晶圆级封装结构制造技术

本申请的实施例公开了一种晶圆级封装结构，该晶圆级封装结构包括：重布线层；晶圆，晶圆包括朝向重布线层的有源面，有源面具有多个线路区和一无效区，多个线路区通过无效区彼此间隔开，多个线路区之间没有用于电性连接的线路；包封结构，包覆晶圆并且覆盖重布线层；多个抓取结构，设置于重布线层与包封结构的接合处。上述技术方案，通过在包封结构与重布线层的接合处形成抓取结构，至少可以避免在包封结构与重布线层的接合处发生分层问题。在一些实施例中，抓取结构还具有散热功能，帮助提升散热效能。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，更具体地，涉及一种晶圆级封装结构。

技术介绍

1、参考图1所示，重布线层(rdl，redistribution layer)20的介电层24(例如pi，聚酰亚胺)与模塑料(molding compound)30接合时，会因cte(coefficient of thermalexpansion，热膨胀系数)失配而翘曲，此时应力会集中在介电层24与模塑料30的接合面45处。如果介电层24与模塑料30间接合面45的两端距离越大，因dnp(distance from naturalpoint，中性点距离)效应，应力会随着与中心的距离变远而变大，使得在边缘附近的接合面45造成分层(delamination)的机率最大。dnp效应为自然现象，只能靠结构方式解决。对于大尺寸的面板级(panel)产品，例如m-series产品尺寸为600mm×600mm，虽然最远的两端距离达850mm，但完成的成品会经过单片化(singulation)而切断应力累积的路径。现行方法虽然可改善翘曲、提高模塑料30与介电层24之间的接合质量，但面板级产品的翘曲目前只可改善至本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶圆级封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的晶圆级封装结构，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的晶圆级封装结构，其特征在于，

5.根据权利要求2所述的晶圆级封装结构，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构，其特征在于，

8.根据权利要求2所述的晶圆级封装结构，其特征在于，

9.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构，其特征在于，还包括：

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【技术特征摘要】

1.一种晶圆级封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的晶圆级封装结构，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的晶圆级封装结构，其特征在于，

5.根据权利要求2所述的晶圆级封装结构，其特征在于，

6....

【专利技术属性】
技术研发人员：闵繁宇，谢孟伟，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：