一种抑制空穴大注入的DSRD结构及制备方法技术

本发明专利技术涉及一种抑制空穴大注入的DSRD结构及制备方法，所述DSRD结构从下至上包括依次层叠设置的阴极、N+衬底层、N‑漂移区、P‑漂移区、结合区和阳极，其中，所述结合区包括多个P+区和多个N+区，所述多个P+区间隔设置在所述P‑漂移区上，两个相邻的所述P+区之间设置一所述N+区，且相邻的所述P+区和所述N+区相互接触，所述P+区和所述N+区的厚度相等；所述阴极与所述N+衬底层之间为欧姆接触，所述阳极与所述P+区和所述N+区之间为欧姆接触。本发明专利技术可以有效地减少注入到DSRD的N‑漂移区中的空穴，降低N‑漂移区大注入的程度，降低器件的平台区电压，从而降低了该阶段的器件功耗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体工艺，具体涉及一种抑制空穴大注入的dsrd结构及制备方法。

技术介绍

1、漂移阶跃恢复二极管(drift step recovery diodes，简称dsrd)是一种半导体开关二极管，由俄罗斯约飞物理技术研究所提出，一般应用于超宽带(ultra wide band，简称uwb)系统中，在多种脉冲信号源中被作为关键器件使用，可以达到纳秒甚至皮秒级的开关时间，且具有高峰值功率、高脉冲重复频率以及高时间稳定度等特点。

2、由于硅材料的理论极限，硅基dsrd已无法满足多数几千伏甚至是几十千伏的高压脉冲系统的要求。在同等电压等级要求的脉冲系统中，碳化硅基dsrd的串联数量远小于硅基dsrd，极大的节省了系统的体积。同时漂移区厚度的降低和饱和漂移速度的提升能够降低器件的关断时间，使得碳化硅基dsrd可以工作在高频、高速的应用场景中。

3、但是，由于目前碳化硅材料的载流子寿命和迁移率较低和杂质不完全离化效应的影响，使得常规碳化硅基dsrd在脉冲放电的反向泵浦阶段局部偏离电中性，影响载流子抽取速度，从而导致电压脉冲前沿时间长、本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种抑制空穴大注入的DSRD结构，其特征在于，所述DSRD结构从下至上包括依次层叠设置的阴极、N+衬底层、N-漂移区、P-漂移区、结合区和阳极，其中，

2.根据权利要求1所述的抑制空穴大注入的DSRD结构，其特征在于，所述P+区和所述N+区的掺杂浓度相等。

3.根据权利要求2所述的抑制空穴大注入的DSRD结构，其特征在于，所述P+区和所述N+区的掺杂浓度大于所述P-漂移区和所述N-漂移区的掺杂浓度。

4.根据权利要求3所述的抑制空穴大注入的DSRD结构，其特征在于，所述P-漂移区的掺杂浓度大于所述N-漂移区的掺杂浓度。

<p>5.根据权利要求...

【技术特征摘要】

1.一种抑制空穴大注入的dsrd结构，其特征在于，所述dsrd结构从下至上包括依次层叠设置的阴极、n+衬底层、n-漂移区、p-漂移区、结合区和阳极，其中，

2.根据权利要求1所述的抑制空穴大注入的dsrd结构，其特征在于，所述p+区和所述n+区的掺杂浓度相等。

3.根据权利要求2所述的抑制空穴大注入的dsrd结构，其特征在于，所述p+区和所述n+区的掺杂浓度大于所述p-漂移区和所述n-漂移区的掺杂浓度。

4.根据权利要求3所述的抑制空穴大注入的dsrd结构，其特征在于，所述p-漂移区的掺杂浓度大于所述n-漂移区的掺杂浓度。

5.根据权利要求4所述的抑制空穴大注入的dsrd结构，其特征在于，所述p+区和所述n+区的掺杂浓度大于所述n+衬底层的掺杂浓度，所述n+衬底层的掺杂浓度大于所述p-漂移区的掺杂浓度。

6.根据权利要求5所述的抑制空穴大注入的dsrd...

【专利技术属性】
技术研发人员：周瑜，王晨光，宋庆文，汤晓燕，袁昊，杜丰羽，张玉明，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：