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本发明提供了一种TiAlC薄膜的制备方法、一种TiAlC薄膜的制备装置，以及一种NMOS器件。所述TiAlC薄膜的制备方法包括以下步骤：向待生成TiAlC薄膜的目标样本提供含Ti前驱体及含Al前驱体，并对其提供高温，以在所述目标样本表面生成...
该专利属于拓荆科技(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过拓荆科技(上海)有限公司授权不得商用。

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