【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体加工，尤其涉及一种分气机构，及一种半导体器件的加工设备。
技术介绍
1、在利用半导体器件的加工设备进行原子层沉积(atomic layer deposition，ald)的过程中，通常采用多站腔室的机械结构，以便于多个腔室同时工作，提高工作效率。
2、现有的原子层沉积(ald)设备通常采用将气体总管的一端直接分为多条分支管道，以输送反应气体至多个反应腔室的分气结构。然而，受分气通道不对称的安装结构，以及安装或使用造成的工艺管道安装变形等误差，气体总管分流到各腔室的流阻往往并不一致，从而导致流至各腔室的气体流量不均，并造成每站的吹扫效率的不均匀。
3、为了克服现有技术存在的上述缺陷，本领域亟需一种分气技术，用于减小管道流阻不一致给各站带来反应气流不均匀的影响，从而提升各站进气量的均匀性，减少由进气不均导致的微粒污染问题，并提升ald机台的整体产能。
技术实现思路
1、以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面的基本理解。此概述不是所有构想到的...
【技术保护点】
1.一种分气机构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的分气机构，其特征在于，各所述气体分管分别具有不同的管道气体流阻，所述预设气体流阻为各所述管道气体流阻的最大值的五倍以上或十倍以上。
3.如权利要求2所述的分气机构，其特征在于，所述不同的管道气体流阻是由各所述气体分管之间的管道长度差异、弯折数量差异、弯折角度差异、口径差异、内壁粗糙度差异、微粒沉积差异中的至少一者导致。
4.如权利要求1所述的分气机构，其特征在于，所述流体阻尼机构被设于对应的气体分管及工艺腔室之间，其第一端连接所述气体分管的第二端，以获取所述传输气体的分气流...
【技术特征摘要】
1.一种分气机构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的分气机构，其特征在于，各所述气体分管分别具有不同的管道气体流阻，所述预设气体流阻为各所述管道气体流阻的最大值的五倍以上或十倍以上。
3.如权利要求2所述的分气机构，其特征在于，所述不同的管道气体流阻是由各所述气体分管之间的管道长度差异、弯折数量差异、弯折角度差异、口径差异、内壁粗糙度差异、微粒沉积差异中的至少一者导致。
4.如权利要求1所述的分气机构，其特征在于，所述流体阻尼机构被设于对应的气体分管及工艺腔室之间，其第一端连接所述气体分管的第二端，以获取所述传输气体的分气流，而其第二端连接所述工艺腔室的喷淋板，以经由所述喷淋板将所述传输气体均匀地喷洒到所述工艺腔室中。
5.如权利要求4所述的分气机构，其特征在于，所述流体阻尼...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄明策，吴凤丽，张驰，李旭峰，
申请(专利权)人：拓荆科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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