【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于直拉单晶，尤其是涉及一种提高单晶硅拉速的方法。
技术介绍
1、直拉单晶(cz)法的热场是由石墨件系统、单晶炉冷却系统、氩气系统组成的一套复杂的单晶生长系统。正常情况下直拉单晶法的冷却工艺是在通入冷却气体(一般为氩气)的环境下进行的，由于整个系统处于开启状态，通入的氩气在炉体内停留时间较短，最终带走的热量为全部热量的80％ --85％，冷却效果一般且冷却气体成本大。
2、单晶的生长速度取决于固液界面温度梯度，温度梯度越大，生长速度越快，但温度梯度过大，也会导致晶体生长过程出现位错等问题。现阶段直拉单晶领域，降低成本成为首要任务，尤其在光伏行业尤为突出，在拉晶过程中由于加热器持续加热，电耗较高，如何通过加快拉晶的速度，减少等径时间成重要因素，有效的提高直拉单晶拉速的方法为降低固液界面温度。
技术实现思路
1、本专利技术要解决的问题是提供一种提高单晶硅拉速的方法，有效的解决现有技术中导流筒与水冷内导装配固定，水冷内导与固液界面距离固定，运行中对单晶生长环境温度梯度也较为稳定，不利于单晶硅拉速提升。
2、为解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案是：一种提高单晶硅拉速的方法，包括熔料、稳温、引晶、扩肩、转肩以及等径过程，其特征在于：
3、在开炉前，在水冷内导与导流筒变径环之间预留一定距离，
4、在熔料、稳温、引晶、扩肩以及转肩的过程中，保持所述水冷内导与所述导流筒变径环之间的距离不变；
5、进入等径步骤中，降低或保
6、较佳的，预留所述水冷内导与所述导流筒变径环之间距离的过程中，先将所述水冷内导底部下降至与所述导流筒变径环顶部接触的位置处，并设定此处为零位，随后再将所述水冷内导从零位提升至距所述导流筒变径环一定距离处。
7、较佳的，所述水冷内导与所述导流筒变径环之间的距离为x，其中，
8、0mm＜x≤40mm。
9、较佳的，进入等径过程中，所述水冷内导开始下降，直至所述水冷内导的底部接触所述导流筒变径环顶部位置处，停止下降。
10、较佳的，所述水冷内导的下降速度为y，其中，
11、0mm/s＜y≤2mm/s。
12、较佳的，进入等径过程中，根据单晶硅的拉速控制所述水冷内导下降或者保持不变；
13、当实际拉速大于或等于设定拉速时，所述水冷内导位置在一段时间内不变，待此段时间过后，继续检测此时的实际拉速，若此时的实际拉速大于或等于设定拉速，则所述水冷内导位置继续在一段时间内保持不变；若此时的实际拉速小于设定拉速，则所述水冷内导开始下降，下降一定距离并保持一段时间后再次检测实际拉速，并重复上述操作，直至所述水冷内导下降至与所述导流筒变径环顶部接触的位置处或等径过程结束。
14、较佳的，进入等径过程中，根据单晶硅的拉速控制所述水冷内导下降或者保持不变；
15、当实际拉速小于设定拉速时，所述水冷内导开始下降，下降一定距离并保持一段时间后再次检测实际拉速，若此时的实际拉速大于或等于设定拉速，则所述水冷内导位置在一段时间内保持不变；若此时的实际拉速小于设定拉速，则所述水冷内导继续下降，下降一定距离并保持一段时间后再次检测实际拉速，并重复上述操作，直至所述水冷内导下降至与所述导流筒变径环顶部接触的位置处或等径过程结束。
16、较佳的，所述设定拉速的范围为100-105mm/hr。
17、较佳的，当实际拉速小于设定拉速时，所述水冷内导下降的距离为所述水冷内导与所述导流筒变径环之间距离的1/8-1/2；所述水冷内导下降或保持位置不变的一段时间范围为30min-60min。
18、较佳的，所述水冷内导的下降速度为g，其中，
19、0mm/s＜g≤2mm/s。
