半导体元件及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种制作半导体元件的方法。首先提供一基底，该基底包含一逻辑区以及一磁阻式随机存取存储器(magnetoresistive random access memory,MRAM)区域，然后形成一磁隧道结(magnetic tunneling junction,MTJ)于MRAM区域上，形成一金属内连线于MTJ上，形成一介电层于金属内连线上，图案化介电层以形成多个开口，最后再形成阻挡层于被图案化的介电层以及金属内连线上并填满该等开口。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种制作半导体元件，尤其是涉及一种制作磁阻式随机存取存储器(magnetoresistive random access memory,mram)元件的方法。

技术介绍

1、已知，磁阻(magnetoresistance,mr)效应是材料的电阻随着外加磁场的变化而改变的效应，其物理量的定义，是在有无磁场下的电阻差除上原先电阻，用以代表电阻变化率。目前，磁阻效应已被成功地运用在硬盘生产上，具有重要的商业应用价值。此外，利用巨磁电阻物质在不同的磁化状态下具有不同电阻值的特点，还可以制成磁性随机存储器(mram)，其优点是在不通电的情况下可以继续保留存储的数据。

2、上述磁阻效应还被应用在磁场感测(magnetic field sensor)领域，例如，移动电话中搭配全球定位系统(global positioning system,gps)的电子罗盘(electroniccompass)零组件，用来提供使用者移动方位等信息。目前，市场上已有各式的磁场感测技术，例如，各向异性磁阻(anisotropic magnetoresistance本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体元件，其特征在于，包含：

2.如权利要求1所述的半导体元件，另包含：

3.如权利要求2所述的半导体元件，其中该第一介电层包含氧化硅。

4.如权利要求1所述的半导体元件，其中该阻挡层包含金属。

5.如权利要求4所述的半导体元件，其中该阻挡层包含铝。

6.如权利要求1所述的半导体元件，另包含：

7.如权利要求6所述的半导体元件，其中该第一介电层包含氧化硅。

8.如权利要求6所述的半导体元件，其中该阻挡层包含第二介电层。

9.如权利要求8所述的半导体元件，其中该阻挡层包含碳化硅、氮碳化...

【技术特征摘要】

1.一种半导体元件，其特征在于，包含：

2.如权利要求1所述的半导体元件，另包含：

3.如权利要求2所述的半导体元件，其中该第一介电层包含氧化硅。

4.如权利要求1所述的半导体元件，其中该阻挡层包含金属。

5.如权利要求4所述的半导体元件，其中该阻挡层包含铝。

6.如权利要求1所述的半导体元件，另包含：

7.如权利要求6所述的半导体元件，其中该第一介电层包含氧化硅。

8.如权利要求6所述的半导体元件，其中该阻挡层包含第二介电层。

9.如权利要求8所述的半导体元件，其中该阻挡层包含碳化硅、氮碳化硅或氮碳氧化硅。

10.一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴家荣，张翊凡，黄瑞民，蔡雅卉，王裕平，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：