【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及多晶硅精馏，尤其涉及一种多晶硅冷氢化产物去除杂质的精馏系统及应用方法。
技术介绍
1、冷氢化工艺由三个工序构成，即三氯氢硅合成工序、合成干法尾气回收的冷凝工序和合成精馏工序，冷氢化技术是多晶硅工业中一种生产技术，主要方法是把多晶硅生产过程中的副产物四氯化硅转化为三氯氢硅。
2、在化工领域脱轻精馏塔通过利用混合物中各组分具有不同的挥发度，即在同一温度下各组分的蒸汽压不同这一性质，使液相中沸点低的轻组分物质转移至气相中，而气相中沸点高的重组分物质转移到液相从而实现分离的目的，脱轻精馏塔是通过混合物各组分理化性质的差异将轻组分分离出来，得到较为纯净的重质精馏产物，多晶硅的脱轻精馏塔主要处理冷氢化的三氯氢硅粗产物，三氯氢硅粗产物包括三氯氢硅、四氯化硅、二氯二氢硅和p、b等非金属杂质。
3、多晶硅的纯度会直接影响其应用产品的性能，多晶硅生产中的主要杂质有fe、ni、cu、zn、al、ga、bp、cr和c等，其中b和p杂质是生产中很难去除的两种杂质，这两种杂质残留在多晶硅种会作为复合中心降低少数载流子寿命，进而影响产品性能，多晶硅精馏可以使三氯氢硅中杂质的含量下降，但是很难去除b和p等杂质。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种多晶硅冷氢化产物去除杂质的精馏系统及应用方法，用以解决现有技术中多晶硅精馏产物三氯氢硅中非金属杂质b和非金属杂质p较难去除，三氯氢硅纯度较差的问题，达到了便于去除多晶硅精馏产物三氯氢硅中非金属杂质b和非金属杂质p，得到纯度更高三氯氢
2、本专利技术提供一种多晶硅冷氢化产物去除杂质的精馏系统，包括：
3、第一精馏塔，
4、除杂器，与所述第一精馏塔的塔顶连通，所述去除器内部填充有铝凝胶，用于吸附杂质b和p；
5、第二精馏塔，与所述除杂器连通，所述第二精馏塔为隔板塔，所述隔板塔包括塔顶、塔中和塔釜，所述第二精馏塔的塔中与所述第一精馏塔的塔顶通过导管连通；
6、脱碳塔，与所述第二精馏塔的塔釜连通，用于脱碳；
7、第三精馏塔，与所述第二精馏塔的塔中连通；
8、第四精馏塔，与所述第三精馏塔的塔釜连通；
9、第五精馏塔，与所述第四精馏塔的塔顶连通。
10、根据本专利技术提供的多晶硅冷氢化产物去除杂质的精馏系统，所述第一精馏塔、第二精馏塔、第三精馏塔、第四精馏塔和第五精馏塔的塔顶和塔釜设置有再沸器。
11、根据本专利技术提供的多晶硅冷氢化产物去除杂质的精馏系统，所述第二精馏塔塔釜和所述脱碳塔之间设置有第一冷却器。
12、本专利技术还提供一种上述多晶硅冷氢化产物去除杂质的精馏系统的应用方法，包括以下步骤：
13、s1、在除杂器内添加铝凝胶；
14、s2、将多晶硅产物通入第一精馏塔，得到第一塔顶产物和第一塔釜产物；
15、s3、将s2中得到的第一塔顶产物通入除杂器得到粗提纯后的精馏产物；
16、s4、将s3中得到的粗提纯后的精馏产物通入第二精馏塔，分别得到第二塔顶产物、第二塔中产物和第二塔釜产物；
17、s5、将s4中得到的第二塔中产物通入第三精馏塔进行脱重，得到的第三塔顶产物通入第四精馏塔进行脱轻；得到的第四塔釜产物通入第五精馏塔进行脱重，得到纯度极高的三氯氢硅。
18、根据本专利技术提供的应用方法，s2中所述多晶硅产物为多晶硅冷氢化产物，包括三氯氢硅、四氯化硅、二氯二氢硅和b、p等杂质。
19、根据本专利技术提供的应用方法，s4中所述第二塔顶产物为轻组分，主要成分为二氯二氢硅。
20、根据本专利技术提供的应用方法，s4中所述第二塔中产物为侧采所述第二精馏塔的产物，主要成分为三氯氢硅。
21、根据本专利技术提供的应用方法，s4中所述第二塔釜产物主要成分为三氯氢硅、四氯化硅、甲基二氯和甲基三氯等。
22、本专利技术的有益效果：
23、本专利技术多晶硅冷氢化产物的精馏系统在第一精馏塔和第二精馏塔之间设置一个除杂器，在除杂器内设置铝凝胶，可以吸附产物中的杂质b和p，其中b的去除率达到98％及以上，p的去除率达到70％及以上，有效提高了杂质b和p的去除率；
24、本专利技术还将第二精馏塔设置为隔板塔，不仅脱重去除重杂质还可以脱轻去除二氯二氢硅，通过侧采得到三氯氢硅，大大提高了多晶硅冷氢化最终精馏产物中三氯氢硅的纯度；本专利技术提供一种多晶硅冷氢化产物去除杂质的精馏系统及应用方法，用以解决现有技术中多晶硅精馏产物三氯氢硅中非金属杂质b和非金属杂质p较难去除，三氯氢硅纯度较差的问题，达到了便于去除多晶硅精馏产物三氯氢硅中非金属杂质b和非金属杂质p，得到纯度更高三氯氢硅的目的。
25、本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
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1.一种多晶硅冷氢化产物去除杂质的精馏系统，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的多晶硅冷氢化产物去除杂质的精馏系统，其特征在于，所述第一精馏塔(1)、第二精馏塔(3)、第三精馏塔(8)、第四精馏塔(9)和第五精馏塔(10)的塔顶和塔釜设置有再沸器。
3.根据权利要求1所述的多晶硅冷氢化产物去除杂质的精馏系统，其特征在于，所述第二精馏塔(3)塔釜和所述脱碳塔(4)之间设置有第一冷却器(6)。
4.一种如权利要求1-3所述多晶硅冷氢化产物去除杂质的精馏系统的应用方法，其特征在于，包括以下步骤：
5.根据权利要求4所述的应用方法，其特征在于，S2中所述多晶硅产物为多晶硅冷氢化产物，包括三氯氢硅、四氯化硅、二氯二氢硅和B、P等杂质。
6.根据权利要求4所述的应用方法，其特征在于，S4中所述第二塔顶产物为轻组分，主要成分为二氯二氢硅。
7.根据权利要求4所述的应用方法，其特征在于，S4中所述第二塔中产物为侧采所述第二精馏塔(3)的产物，主要成分为三氯氢硅。
8.根据权利要求4所述的应用方法，其特征在
...【技术特征摘要】
1.一种多晶硅冷氢化产物去除杂质的精馏系统，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的多晶硅冷氢化产物去除杂质的精馏系统，其特征在于，所述第一精馏塔(1)、第二精馏塔(3)、第三精馏塔(8)、第四精馏塔(9)和第五精馏塔(10)的塔顶和塔釜设置有再沸器。
3.根据权利要求1所述的多晶硅冷氢化产物去除杂质的精馏系统，其特征在于，所述第二精馏塔(3)塔釜和所述脱碳塔(4)之间设置有第一冷却器(6)。
4.一种如权利要求1-3所述多晶硅冷氢化产物去除杂质的精馏系统的应用方法，其特征在于，包括以下步骤...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨强强，段开勇，罗聪，
申请(专利权)人：青海丽豪半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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