20、采用上述技术方案，通过移动水冷内导，降低水冷内导与固液界面之间的距离，水冷内导靠近固液界面能够更快的降低固液界面的温度，从而提升单晶的拉速，达到提高单晶硅产量的目的。
21、采用上述技术方案，降低水冷内导可以选择一步下降或者分步下降，一步下降能够减少工作人员的工作步骤，只需将水冷内导在规定速率范围内下降至零位即可；分步下降需要在每一次下降后继续检测此时的实际拉速，根据实际拉速进行多次判断，能够更高质量的拉制单晶硅，使单晶硅的实际拉速始终保持在设定拉速范围内。
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1.一种提高单晶硅拉速的方法，包括熔料、稳温、引晶、扩肩、转肩以及等径过程，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的一种提高单晶硅拉速的方法，其特征在于：预留所述水冷内导与所述导流筒变径环之间距离的过程中，先将所述水冷内导底部下降至与所述导流筒变径环顶部接触的位置处，并设定此处为零位，随后再将所述水冷内导从零位提升至距所述导流筒变径环一定距离处。
3.根据权利要求2所述的一种提高单晶硅拉速的方法，其特征在于：所述水冷内导与所述导流筒变径环之间的距离为X，其中，
4.根据权利要求1-3任一所述的一种提高单晶硅拉速的方法，其特征在于：进入等径过程中，所述水冷内导开始下降，直至所述水冷内导的底部接触所述导流筒变径环顶部位置处，停止下降。
5.根据权利要求4所述的一种提高单晶硅拉速的方法，其特征在于：所述水冷内导的下降速度为Y，其中，
6.根据权利要求1-3任一所述的一种提高单晶硅拉速的方法，其特征在于：进入等径过程中，根据单晶硅的拉速控制所述水冷内导下降或者保持不变；
7.根据权利要求1-3任一所述的一种提高单晶硅拉
8.根据权利要求6或7所述的一种提高单晶硅拉速的方法，其特征在于：所述设定拉速的范围为100-105mm/hr。
9.根据权利要求6或7所述的一种提高单晶硅拉速的方法，其特征在于：当实际拉速小于设定拉速时，所述水冷内导下降的距离为所述水冷内导与所述导流筒变径环之间距离的1/8-1/2；所述水冷内导下降或保持位置不变的一段时间范围为30min-60min。
10.根据权利要求6或7所述的一种提高单晶硅拉速的方法，其特征在于：所述水冷内导的下降速度为G，其中，
...【技术特征摘要】
1.一种提高单晶硅拉速的方法，包括熔料、稳温、引晶、扩肩、转肩以及等径过程，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的一种提高单晶硅拉速的方法，其特征在于：预留所述水冷内导与所述导流筒变径环之间距离的过程中，先将所述水冷内导底部下降至与所述导流筒变径环顶部接触的位置处，并设定此处为零位，随后再将所述水冷内导从零位提升至距所述导流筒变径环一定距离处。
3.根据权利要求2所述的一种提高单晶硅拉速的方法，其特征在于：所述水冷内导与所述导流筒变径环之间的距离为x，其中，
4.根据权利要求1-3任一所述的一种提高单晶硅拉速的方法，其特征在于：进入等径过程中，所述水冷内导开始下降，直至所述水冷内导的底部接触所述导流筒变径环顶部位置处，停止下降。
5.根据权利要求4所述的一种提高单晶硅拉速的方法，其特征在于：所述水冷内导的下降速度为y，其中，
...【专利技术属性】
技术研发人员：巩名扬，张文霞，郭谦，王胜利，康学兵，周彦杰，韩鹏，乔金良，王林，沈浩平，
申请(专利权)人：内蒙古中环晶体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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