【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件的加工技术，尤其涉及一种tialc薄膜的制备方法、一种tialc薄膜的制备装置，以及一种nmos器件。
技术介绍
1、在半导体薄膜沉积
，物理气相沉积(physical vapor deposition，pvd)技术被广泛应用于钛铝基金属的薄膜沉积。然而，随着半导体器件尺寸越来越小，pvd技术由于本身固有的特性而无法适用于对22nm的鳍式场效应晶体管(finfet)等nmos器件结构进行薄膜沉积。因此，本领域通常使用原子层沉积(atomic layer deposition，ald)技术，以ticl4和tea为前驱体对22nm的finfet器件结构进行薄膜沉积。然而，由于ald技术通常涉及较高的工艺温度，容易导致tea的严重分解，从而增加了产品tialc薄膜中的碳(c)含量，并导致了nmos器件的功函数增加。
2、为了克服现有技术存在的上述缺陷，本领域亟需一种改进的tialc薄膜制备工艺，用于去除tialc薄膜中多余的c元素，以降低薄膜的功函数，从而有效提高tialc薄膜的性能。
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【技术保护点】
1.一种TiAlC薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述含Ti前驱体包括TiCl4，所述含Al前驱体包括TEA，所述向待生成TiAlC薄膜的目标样本提供含Ti前驱体及含Al前驱体，并对其提供高温，以在所述目标样本表面生成含有TiAlC的中间薄膜的步骤包括：
3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在向所述目标样本的表面提供第一剂量的TiCl4之后，以及向吸附了所述TiCl4的目标样本的表面提供第二剂量的TEA之前，所述制备方法还包括以下步骤：
4.如权利要求2所述的制备方法，...
【技术特征摘要】
1.一种tialc薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述含ti前驱体包括ticl4，所述含al前驱体包括tea，所述向待生成tialc薄膜的目标样本提供含ti前驱体及含al前驱体，并对其提供高温，以在所述目标样本表面生成含有tialc的中间薄膜的步骤包括：
3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在向所述目标样本的表面提供第一剂量的ticl4之后，以及向吸附了所述ticl4的目标样本的表面提供第二剂量的tea之前，所述制备方法还包括以下步骤：
4.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述在高温下，向所述含有tialc的中间薄膜提供h2，从所述中间薄膜中还原释放出多余的c元素，以降低所述中间薄膜的功函数，并在所述目标样本表面获得低功函数的tialc薄膜的步骤包括：
5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述第一剂量为4...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙萌萌，冯嘉恒，赵郁晗，谭浩，韦德，
申请(专利权)人：拓荆科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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