【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及多晶硅还原炉，尤其涉及一种避免多晶硅还原炉出现异常的进料方法。
技术介绍
1、在多晶硅的生产过程中，经常会出现一些温度和电流波动的问题，这些问题的引起因素有很多，这些因素极大地影响了多晶硅地生产和还原过程，还原炉是多晶硅生产的核心设备之一，经过提纯的三氯氢硅和高纯氢缓和后，通入温度为1150℃的还原炉内进行反应，生成的高纯多晶硅沉淀在多晶硅载体上可以得到多晶硅棒，在制备多晶硅的过程中，氢气与三氯氢硅会通过静态混合器再进入还原炉。
2、在现有的多晶硅还原过程中，一般使用改良西门子生产高纯多晶硅，其原理是在温度为1100℃左右的高纯硅芯上用利用高纯氢还原高纯三氯氢硅，生成多晶硅沉积在硅芯上。具体制备时会按照事先设置好的温度曲线去调节多晶硅棒上不同时刻的电流值，或者采用pid调节方式对多晶硅棒进行逐步加热；但是上述方法存在一定的缺陷，无法对由于各种不确定因素引起的温度和电路波动进行控制，也就无法保证整个还原反应正常稳定的进行，进料时还原炉内硅芯容易出现雾化长毛刺的情况，甚至可能会中途停炉，最后的产量和质量也是不令人满意的。
3、出现上述情况的异常还原炉会影响产品质量所以要停炉，而单次还原炉的成本较高，避免出现异常还原炉，在节约成本的同时，还能节约停炉时间并提高产品的质量和产量。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种避免多晶硅还原炉出现异常的进料方法，用以解决现有技术中多晶硅还原炉容易出现异常导致产量和质量较差的问题，达到了避免多晶硅还原炉出现异常，保
2、本专利技术提供一种避免还原炉出现异常的进料方法，包括以下步骤：
3、s1、分别加热氢气和三氯氢硅，得到加热后的氢气和加热后的三氯氢硅；
4、s2、将s1中得到的加热后的氢气和加热后的三氯氢硅同步通入静态混合器，得到混合进料气体；
5、s3、保持s2中得到的混合进料气体的温度＞100℃；
6、s4、将所述混合进料气体通入还原炉，并在还原炉中反应得到多晶硅产物。
7、根据本专利技术提供的避免多晶硅还原炉出现异常的进料方法，s2中所述三氯氢硅通过的三氯氢硅进气管通入所述静态混合器，所述三氯氢硅进气管的进气端设置有管道阀门，调节所述管道阀门开度为1％。
8、根据本专利技术提供的避免多晶硅还原炉出现异常的进料方法，s1中所述氢气和三氯氢硅通入蒸发器中进行加热。
9、根据本专利技术提供的避免多晶硅还原炉出现异常的进料方法，s2中所述氢气和三氯氢硅提料的摩尔比为(2.5～3)：1。
10、根据本专利技术提供的避免多晶硅还原炉出现异常的进料方法，s2中所述静态混合器的出气端设置有温度计，所述静态混合器出气端与所述还原炉进气端联通。
11、根据本专利技术提供的避免多晶硅还原炉出现异常的进料方法，s4中所述还原炉进行反应时，所述混合进料气体的检测温度始终保持＞100℃。
12、根据本专利技术提供的避免多晶硅还原炉出现异常的进料方法，s4中所述还原炉内设置有高纯硅芯，所述还原炉内温度保持为1080～1150℃。
13、根据本专利技术提供的避免多晶硅还原炉出现异常的进料方法，s4中所述还原炉反应还生成尾气，所述尾气通入尾气处理装置。
14、本专利技术的有益效果：
15、本专利技术通过在静态混合器的出口端设置温度计检测混合进料气体的温度＞100℃时，保证混合进料气体中三氯氢硅全部以气体形式进入还原炉中，避免还原炉内雾化硅芯长毛刺影响多晶硅产物的质量；
16、本专利技术三氯氢硅进气管的进气端设置有管道阀门，调节所述管道阀门开度为1％，放置三氯氢硅进气管内液体进入还原炉导致多晶硅产物雾化长毛刺以及还原炉底盘起火，提高多晶硅产物质量和产量的同时还保护还原炉，避免还原炉出现异常，节约停炉时间，降低生产成本。
17、本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种避免多晶硅还原炉出现异常的进料方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的避免多晶硅还原炉出现异常的进料方法，其特征在于，S2中所述三氯氢硅通过的三氯氢硅进气管通入所述静态混合器，所述三氯氢硅进气管的进气端设置有管道阀门，调节所述管道阀门开度为1％。
3.根据权利要求1所述的避免多晶硅还原炉出现异常的进料方法，其特征在于，S1中所述氢气和三氯氢硅通入蒸发器中进行加热。
4.根据权利要求1所述的避免多晶硅还原炉出现异常的进料方法，其特征在于，S2中所述氢气和三氯氢硅提料的摩尔比为(2.5～3)：1。
5.根据权利要求1所述的避免多晶硅还原炉出现异常的进料方法，其特征在于，S2中所述静态混合器的出气端设置有温度计，所述静态混合器出气端与所述还原炉进气端联通。
6.根据权利要求1所述的避免多晶硅还原炉出现异常的进料方法，其特征在于，S4中所述还原炉进行反应时，所述混合进料气体的检测温度始终保持＞100℃。
7.根据权利要求1所述的避免多晶硅还原炉出现异常的进料方法，其特征在于，S4中所述还原炉
8.根据权利要求1所述的避免多晶硅还原炉出现异常的进料方法，其特征在于，S4中所述还原炉反应还生成尾气，所述尾气通入尾气处理装置。
...【技术特征摘要】
1.一种避免多晶硅还原炉出现异常的进料方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的避免多晶硅还原炉出现异常的进料方法，其特征在于，s2中所述三氯氢硅通过的三氯氢硅进气管通入所述静态混合器，所述三氯氢硅进气管的进气端设置有管道阀门，调节所述管道阀门开度为1％。
3.根据权利要求1所述的避免多晶硅还原炉出现异常的进料方法，其特征在于，s1中所述氢气和三氯氢硅通入蒸发器中进行加热。
4.根据权利要求1所述的避免多晶硅还原炉出现异常的进料方法，其特征在于，s2中所述氢气和三氯氢硅提料的摩尔比为(2.5～3)：1。
5.根据权利要求1所述的避...
【专利技术属性】
技术研发人员：石亮成，杨强强，
申请(专利权)人：青海丽豪半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。