包括多个第一功能贴合电极和多个第二功能贴合电极；
20、同一所述像素单元对应的不同所述发光芯片的第一功能电极对应连接不同所述第一功能贴合电极，同一所述像素单元对应的不同所述发光芯片的第二功能电极对应连接同一所述第二功能贴合电极；
21、其中，所述第一功能电极为阳极电极，所述第二功能电极为阴极电极；或者，所述第一功能电极为阴极电极，所述第二功能电极为阳极电极。
22、可选地，同一所述像素单元对应的不同所述发光芯片的第二功能电极分别对应键合于同一所述第二功能贴合电极的不同位置；
23、或者，针对同一所述像素单元，第一层所述发光阵列层中的所述发光芯片的第二功能电极与所述像素单元中的所述第二功能贴合电极对位键合，后续各层所述发光阵列层中的所述发光芯片的第二功能电极均与前一层所述发光阵列层中对应位置的所述发光芯片的第二功能电极对位键合。
24、可选地，所述堆叠微显示装置中包括两层所述发光阵列层或三层所述发光阵列层；
25、和/或，不同所述发光阵列层中的发光芯片的发光颜色不同。
26、本专利技术实施例提供的堆叠微显示装置的制备方法中，先提供制作好的发光芯片阵列，在发光阵列模组的发光阵列层中，每个发光芯片上均有制备好的芯片电极；然后将带有生长衬底的发光阵列模组整体移动，与基板或前一个发光阵列模组堆叠贴合。与现有技术相比，本专利技术实施例省去了巨量转移等制程，简化了制备工艺，降低了成本。并且，在每个发光阵列层上制备好芯片电极后再进行堆叠，与先堆叠再制备芯片电极相比，降低了电极制备难度，减少了不良率。并且，与将每个发光芯片单独堆叠相比，将发光芯片以发光阵列的形式堆叠，由于在发光阵列模组中，各发光芯片在生长衬底的同一表面上制备，因此可以保证堆叠完成后每一发光阵列层中的发光芯片的表面均位于同一水平面，堆叠时受力更为均匀，可以提高芯片堆叠的一致性和均匀性。
27、应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本专利技术的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本专利技术的范围。本专利技术的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种堆叠微显示装置的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的堆叠微显示装置的制备方法，其特征在于，将各所述发光阵列模组依次层叠设置于所述基板设置有所述贴合电极的一侧，包括：
3.根据权利要求2所述的堆叠微显示装置的制备方法，其特征在于，对于至少部分所述发光阵列模组，在所述发光阵列模组键合完成后，剥离所述发光阵列模组中的生长衬底。
4.根据权利要求2或3所述的堆叠微显示装置的制备方法，其特征在于，所述像素单元包括驱动电路键合区，所述贴合电极设置于所述驱动电路键合区；所述发光芯片包括芯片键合区，所述芯片电极设置于所述芯片键合区；
5.根据权利要求4所述的堆叠微显示装置的制备方法，其特征在于，所述基板设置有所述贴合电极的一面上，所述驱动电路键合区除去各所述贴合电极以外的表面均覆盖有绝缘介质；所述发光阵列层设置有所述芯片电极的一面上，所述芯片键合区除去各所述芯片电极以外的表面均覆盖有绝缘介质；
6.一种堆叠微显示装置，其特征在于，采用权利要求1-5中任一项所述的堆叠微显示装置的制备方法制备。
7.根
8.根据权利要求7所述的堆叠微显示装置，其特征在于，每个所述发光芯片的芯片电极均包括阳极电极和阴极电极；
9.根据权利要求6所述的堆叠微显示装置，其特征在于，每个所述发光芯片的芯片电极均包括第一功能电极和第二功能电极；多个所述贴合电极包括多个第一功能贴合电极和多个第二功能贴合电极；
10.根据权利要求9所述的堆叠微显示装置，其特征在于，同一所述像素单元对应的不同所述发光芯片的第二功能电极分别对应键合于同一所述第二功能贴合电极的不同位置；
11.根据权利要求6-10中任一项所述的堆叠微显示装置，其特征在于，所述堆叠微显示装置中包括两层所述发光阵列层或三层所述发光阵列层；
...【技术特征摘要】
1.一种堆叠微显示装置的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的堆叠微显示装置的制备方法，其特征在于，将各所述发光阵列模组依次层叠设置于所述基板设置有所述贴合电极的一侧，包括：
3.根据权利要求2所述的堆叠微显示装置的制备方法，其特征在于，对于至少部分所述发光阵列模组，在所述发光阵列模组键合完成后，剥离所述发光阵列模组中的生长衬底。
4.根据权利要求2或3所述的堆叠微显示装置的制备方法，其特征在于，所述像素单元包括驱动电路键合区，所述贴合电极设置于所述驱动电路键合区；所述发光芯片包括芯片键合区，所述芯片电极设置于所述芯片键合区；
5.根据权利要求4所述的堆叠微显示装置的制备方法，其特征在于，所述基板设置有所述贴合电极的一面上，所述驱动电路键合区除去各所述贴合电极以外的表面均覆盖有绝缘介质；所述发光阵列层设置有所述芯片电极的一面上，所述芯片键合区除去各所述芯片电极以外的表面均覆盖有绝缘介质；
6.一种堆叠微显...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢海忠，李军帅，孔玮，杨军，
申请(专利权)人：西湖烟山科技杭州有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。