微显示单元及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种微显示单元及显示装置，微显示单元包括依次层叠在第一半导体层上的发光层和第二半导体层，第一半导体层远离发光层的一侧设置有色转换层，色转换层用于对发光层发出的光进行颜色转换。通过设置微显示单元包括色转换层，使得在进行微显示单元的制备时，可以在同一外延晶圆上制备出不同发光颜色的微显示单元，保证不同发光颜色的微显示单元的波长一致性或均匀性较好。其中，色转换层与第一半导体层靠近发光层的表面的距离为0.2微米至3微米，可以使得色转换层与发光层的距离较近，使得色转换层的色转换效率较高；可以使得第一半导体层具有一定的厚度，保证微显示单元中发光层可以正常发光。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及显示，尤其涉及一种微显示单元及显示装置。

技术介绍

1、微型led在显示装置中应用广泛。

2、现有技术中，通常会在红光外延层上形成红色发光单元，在绿光外延层上形成绿色发光单元，在蓝光外延层上形成蓝光发光单元。

3、然而，由于不同外延层上形成的不同颜色发光单元导致波长一致性或均匀性较差。

技术实现思路

1、本专利技术提供一种微显示单元及显示装置，以实现提升不同发光颜色的微显示单元的波长一致性或均匀性，提升显示效果。

2、第一方面，本专利技术实施例提供了一种微显示单元，包括：依次层叠在第一半导体层上的发光层和第二半导体层，第一半导体层与第一电极电连接，第二半导体层与第二电极电连接，第一半导体层远离发光层的一侧设置有色转换层，色转换层用于对发光层发出的光进行颜色转换；

3、其中，色转换层与第一半导体层靠近发光层的表面的距离为0.2微米至3微米。

4、可选的，色转换层与第一半导体层靠近发光层的表面的距离为0.2微米至1微米。

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【技术保护点】

1.一种微显示单元，其特征在于，包括：依次层叠在第一半导体层上的发光层和第二半导体层，所述第一半导体层与第一电极电连接，所述第二半导体层与第二电极电连接，所述第一半导体层远离所述发光层的一侧设置有色转换层，所述色转换层用于对所述发光层发出的光进行颜色转换；

2.根据权利要求1所述的微显示单元，其特征在于，所述色转换层与所述第一半导体层靠近所述发光层的表面的距离为0.2微米至1微米。

3.根据权利要求1所述的微显示单元，其特征在于，所述第一半导体层远离所述发光层的表面设置有第一凹槽，所述第一凹槽与所述发光层对应，所述色转换层设置于所述第一凹槽中；

4.根...

【技术特征摘要】

1.一种微显示单元，其特征在于，包括：依次层叠在第一半导体层上的发光层和第二半导体层，所述第一半导体层与第一电极电连接，所述第二半导体层与第二电极电连接，所述第一半导体层远离所述发光层的一侧设置有色转换层，所述色转换层用于对所述发光层发出的光进行颜色转换；

2.根据权利要求1所述的微显示单元，其特征在于，所述色转换层与所述第一半导体层靠近所述发光层的表面的距离为0.2微米至1微米。

3.根据权利要求1所述的微显示单元，其特征在于，所述第一半导体层远离所述发光层的表面设置有第一凹槽，所述第一凹槽与所述发光层对应，所述色转换层设置于所述第一凹槽中；

4.根据权利要求3所述的微显示单元，其特征在于，所述第一凹槽包括第一底面，所述发光层在所述第一半导体层上的正投影的在所述第一底面内。

5.根据权利要求4所述的微显示单元，其特征在于，所述第一凹槽还包括第一侧壁，所述第一侧壁与所述第一底面连接，所述第一侧壁设置有吸光材料或反光材料；

6.根据权利要求3所述的微显示单元，其特征在于，所述第二凹槽包括第二底面，所述发光层以及所述第二半导体层在所述像素限定层上的正投影的在所述第二底面内；所述第二凹槽还包括第二侧壁，所述第二侧壁与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：西湖烟山科技杭州有限公司，
类型：发明
国别省市：