【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及异质纳米线的领域，尤其是涉及基于纳米切削法的ag-tcnq异质纳米线制备工艺。
技术介绍
1、ag-tcnq具有高的结构活性、导电性、独特的光电双稳态性和磁性，可以其为基体制备出分子传感器、记忆开关和大容量存储器等多种纳机电装置，因此对其晶体结构、制备手段以及光电特性的探究无疑将大大推动纳电子领域的创新与发展。
2、ag-tcnq具有高的结构活性、导电性、独特的光电双稳态性和磁性，可以其为基体制备出分子传感器、记忆开关和大容量存储器等多种纳机电装置，因此对其晶体结构、制备手段以及光电特性的探究无疑将大大推动纳电子领域的创新与发展。
3、本专利技术提供一种ag-tcnq异质纳米线制备工艺。
技术实现思路
1、为了解决上述技术问题，本专利技术提供基于纳米切削法的ag-tcnq异质纳米线制备工艺。
2、本专利技术提供的基于纳米切削法的ag-tcnq异质纳米线制备工艺采用如下的技术方案：
3、基于纳米切削法的ag-tcnq异质纳米线制备工艺，将含有ag+的盐溶液与tcnq盐类或乙腈溶液混合，使ag+与tcnq-或tcnq分子在全液体环境下发生化学反应来制备ag-tcnq纳米线。
4、可选的，在制备完好的环氧树脂上沉积一层纳米级厚度的金属薄膜，然后将薄膜包埋入环氧树脂块中形成待切削的树脂镶嵌样品。
5、可选的，通过超薄切片机沿样品端面切制出厚度在纳米量级的树脂薄片，并转移至基底上，最后经等离子体刻蚀工艺去除
6、可选的，将共晶镓铟液态金属置于ag-tcnq薄膜上表面用作顶部电极，在egain/ag-tcnq交界面处形成了肖特基接触。
7、可选的，采用磁控溅射镀膜的工艺进行镀膜。
8、可选的，镀膜设备真空室的保护气体选用高纯ar气。
9、可选的，初始气压≤3×10-3pa，靶基距约24cm，气体流量30sccm，样品旋转速度5rpm，溅射气压0.5pa。
10、综上所述，本专利技术包括以下至少一种有益技术效果：
11、1.通过磁控溅射方法可沉积获得结合力好、抵抗变形能力强的ag膜。ag膜表面粗糙度与膜厚的关系不大，但其晶粒随膜厚的增加而有所增大；
12、2.选取了在硅基底上沉积ag膜而后浇注树脂的方式来获得质量较好的转印ag膜，并最终通过模具浇注制备得到树脂镶嵌体；
13、3.对于100nm切削进给量下制得的树脂片，n2等离子体处理20min后即可完成树脂去除，ar等离子体处理90min后亦可完成树脂去除，而o2和空气等离子体则不适宜ag纳米线制备过程中的树脂去除。
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1.基于纳米切削法的Ag-TCNQ异质纳米线制备工艺，其特征在于：将含有Ag+的盐溶液与TCNQ盐类或乙腈溶液混合，使Ag+与TCNQ-或TCNQ分子在全液体环境下发生化学反应来制备Ag-TCNQ纳米线。
2.根据权利要求1所述的基于纳米切削法的Ag-TCNQ异质纳米线制备工艺，其特征在于：在制备完好的环氧树脂上沉积一层纳米级厚度的金属薄膜，然后将薄膜包埋入环氧树脂块中形成待切削的树脂镶嵌样品。
3.根据权利要求2所述的基于纳米切削法的Ag-TCNQ异质纳米线制备工艺，其特征在于：通过超薄切片机沿样品端面切制出厚度在纳米量级的树脂薄片，并转移至基底上，最后经等离子体刻蚀工艺去除树脂即可得到具有超高长径比的金属纳米线。
4.根据权利要求3所述的基于纳米切削法的Ag-TCNQ异质纳米线制备工艺，其特征在于：将共晶镓铟液态金属置于Ag-TCNQ薄膜上表面用作顶部电极，在EGaIn/Ag-TCNQ交界面处形成了肖特基接触。
5.根据权利要求4所述的基于纳米切削法的Ag-TCNQ异质纳米线制备工艺，其特征在于：采用磁控溅射镀膜的工艺进行镀膜。
6.根据权利要求5所述的基于纳米切削法的Ag-TCNQ异质纳米线制备工艺，其特征在于：镀膜设备真空室的保护气体选用高纯Ar气。
7.根据权利要求6所述的基于纳米切削法的Ag-TCNQ异质纳米线制备工艺，其特征在于：初始气压≤3×10-3Pa，靶基距约24cm，气体流量30sccm，样品旋转速度5rpm，溅射气压0.5Pa。
...【技术特征摘要】
1.基于纳米切削法的ag-tcnq异质纳米线制备工艺，其特征在于：将含有ag+的盐溶液与tcnq盐类或乙腈溶液混合，使ag+与tcnq-或tcnq分子在全液体环境下发生化学反应来制备ag-tcnq纳米线。
2.根据权利要求1所述的基于纳米切削法的ag-tcnq异质纳米线制备工艺，其特征在于：在制备完好的环氧树脂上沉积一层纳米级厚度的金属薄膜，然后将薄膜包埋入环氧树脂块中形成待切削的树脂镶嵌样品。
3.根据权利要求2所述的基于纳米切削法的ag-tcnq异质纳米线制备工艺，其特征在于：通过超薄切片机沿样品端面切制出厚度在纳米量级的树脂薄片，并转移至基底上，最后经等离子体刻蚀工艺去除树脂即可得到具有超高长径比的金属纳米线。
4.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：张小婧，何璐，
申请(专利权)人：无锡圆方里半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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