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本发明公开一种制作半导体元件的方法。首先提供一基底，该基底包含一逻辑区以及一磁阻式随机存取存储器(magnetoresistive random access memory,MRAM)区域，然后形成一磁隧道结(magnetic tunnel...
该专利属于联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。

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