【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及铁类合金箔及其制造方法、使用所述铁类合金箔的部件。例如，能够适用于金属掩模、硬盘驱动器悬架等的电子器件用部件或用于电子器件的制造的部件。
技术介绍
1、伴随电子机器的小型化及高密度安装化，要求构成所述电子机器的各电子部件的精简化或轻量化。
2、多数情况下，伴随电子部件的精简化需要高精度化。例如，光蚀刻是在电子部件的高精度加工中使用较多的技术，作为利用其的电子部件的高精度化的例子，可以举出基于金属掩模的掩模孔的细微化的oled(有机发光二极管)的高像素密度化或硬盘驱动器(hdd)用的悬架的细微化等。其中所使用的金属掩模是在薄的金属板的表面形成通过光刻法的图案后，通过蚀刻溶解板所制造的。
3、金属掩模的掩模孔需要对于所制造的oled像素的rgb以1：1对应，因此掩模孔间的间距至少与oled的像素密度相同程度，掩模孔的孔径也与之相应地细微化。
4、通常，金属掩模的掩模孔为圆锥梯形(剖面为锥形状)。为了使之成为这样，以作为掩模的金属板的一个表面侧成为小口径、另一表面侧成为大口径的方式通过干膜进行遮蔽，通过从各个表面半蚀刻至板厚的一半程度进行制造。
5、在金属掩模制造用的金属板中，若存在对于蚀刻液难溶性的夹杂物，则有时会产生蚀刻不良。例如，若在形成有掩模孔的部分，存在具有金属板的板厚一半以上的尺寸的夹杂物，则在从一侧进行半蚀刻时，夹杂物周围的金属部分溶解。
6、并且，在对侧表面配置有干膜的部分也会溶解，对侧的干膜会剥离。并且，在从对侧对金属板半蚀刻时，干膜剥离的部分
7、虽仅为一个示例，但这种夹杂物导致的蚀刻不良在所制造的oled的像素密度越大时越显著。原因在于，如前所述，金属掩模是通过对具有与所制造的oled的像素密度对应的间距相同程度的板厚的金属板蚀刻而形成的。因此，在像素密度为800～1000ppi的oled的情况下，则有必要将金属掩模的板厚从当前的20.00～30.00μm减薄至12.00～15.00μm。因此，需要将夹杂物的尺寸限制在小于10.00μm。
8、夹杂物主要是氧化铝(al2o3)或镁－铝尖晶石(mgo·al2o3)等的硬质类夹杂物、或二氧化硅(sio2)、cao等的软质类夹杂物。硬质类夹杂物容易界面能量较高地凝聚，并且凝聚后的尺寸容易变大。进一步，硬质类夹杂物在热轧或冷轧中难以细微化，其结果，作为尺寸较大的夹杂物颗粒残留。因此，为了改善伴随高精度加工化的蚀刻不良，金属板所包含的夹杂物的尺寸细微化的同时颗粒数量减少也重要。
9、为了制造这样的金属掩模，专利文献1、2中提出了使用因瓦合金的方案。
10、专利文献1公开了对fe－ni系合金依次进行真空熔解、锻造、热轧、冷轧、中间退火的、板厚100.00μm左右的oled用金属掩模的制造方法。
11、专利文献2公开了如下内容：为了降低熔融金属的氧浓度，通过真空感应熔解等提高熔融金属的清洁度后铸造钢锭，从而防止金属掩模材料的蚀刻不良。
12、但是，连续铸造及真空熔解包括将熔解的合金(下面，称为“熔融金属”。)从中间包或熔炼炉流入一定形状的容器中，通过冷却所述容器制造钢片的工序。通过连续铸造及真空熔炼制造的钢片到达完全凝固花费时间。因此，通过连续铸造及真空熔炼制造的钢片在其中心熔解的状态下，从其外侧开始凝固，因此夹杂物容易偏析凝固在钢片内部。
13、并且，连续铸造时，即使除去中间包内的熔解炉渣，熔融金属内残留的氧化铝及尖晶石由于界面能量高，在熔融金属冷却中簇化，容易成为粗大的夹杂物。
14、专利文献3、4公开了蚀刻加工用fe－ni合金板的制造方法，其推定fe－ni合金板坯中的最大非金属夹杂物的大小，能够明确最终得到的轧制片材、线圈等为什么样的品质经历。但是，在专利文献3、4中，fe－ni合金的钢锭通过普通铸锭法铸造，或者通过连续铸造而制造。因此，通过专利文献3、4所公开的制造方法制造的钢片到完全凝固花费时间，因此在钢片内部，夹杂物容易偏析凝固。
15、专利文献5公开了通过真空感应熔炼炉，制作fe－31％ni－5％co超因瓦合金的钢锭，其后加热至1100℃，进行固溶化处理，施以锻造和热轧，制成板材，以800～900℃进行氮化铌的析出处理后，重复冷轧和退火，制作厚度0.1mm的冷轧件。然而，在通过真空感应熔炼炉制作钢锭的工序和其后的固溶化处理的工序中，如前所述到凝固为止花费时间，因此在钢片内部，夹杂物容易偏析并凝固。
