一种Ge-Se-Te硫系相变薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种Ge‑Se‑Te硫系相变薄膜及其制备方法，包括以下步骤：S1：取衬底并清洗、吹干洗净后保存，并选取高纯度的Ge、Se、Te作为溅射靶材备用；S2：开启磁控溅射镀膜系统的抽真空系统，对腔室进行抽真空处理；S3：调整所述溅射靶材的溅射角度为120‑145°，将Te靶材安装在磁控直流溅射靶上，将Ge靶材和Se靶材安装在磁控射频溅射靶上以进行溅射，待真空度达到溅射标准后，在溅射腔室内持续通入氩气直至溅射腔室内气压达到起辉所需气压，随后降低氩气通量，开始溅射，溅射过程中保持Te靶材、Ge靶以及Se靶的功率不变，溅射结束后，即得到沉积态Ge‑Se‑Te硫系相变薄膜。通过本发明专利技术解决了常规硫系薄膜材料无法同时兼备大光学对比度和低损耗的的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体材料领域，具体而言，涉及一种ge-se-te硫系相变薄膜及其制备方法。

技术介绍

1、当前，人们对单元素材料和二元化合物材料了解相对充分，但对三元化合物的认知比较有限，对四元及以上的化合物材料则是知之甚少。目前大部分实验还是使用传统的基于连续试错的顺序迭代法制备材料，无法进行高效筛选。结合高通量法制备材料并结合适当性能表征手段来快速筛选高性能材料已被证实有效可靠，该方法可在短时间内制备大量样品，将传统材料研究中采用的顺序迭代试错法改成并行处理，以量变引起材料研究效率的质变。

2、共沉积镀膜是一种高通量实验方法，其通过改变不同沉积源与衬底的相对位置，将多组成分共同沉积在一片衬底上，不需借助任何掩模可快速形成组分呈渐变式分布的多元样品，且与薄膜沉积厚度无关，成分分辨率可达0.1％～1.0％，沉积后无需热处理即可获得各元素充分混合的化合物样品库。

3、硫系玻璃属于无机非氧化物玻璃材料的一个大类，其具有优秀的中远红外光学特性，目前在相变存储器、红外热成像技术、红外探测器、光波导等领域有广泛的研究与应用。非晶硫系材料也能够本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种Ge-Se-Te硫系相变薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的Ge-Se-Te硫系相变薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中，所述衬底为硅片、氧化硅、氟化钙中的一种或多种，且所述Ge、Se、Te的纯度均大于等于99.99％。

3.根据权利要求1所述的Ge-Se-Te硫系相变薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中，所述取衬底并清洗、吹干洗净后保存包括：将衬底依次通过异丙醇、无水乙醇和去离子水在超声波清洗器里清洗10分钟后，再通过氮气枪吹干，最后洗净后烘干保存。

4.根据权利要求1所述的Ge-Se-Te硫系相变...

【技术特征摘要】

1.一种ge-se-te硫系相变薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的ge-se-te硫系相变薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤s1中，所述衬底为硅片、氧化硅、氟化钙中的一种或多种，且所述ge、se、te的纯度均大于等于99.99％。

3.根据权利要求1所述的ge-se-te硫系相变薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤s1中，所述取衬底并清洗、吹干洗净后保存包括：将衬底依次通过异丙醇、无水乙醇和去离子水在超声波清洗器里清洗10分钟后，再通过氮气枪吹干，最后洗净后烘干保存。

4.根据权利要求1所述的ge-se-te硫系相变薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤s3中，所述te靶材的功率为15w，所述ge靶材的功率为25w，所述se靶材的功率为8w。

5.根据权利要求1所述的ge-se-te硫系相变薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤s3中，所述溅射标准的真空度为3.0*10-6pa...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈益敏，陈琪琪，顾辰杰，高一骁，沈祥，吕社钦，娄绍慧，
申请(专利权)人：宁波阳光和谱光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：