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本发明涉及一种抑制空穴大注入的DSRD结构及制备方法，所述DSRD结构从下至上包括依次层叠设置的阴极、N+衬底层、N‑漂移区、P‑漂移区、结合区和阳极，其中，所述结合区包括多个P+区和多个N+区，所述多个P+区间隔设置在所述P‑漂移区上，两...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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