镀膜装置及太阳电池生产系统制造方法及图纸

技术编号:39950207 阅读:24 留言:0更新日期:2024-01-08 23:14
本技术提供了一种镀膜装置。本技术的镀膜装置包括第一工艺腔室、翻转机构以及第二工艺腔室。其中,所述第一工艺腔室用于在待镀膜件的其中一表面上沉积第一铜种子层,所述翻转机构用于对沉积所述第一铜种子层后的所述待镀膜件进行翻转处理,所述第二工艺腔室和所述第一工艺腔室连通,所述第二工艺腔室用于在翻转后的所述待镀膜件的另一表面上沉积第二铜种子层,所述翻转机构设置于所述第一工艺腔室和所述第二工艺腔室之间。本技术提供的所述镀膜装置具有较好的散热效果。本技术还提供了一种包括所述镀膜装置的太阳电池生产系统。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及太阳电池生产系统,特别是涉及一种镀膜装置及太阳电池生产系统


技术介绍

1、在太阳电池制备时,通常采用物理气相沉积(pvd)工艺在待镀膜件上沉积铜种子层以制备电极。其中,现有的镀膜装置是采用磁控溅射的方法在同一腔室内在待镀膜件的正面和背面上沉积铜种子层。然而,在沉积铜种子层时会产生较多的热量,如果产生的热量无法及时散发会损害非晶硅薄膜,降低后续制备的太阳电池的质量。为此,需要频繁的停机以使沉积铜种子层时产生的热量能够及时散发,但这降低了生产效率。


技术实现思路

1、基于此,有必要提供一种能够提高散热效果的镀膜装置。

2、另,还有必要提供一种太阳电池生产系统。

3、本技术至少一实施例提供一种镀膜装置,包括:

4、第一工艺腔室,所述第一工艺腔室用于在待镀膜件的其中一表面上沉积第一铜种子层;

5、翻转机构,所述翻转机构用于对沉积所述第一铜种子层后的所述待镀膜件进行翻转处理;以及

6、第二工艺腔室,所述第二工艺腔室和所述第一工艺腔室连通,所述第二工本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种镀膜装置(100),其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的镀膜装置(100),其特征在于,所述镀膜装置(100)还包括第一真空腔室(40),所述第一真空腔室(40)设置于所述第一工艺腔室(10)远离所述第二工艺腔室(30)的一侧,所述第一真空腔室(40)和所述第一工艺腔室(10)连通。

3.如权利要求2所述的镀膜装置(100),其特征在于,所述镀膜装置(100)还包括第一连接腔室(41),所述第一连接腔室(41)设置于所述第一真空腔室(40)和所述第一工艺腔室(10)之间,所述第一连接腔室(41)和所述第一工艺腔室(10)连通。p>

4.如权利...

【技术特征摘要】

1.一种镀膜装置(100),其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的镀膜装置(100),其特征在于,所述镀膜装置(100)还包括第一真空腔室(40),所述第一真空腔室(40)设置于所述第一工艺腔室(10)远离所述第二工艺腔室(30)的一侧,所述第一真空腔室(40)和所述第一工艺腔室(10)连通。

3.如权利要求2所述的镀膜装置(100),其特征在于,所述镀膜装置(100)还包括第一连接腔室(41),所述第一连接腔室(41)设置于所述第一真空腔室(40)和所述第一工艺腔室(10)之间,所述第一连接腔室(41)和所述第一工艺腔室(10)连通。

4.如权利要求3所述的镀膜装置(100),其特征在于,所述镀膜装置(100)还包括第一缓存腔室(42),所述第一缓存腔室(42)设置于所述第一真空腔室(40)和所述第一连接腔室(41)之间,所述第一缓存腔室(42)和所述第一工艺腔室(10)连通。

5.如权利要求1所述的镀膜装置(100),其特征在于,所述镀膜装置(100)还包括第一破空腔室(50),所述第一破空腔室(50)设置于所述第一工艺腔室(10)和所述翻转机构(20)之间,所述第一破空腔室(50)和所述第一工艺腔室(10)连通。

6.如权利要求5所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员:王陈龙倩
申请(专利权)人:通威太阳能安徽有限公司
类型:新型
国别省市:

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