本发明专利技术提供了一种柔性微显示单元以及制备方法。该柔性微显示单元的制备方法包括：提供背板层；在背板层的表面形成底层牺牲层；在底层牺牲层远离背板层的表面形成柔性衬底；在柔性衬底远离底层牺牲层的表面形成驱动电极层；制备外延层，其中，外延层依次包括第一导电类型半导体层、量子阱层和第二导电类型半导体层；将外延层的第一导电类型半导体层侧通过金属键合工艺和驱动电极层键合连接；将外延层进行像素化处理，以形成多个微显示单元晶粒；通过湿法腐蚀工艺腐蚀底层牺牲层，以将底层牺牲层连带背板层与柔性衬底剥离。本发明专利技术实施例提供的技术方案，提高了转移微显示单元和剥离柔性衬底的效率、良率并降低了成本。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种柔性微显示单元以及制备方法。
技术介绍
1、与传统的液晶显示器(lcd)和有机发光显示器(oled)相比，微显示单元具有更高稳定性、更长寿命、透明显示、无限拼接等技术优势，适合于各场合显示应用。随着时代的发展，智能穿戴以及传感器的应用已开始广泛应用，因此也就显著提高了柔性显示的需求。
2、然而柔性微显示单元发展还存在很多问题需要解决，目前行业内制造柔性微显示单元的方法也存在了较大的缺陷，制造成本较高，工艺局限性较大，且良品率较低。由于需要采用激光剥离，所以衬底要求必须为透明背板，且抗弯强度较差。工艺在制备时需要先在蓝宝石衬底上进行聚酰亚胺(pi胶)涂布，随后实现电极布线，其次采用巨量转移的技术进行微显示单元的转移，巨量转移需要大量的时间成本和设备成本，因此产品的成本会大幅度提升，所有工艺全部完成以后，仍旧需要采用激光剥离技术进行柔性衬底的剥离。若使用机械剥离方式则会导致产品的良率大幅度降低，无法满足大批量生产需求。鉴于上述问题，柔性微显示单元低成本制造方法就变得尤为重要。
3、另外，针对于小尺寸微显示单元的巨量转移技术存在效率低、成本高，且巨量转移技术尚存在很多技术瓶颈需要攻克。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种柔性微显示单元以及制备方法，以提高转移微显示单元和剥离柔性衬底的效率、良率并降低成本。
2、根据本专利技术的一方面，提供了一种柔性微显示单元的制备方法，包括：
3、提供背板层；
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p>4、在所述背板层的表面形成底层牺牲层；5、在所述底层牺牲层远离所述背板层的表面形成柔性衬底；
6、在所述柔性衬底远离所述底层牺牲层的表面形成驱动电极层；
7、制备外延层，其中，所述外延层依次包括第一导电类型半导体层、量子阱层和第二导电类型半导体层；
8、将所述外延层的第一导电类型半导体层侧通过金属键合工艺和所述驱动电极层键合连接；
9、将所述外延层进行像素化处理，以形成多个微显示单元晶粒；
10、通过湿法腐蚀工艺腐蚀所述底层牺牲层，以将所述底层牺牲层连带所述背板层与所述柔性衬底剥离。
11、可选地，在所述底层牺牲层远离所述背板层的表面形成柔性衬底包括：
12、在所述底层牺牲层远离所述背板层的表面形成第一柔性衬底层；
13、在所述第一柔性衬底层远离所述底层牺牲层的表面形成绝缘保护层；
14、在所述绝缘保护层远离所述第一柔性衬底层的表面形成第二柔性衬底层，其中所述第一柔性衬底层、所述绝缘保护层和所述第二柔性衬底层构成所述柔性衬底。
15、可选地，所述第一柔性衬底层中的固体含量小于16.5％；
16、和/或，所述第二柔性衬底层中的固体含量小于16.5％。
17、可选地，将所述外延层的第一导电类型半导体层侧通过金属键合工艺和所述驱动电极层键合连接包括：
18、在所述驱动电极层远离所述柔性衬底的表面形成第一金属键合层；
19、在所述外延层的第一导电类型半导体层远离所述量子阱层的一侧形成第二金属键合层；
20、将所述第一金属键合层和所述第二金属键合层通过金属键合工艺键合连接，以使得所述外延层的第一导电类型半导体层侧和所述驱动电极层连接。
21、可选地，在所述柔性衬底远离所述底层牺牲层的表面形成驱动电极层包括：
22、在所述柔性衬底远离所述底层牺牲层的表面形成列电极层；
23、在所述列电极层远离所述柔性衬底的一侧形成第一绝缘介质层；
24、在所述第一绝缘介质层远离所述列电极层的表面形成行电极层；
25、在所述行电极层远离所述第一绝缘介质层的表面形成第二绝缘介质层；
26、在所述第二绝缘介质层形成第一过孔，所述第一过孔露出所述行电极层的部分，以使所述第一金属键合层通过所述第一过孔与所述行电极层电性连接。
27、可选地，将所述外延层进行像素化处理，以形成多个微显示单元晶粒包括：
28、将所述外延层进行像素化处理，以形成多个第一凹槽、多个第二凹槽和多个微显示单元晶粒，其中，所述第一凹槽露出所述第二绝缘介质层，所述第二凹槽露出所述第一绝缘介质层；
29、对所述微显示单元晶粒进行粗化处理；
30、在所述微显示单元晶粒的侧面形成钝化层；
31、在所述第二凹槽露出的所述第一绝缘介质层形成第二过孔，所述第二过孔露出所述列电极层的部分；
32、在所述第二导电类型半导体层远离所述量子阱层的一侧形成金属电流扩展层，其中所述金属电流扩展层还延伸至所述第二过孔处与所述列电极层电性连接；