16、专利文献6公开了适用于hdd(硬盘驱动器)的部件或薄膜硅太阳能电池基板等的精密器械部件的不锈钢板。分布在不锈钢板的表面的微小的凹坑的存在对不锈钢板的清洁性大幅影响。且公开了这些微小的凹坑是夹杂物或碳化颗粒的轧制工序中的脱落痕迹导致的。进一步，专利文献6还记载了mgo－al2o3系夹杂物在冷轧工序中的变形能小，因此在金属/夹杂物界面容易产生空位或空隙，容易成为微小凹坑或断裂的起点。对此，还公开了生成以mn(o，s)－sio2为主要成分的非金属夹杂物，同时将mgo、al2o3调整到规定的浓度以下，从而使非金属夹杂物无害化。
17、专利文献7中，公开了在蒸镀掩模用fe－ni系合金板中，使每1mm31μm以上的粒子数为3000个以下、3μm以上的粒子数为50个以下，并且相对于1μm以上的粒子的全部个数，1～3μm的粒子的个数比率为70％以上的金属板。但是，专利文献7所公开的金属板的制造方法是以在制造钢锭时的凝固中，夹杂物浮起为前提，由于并没有考虑在通常的凝固过程中产生的偏析(尤其是向钢锭中心部的偏析)，因此不能适用于实际的金属板制造。因此，实质上，专利文献7中仅公开了“选择粗大夹杂物较少的金属板用于蒸镀掩模用金属板”这样的对本领域技术人员理所当然的选择基准。
18、现有技术文献
19、专利文献
20、专利文献1：特开2004－183023号公报
21、专利文献2：特开2017－88915号公报
22、专利文献3：特开2005－256049号公报
23、专利文献4：特开2005－274401号公报
24、专利文献5：特开2001－262278号公报
25、专利文献6：特开2011－202253号公报
26、专利文献7：特许第6788852号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的技术问题
2、如前所述，夹杂物引起的蚀刻不良在电子部件越是高精度化，或者越是精简越显著。例如，制造的oled的像素密度越大，使hdd用的悬架越小型化越显著。
3、本专利技术的专利技术人针对夹杂物的尺寸与金属掩模材料的蚀刻不良之间的关系进行了深入研究。其结果发现了，在金属掩模材料的板厚为10.00μm左右超薄时，若减少大于5.00μm的夹杂物，金属掩模材料的蚀刻不良减少。
4、此外，还发现了本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种铁类合金箔，其特征在于，具有如下的组成：
2.根据权利要求1所述的铁类合金箔，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的铁类合金箔，其特征在于，
4.根据权利要求1～3的任一项所述的铁类合金箔，其特征在于，
5.根据权利要求1～4的任一项所述的铁类合金箔，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的铁类合金箔，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的铁类合金箔，其特征在于，
8.一种金属掩模材料，
9.一种金属掩模，
10.一种部件，
11.一种硬盘驱动器悬架，
12.一种电子设备密封部件，
13.一种铁类合金箔的制造方法，其特征在于，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种铁类合金箔，其特征在于，具有如下的组成：
2.根据权利要求1所述的铁类合金箔，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的铁类合金箔，其特征在于，
4.根据权利要求1～3的任一项所述的铁类合金箔，其特征在于，
5.根据权利要求1～4的任一项所述的铁类合金箔，其特征在于，
6.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：海野裕人，矢代笃士，大原浩明，泽田彩日，藤本直树，佐脇直哉，
申请(专利权)人：日铁化学材料株式会社，
类型：发明
国别省市：
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