【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及显示，尤其涉及一种微显示单元及显示装置。
技术介绍
1、微型led在显示装置中应用广泛。
2、现有技术中，通常会在红光外延层上形成红色发光单元，在绿光外延层上形成绿色发光单元，在蓝光外延层上形成蓝光发光单元。
3、然而，由于不同外延层上形成的不同颜色发光单元导致波长一致性或均匀性较差。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种微显示单元及显示装置，以实现提升不同发光颜色的微显示单元的波长一致性或均匀性，提升显示效果。
2、第一方面，本专利技术实施例提供了一种微显示单元，包括：依次层叠在第一半导体层上的发光层和第二半导体层，第一半导体层与第一电极电连接，第二半导体层与第二电极电连接，第一半导体层远离发光层的一侧设置有色转换层，色转换层用于对发光层发出的光进行颜色转换；
3、其中，色转换层与第一半导体层靠近发光层的表面的距离为0.2微米至3微米。
4、可选的，色转换层与第一半导体层靠近发光层的表面的距离为0.2微米至1微米。
5、可选的，第一半导体层远离发光层的表面设置有第一凹槽，第一凹槽与发光层对应，色转换层设置于第一凹槽中；
6、和/或第一半导体层远离发光层的一侧设置有像素限定层，像素限定层包括第二凹槽，第二凹槽与发光层对应，色转换层设置于第二凹槽中。
7、可选的，第一凹槽包括第一底面，发光层在第一半导体层上的正投影的在第一底面内。
8、可选的，第一凹槽还包括
9、第一侧壁与第一底面的夹角大于90度。
10、可选的，第二凹槽包括第二底面，发光层以及第二半导体层在像素限定层上的正投影的在第二底面内；第二凹槽还包括第二侧壁，第二侧壁与第二底面连接，第二侧壁设置有吸光材料或反光材料；第二侧壁与第二底面的夹角大于90度。
11、可选的，第一半导体层靠近发光层的表面设置有第三凹槽，第三凹槽位于发光层在第一半导体层所在位置的边缘，第三凹槽的至少部分位置设置有吸光材料或反光材料。
12、可选的，第三凹槽呈环状，第三凹槽环绕发光层在第一半导体层上的正投影。
13、可选的，第二电极的至少部分设置于第三凹槽中。
14、可选的，第三凹槽的底面在第一半导体层上的正投影与第一凹槽的底部存在交叠；和/或，第三凹槽的底面在像素限定层上的正投影与第二凹槽的底部存在交叠。
15、可选的，第一半导体层为n型半导体层，第二半导体层为p型半导体层；或者第一半导体层为p型半导体层，第二半导体层为n型半导体层。
16、可选的，色转换层包括量子点、无机荧光材料、有机材料中的至少一种材料。
17、第二方面，本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括第一方面的微显示单元。
18、本专利技术实施例提供了微显示单元及显示装置，其中微显示单元包括依次层叠在第一半导体层上的发光层和第二半导体层，第一半导体层与第一电极电连接，第二半导体层与第二电极电连接，第一半导体层远离发光层的一侧设置有色转换层，色转换层用于对发光层发出的光进行颜色转换。通过设置微显示单元包括色转换层，使得在进行微显示单元的制备时，可以在同一外延晶圆上制备出不同发光颜色的微显示单元，保证不同发光颜色的微显示单元的波长一致性或均匀性较好。其中，色转换层与第一半导体层靠近发光层的表面的距离为0.2微米至3微米，进而一方面可以使得色转换层与发光层的距离较近，使得色转换层的色转换效率较高；另一方面可以使得第一半导体层具有一定的厚度，保证微显示单元中发光层可以正常发光，保证微显示单元的良好显示效果。
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1.一种微显示单元，其特征在于，包括：依次层叠在第一半导体层上的发光层和第二半导体层，所述第一半导体层与第一电极电连接，所述第二半导体层与第二电极电连接，所述第一半导体层远离所述发光层的一侧设置有色转换层，所述色转换层用于对所述发光层发出的光进行颜色转换；
2.根据权利要求1所述的微显示单元，其特征在于，所述色转换层与所述第一半导体层靠近所述发光层的表面的距离为0.2微米至1微米。
3.根据权利要求1所述的微显示单元，其特征在于，所述第一半导体层远离所述发光层的表面设置有第一凹槽，所述第一凹槽与所述发光层对应，所述色转换层设置于所述第一凹槽中；
4.根据权利要求3所述的微显示单元，其特征在于，所述第一凹槽包括第一底面，所述发光层在所述第一半导体层上的正投影的在所述第一底面内。
5.根据权利要求4所述的微显示单元，其特征在于，所述第一凹槽还包括第一侧壁，所述第一侧壁与所述第一底面连接，所述第一侧壁设置有吸光材料或反光材料；
6.根据权利要求3所述的微显示单元，其特征在于，所述第二凹槽包括第二底面，所述发光层以及所述第二半导
7.根据权利要求1-6任一项所述的微显示单元，其特征在于，所述第一半导体层靠近所述发光层的表面设置有第三凹槽，所述第三凹槽位于所述发光层在所述第一半导体层所在位置的边缘，所述第三凹槽的至少部分位置设置有吸光材料或反光材料。
8.根据权利要求7所述的微显示单元，其特征在于，所述第三凹槽呈环状，所述第三凹槽环绕所述发光层在所述第一半导体层上的正投影。
9.根据权利要求7所述的微显示单元，其特征在于，所述第一电极的至少部分设置于所述第三凹槽中。
10.根据权利要求7所述的微显示单元，其特征在于，所述第三凹槽的底面在所述第一半导体层上的正投影与所述第一凹槽的底部存在交叠；
11.根据权利要求1所述的微显示单元，其特征在于，所述第一半导体层为N型半导体层，所述第二半导体层为P型半导体层；或者所述第一半导体层为P型半导体层，所述第二半导体层为N型半导体层。
12.根据权利要求1所述的微显示单元，其特征在于，所述色转换层包括量子点、无机荧光材料、有机材料中的至少一种材料。
13.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-12任一项所述的微显示单元。
...【技术特征摘要】
1.一种微显示单元，其特征在于，包括：依次层叠在第一半导体层上的发光层和第二半导体层，所述第一半导体层与第一电极电连接，所述第二半导体层与第二电极电连接，所述第一半导体层远离所述发光层的一侧设置有色转换层，所述色转换层用于对所述发光层发出的光进行颜色转换；
2.根据权利要求1所述的微显示单元，其特征在于，所述色转换层与所述第一半导体层靠近所述发光层的表面的距离为0.2微米至1微米。
3.根据权利要求1所述的微显示单元，其特征在于，所述第一半导体层远离所述发光层的表面设置有第一凹槽，所述第一凹槽与所述发光层对应，所述色转换层设置于所述第一凹槽中；
4.根据权利要求3所述的微显示单元，其特征在于，所述第一凹槽包括第一底面，所述发光层在所述第一半导体层上的正投影的在所述第一底面内。
5.根据权利要求4所述的微显示单元，其特征在于，所述第一凹槽还包括第一侧壁，所述第一侧壁与所述第一底面连接，所述第一侧壁设置有吸光材料或反光材料；
6.根据权利要求3所述的微显示单元，其特征在于，所述第二凹槽包括第二底面，所述发光层以及所述第二半导体层在所述像素限定层上的正投影的在所述第二底面内；所述第二凹槽还包括第二侧壁，所述第二侧壁与所...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：西湖烟山科技杭州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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