微显示单元及显示设备制造技术

一种微显示单元及显示设备，微显示单元包括通过第一粘接层粘接的第一发光单元和第二发光单元，第一发光单元和第二发光单元分别包括次层叠的第一半导体层、发光层、第二半导体层，第一发光单元的第二半导体层和或第二发光单元的第二半导体层包括依次层叠的氮化镓层和过渡层，本发明专利技术通过第二半导体层改善微显示单元的光电性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体显示领域，具体涉及一种微显示单元及显示设备。

技术介绍

1、微型发光二极管(micro light emitting diode，简称micro led)通常是指在传统led芯片结构基础上，将led芯片尺寸规格缩小到微米尺寸的led器件。通过将红、绿、蓝三色micro led按照一定的规则排列在薄膜晶体管(thin film transistor，简称tft)或互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor，简称cmos)上，则形成了能够实现全彩显示的微型器件。

2、微型发光二极管芯片尺寸小，用于显示具有集成度高、自发光和稳定性高等特点，与液晶显示器(liquid crystal display，lcd)相比，在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有更大的优势，但是在通过堆叠微型发光二极管形成像素单元时，依然面临着诸多困难。

技术实现思路

1、本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种微显示单元及具本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种微显示单元，其特征在于，包括：相向设置的第一发光单元和第二发光单元，所述第一发光单元、第二发光单元中的每一个均包括依次层叠的第一半导体层、发光层、第二半导体层，所述发光层位于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间，所述第一发光单元通过第一层与所述第二发光单元粘接，所述第一发光单元的第二半导体层和或第二发光单元的第二半导体层包括依次层叠的氮化镓层和过渡层，所述氮化镓层位于所述发光层上，所述过渡层位于所述氮化镓层上，所述过渡层上设置导电层，所述第一粘接层位于所述导电层上，所述导电层朝向所述第一粘接层一面为导电层正面，所述导电层朝向所述过渡层一面为导电层背面。>

2.如权利要...

【技术特征摘要】

1.一种微显示单元，其特征在于，包括：相向设置的第一发光单元和第二发光单元，所述第一发光单元、第二发光单元中的每一个均包括依次层叠的第一半导体层、发光层、第二半导体层，所述发光层位于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间，所述第一发光单元通过第一层与所述第二发光单元粘接，所述第一发光单元的第二半导体层和或第二发光单元的第二半导体层包括依次层叠的氮化镓层和过渡层，所述氮化镓层位于所述发光层上，所述过渡层位于所述氮化镓层上，所述过渡层上设置导电层，所述第一粘接层位于所述导电层上，所述导电层朝向所述第一粘接层一面为导电层正面，所述导电层朝向所述过渡层一面为导电层背面。

2.如权利要求1所述的微显示单元，其特征在于，所述过渡层为铟镓氮层。

3.如权利要求2所述的微显示单元，其特征在于，所述铟镓氮层从靠近所述导电层的位置至远离所述导电层的位置铟含量逐渐降低。

4.如权利要求3所述的微显示单元，其特征在于，所述铟镓氮层沿厚度方向距离所述导电层相同距离的不同位置铟含量相同。

5.如权利要求1至4任一所述的微显示单元，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：西湖烟山科技杭州有限公司，
类型：发明
国别省市：