【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于tr电源，具体为一种考虑上下电时序的tr电源结构。
技术介绍
1、目前，tr组件的应用已变得越来越广泛，tr电源的可靠性与稳定性因此面临着不断发展的要求。tr电源一般具有多路电源输出，其中的负电源用于tr组件的栅极控制电路，正电源用于tr组件放大电路。通常情况下，tr组件要求栅极控制电路供电正常后，才能给放大器漏极加电；栅极控制电路断电前则需要先将放大器漏极断电，否则会造成tr组件内部器件的损坏。因此，满足特定的上下电时序，始终是tr电源需要确保的重要原则。
2、现有技术中，常见的tr电源结构所采用的设计方案，主要基于独立的dc-dc电源模块，其时序控制方式主要为以下三种：
3、1、电源模块缓启动控制：通过调整电源模块缓启动电路的rc时间常数，控制电源上电时序；但此方式无法控制下电时序；
4、2、电源模块级联控制：通过前级电源模块输出，直接或间接地控制后级电源模块；此方式同样无法控制下电时序；
5、3、专用逻辑芯片控制：通过逻辑芯片给电源模块发送ttl电平信号，控制电源模块的上下电时序；由于需针对上下电指令分别控制时序，这一方式使得信号管脚占用较多，相对成本较高，且软件逻辑一旦出错，也会造成后级器件损坏。
6、综上，现有技术的tr电源结构在电源时序控制方面皆存在一定弊端，部分方案只能满足单一控制上电时序的功能，部分方案又过于依赖软件控制；尤其是tr电源处于异常工况下时，无法满足上下电时序要求。
技术实现思路
2、本专利技术采用了以下技术方案来实现目的：
3、一种考虑上下电时序的tr电源结构，包括：大功率隔离dc-dc电源组件、小功率升降压转换组件、主功率mosfet开关、上电控制电路和下电回馈电路；大功率隔离dc-dc电源组件接收外部电源输入，并通过主功率mosfet开关对外输出第一正电源，自身单独对外输出第二正电源；大功率隔离dc-dc电源组件与小功率升降压转换组件相连接，小功率升降压转换组件对外输出第一负电源与第二负电源；上电控制电路分别与大功率隔离dc-dc电源组件和小功率升降压转换组件相连接，上电控制电路还接收ttl控制信号的输入；下电回馈电路分别与大功率隔离dc-dc电源组件和小功率升降压转换组件相连接，用于在tr电源下电时，通过正电源的电荷回馈，延长负电源保持时间。
4、进一步的，所述大功率隔离dc-dc电源组件，包括第一dc-dc模块和第二dc-dc模块；第一dc-dc模块接收ttl控制信号的输入，并通过主功率mosfet开关对外输出第一正电源；第二dc-dc模块自身单独对外输出第二正电源。
5、具体的，所述主功率mosfet开关为n沟道型的mosfet管；mosfet管的漏极与第一dc-dc模块的输出端相连，源极与第一正电源输出端相连，栅极与第二dc-dc模块的输出端相连并接受其第二正电源的输出驱动。
6、进一步的，所述小功率升降压转换组件，包括第一buck-boost模块和第二buck-boost模块；第一buck-boost模块与第二buck-boost模块均连接至第一dc-dc模块的输出端；第一buck-boost模块对外输出第一负电源，第二buck-boost模块对外输出第二负电源。
7、优选的，第一buck-boost模块与第二buck-boost模块之间连接有闭锁电路，所述闭锁电路用于实现第一buck-boost模块与第二buck-boost模块的上电时序控制。
8、具体的，所述闭锁电路将第一buck-boost模块的输出端与第二buck-boost模块的使能端相连，用于令第一负电源的输出直接控制第二buck-boost模块的使能。
9、进一步的，所述上电控制电路分别与第二dc-dc模块和第二buck-boost模块相连接；上电控制电路用于在ttl控制信号和第二负电源的共同反馈下，控制第二dc-dc模块的上下电过程。
10、优选的，所述上电控制电路包括与门组件和三极管；与门组件的输出端连接至第二dc-dc模块，用于控制第二dc-dc模块的上下电过程；与门组件的输入端分别连接ttl控制信号和第二负电源；所述三极管用于在异常掉电状态下导通，令与门组件的输出端控制第二dc-dc模块下电。
11、进一步的，所述下电回馈电路为buck电路，buck电路的输入端连接至第二dc-dc模块的输出端，buck电路的输出端分别与第一buck-boost模块和第二buck-boost模块的输入端相连接。
12、优选的，buck电路的输入端还连接有扩展二极管；buck电路的输入端与输出端均连接有隔离二极管，隔离二极管用于保证下电过程中电荷的单向回馈。
13、综上所述，由于采用了本技术方案，本专利技术的有益效果如下：
