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本发明提供了一种Ge‑Se‑Te硫系相变薄膜及其制备方法，包括以下步骤：S1：取衬底并清洗、吹干洗净后保存，并选取高纯度的Ge、Se、Te作为溅射靶材备用；S2：开启磁控溅射镀膜系统的抽真空系统，对腔室进行抽真空处理；S3：调整所述溅射靶材...
该专利属于宁波阳光和谱光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过宁波阳光和谱光电科技有限公司授权不得商用。

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