33、在所述金属电流扩展层远离第二导电类型半导体层的一侧形成有机保护层，所述有机保护层远离所述微显示单元晶粒一侧的表面为平面。
34、可选地，将所述外延层的第一导电类型半导体层通过金属键合工艺和所述驱动电极层键合连接之前还包括：
35、可选地，制备外延层，其中，所述外延层依次包括第一导电类型半导体层、量子阱层、第二导电类型半导体层和衬底层；
36、将所述外延层进行像素化处理，以形成多个微显示单元晶粒之前还包括：
37、减薄所述衬底层；
38、通过湿法刻蚀工艺去除所述衬底层。
39、可选地，在所述第二导电类型半导体层远离所述量子阱层的一侧形成金属电流扩展层之前还包括：
40、根据本专利技术的另一方面，提供了一种柔性微显示单元，包括：
41、柔性衬底；
42、驱动电极层，所述驱动电极层位于所述柔性衬底的表面；
43、外延层，所述外延层依次包括第一导电类型半导体层、量子阱层和第二导电类型半导体层；所述外延层的第一导电类型半导体层侧通过金属键合工艺和所述驱动电极层键合连接；
44、所述外延层包括多个微显示单元晶粒。
45、可选地，所述柔性衬底包括第一柔性衬底层；
46、绝缘保护层，所述绝缘保护层位于所述第一柔性衬底层的表面；
47、第二柔性衬底层，所述第二柔性衬底层位于所述绝缘保护层远离所述第一柔性衬底层的表面，其中所述第一柔性衬底层、所述绝缘保护层和所述第二柔性衬底层构成所述柔性衬底。
48、可选地，所述第一柔性衬底层中的固体含量小于16.5％；
49、和/或，所述第二柔性衬底层中的固体含量小于16.5％。
50、可选地，还包括第一金属键合层和第二金属键合层；
51、所述第一金属键合层位于所述驱动电极层远离所述柔性衬底的表面；
52、所述第二金属键合层位于所述外延层的第一导电类型半导体层远离所述量子阱层的一侧；所述第一金属键合层和所述第二金属键合层通过金属键合工艺键合连接，以使得所述外延层的第一导电类型半导体层侧和所述驱动电极层连接。...
【技术保护点】
1.一种柔性微显示单元的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的柔性微显示单元的制备方法，其特征在于，在所述底层牺牲层远离所述背板层的表面形成柔性衬底包括：
3.根据权利要求2所述的柔性微显示单元的制备方法，其特征在于，所述第一柔性衬底层中的固体含量小于16.5％；
4.根据权利要求1所述的柔性微显示单元的制备方法，其特征在于，将所述外延层的第一导电类型半导体层侧通过金属键合工艺和所述驱动电极层键合连接包括：
5.根据权利要求4所述的柔性微显示单元的制备方法，其特征在于，在所述柔性衬底远离所述底层牺牲层的表面形成驱动电极层包括：
6.根据权利要求5所述的柔性微显示单元的制备方法，其特征在于，将所述外延层进行像素化处理，以形成多个微显示单元晶粒包括：
7.根据权利要求1所述的柔性微显示单元的制备方法，其特征在于，制备外延层，其中，所述外延层依次包括第一导电类型半导体层、量子阱层、第二导电类型半导体层和衬底层；
8.一种柔性微显示单元，其特征在于，包括：
9.根据权利要求8所述的柔性微显示单元，其特征在于，所述柔性衬底包括第一柔性衬底层；
10.根据权利要求9所述的柔性微显示单元，其特征在于，所述第一柔性衬底层中的固体含量小于16.5％；
11.根据权利要求8所述的柔性微显示单元，其特征在于，还包括第一金属键合层和第二金属键合层；
12.根据权利要求11所述的柔性微显示单元，其特征在于，所述驱动电极层包括列电极层，所述列电极层位于所述柔性衬底的表面；
13.根据权利要求12所述的柔性微显示单元，其特征在于，所述外延层形成有多个第一凹槽、多个第二凹槽和多个微显示单元晶粒，其中，所述第一凹槽露出所述第二绝缘介质层，所述第二凹槽露出所述第一绝缘介质层；
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【技术特征摘要】
1.一种柔性微显示单元的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的柔性微显示单元的制备方法，其特征在于，在所述底层牺牲层远离所述背板层的表面形成柔性衬底包括：
3.根据权利要求2所述的柔性微显示单元的制备方法，其特征在于，所述第一柔性衬底层中的固体含量小于16.5％；
4.根据权利要求1所述的柔性微显示单元的制备方法，其特征在于，将所述外延层的第一导电类型半导体层侧通过金属键合工艺和所述驱动电极层键合连接包括：
5.根据权利要求4所述的柔性微显示单元的制备方法，其特征在于，在所述柔性衬底远离所述底层牺牲层的表面形成驱动电极层包括：
6.根据权利要求5所述的柔性微显示单元的制备方法，其特征在于，将所述外延层进行像素化处理，以形成多个微显示单元晶粒包括：
7.根据权利要求1所述的柔性微显示单元的制备方法，其特征在于，制备外...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵朗朗，
申请(专利权)人：西湖烟山科技杭州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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