14、本专利技术提出的tr电源结构中，通过硬件结构实现了电源上电时序控制和下电回馈buck过程；并通过结合大功率隔离dc-dc电源组件、小功率升降压转换组件和主功率mosfet开关的方式满足tr电源的正常需求。相较于现有技术，本专利技术以低成本、低复杂度和高可靠性的方式，通过硬件结构的改进满足了tr电源在正常或异常工况下的上下电时序控制需求，从而进一步的提升了tr电源的安全工作能力。
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1.一种考虑上下电时序的TR电源结构，其特征在于，包括：大功率隔离DC-DC电源组件、小功率升降压转换组件、主功率MOSFET开关、上电控制电路和下电回馈电路；大功率隔离DC-DC电源组件接收外部电源输入，并通过主功率MOSFET开关对外输出第一正电源，自身单独对外输出第二正电源；大功率隔离DC-DC电源组件与小功率升降压转换组件相连接，小功率升降压转换组件对外输出第一负电源与第二负电源；上电控制电路分别与大功率隔离DC-DC电源组件和小功率升降压转换组件相连接，上电控制电路还接收TTL控制信号的输入；下电回馈电路分别与大功率隔离DC-DC电源组件和小功率升降压转换组件相连接，用于在TR电源下电时，通过正电源的电荷回馈，延长负电源保持时间。
2.根据权利要求1所述的一种考虑上下电时序的TR电源结构，其特征在于：所述大功率隔离DC-DC电源组件，包括第一DC-DC模块和第二DC-DC模块；第一DC-DC模块接收TTL控制信号的输入，并通过主功率MOSFET开关对外输出第一正电源；第二DC-DC模块自身单独对外输出第二正电源。
3.根据权利要求2所述的一种考虑
4.根据权利要求2所述的一种考虑上下电时序的TR电源结构，其特征在于：所述小功率升降压转换组件，包括第一BUCK-BOOST模块和第二BUCK-BOOST模块；第一BUCK-BOOST模块与第二BUCK-BOOST模块均连接至第一DC-DC模块的输出端；第一BUCK-BOOST模块对外输出第一负电源，第二BUCK-BOOST模块对外输出第二负电源。
5.根据权利要求4所述的一种考虑上下电时序的TR电源结构，其特征在于：第一BUCK-BOOST模块与第二BUCK-BOOST模块之间连接有闭锁电路，所述闭锁电路用于实现第一BUCK-BOOST模块与第二BUCK-BOOST模块的上电时序控制。
6.根据权利要求5所述的一种考虑上下电时序的TR电源结构，其特征在于：所述闭锁电路将第一BUCK-BOOST模块的输出端与第二BUCK-BOOST模块的使能端相连，用于令第一负电源的输出直接控制第二BUCK-BOOST模块的使能。
7.根据权利要求4所述的一种考虑上下电时序的TR电源结构，其特征在于：所述上电控制电路分别与第二DC-DC模块和第二BUCK-BOOST模块相连接；上电控制电路用于在TTL控制信号和第二负电源的共同反馈下，控制第二DC-DC模块的上下电过程。
8.根据权利要求7所述的一种考虑上下电时序的TR电源结构，其特征在于：所述上电控制电路包括与门组件和三极管；与门组件的输出端连接至第二DC-DC模块，用于控制第二DC-DC模块的上下电过程；与门组件的输入端分别连接TTL控制信号和第二负电源；所述三极管用于在异常掉电状态下导通，令与门组件的输出端控制第二DC-DC模块下电。
9.根据权利要求4所述的一种考虑上下电时序的TR电源结构，其特征在于：所述下电回馈电路为BUCK电路，BUCK电路的输入端连接至第二DC-DC模块的输出端，BUCK电路的输出端分别与第一BUCK-BOOST模块和第二BUCK-BOOST模块的输入端相连接。
10.根据权利要求9所述的一种考虑上下电时序的TR电源结构，其特征在于：BUCK电路的输入端还连接有扩展二极管；BUCK电路的输入端与输出端均连接有隔离二极管，隔离二极管用于保证下电过程中电荷的单向回馈。
...【技术特征摘要】
1.一种考虑上下电时序的tr电源结构，其特征在于，包括：大功率隔离dc-dc电源组件、小功率升降压转换组件、主功率mosfet开关、上电控制电路和下电回馈电路；大功率隔离dc-dc电源组件接收外部电源输入，并通过主功率mosfet开关对外输出第一正电源，自身单独对外输出第二正电源；大功率隔离dc-dc电源组件与小功率升降压转换组件相连接，小功率升降压转换组件对外输出第一负电源与第二负电源；上电控制电路分别与大功率隔离dc-dc电源组件和小功率升降压转换组件相连接，上电控制电路还接收ttl控制信号的输入；下电回馈电路分别与大功率隔离dc-dc电源组件和小功率升降压转换组件相连接，用于在tr电源下电时，通过正电源的电荷回馈，延长负电源保持时间。
2.根据权利要求1所述的一种考虑上下电时序的tr电源结构，其特征在于：所述大功率隔离dc-dc电源组件，包括第一dc-dc模块和第二dc-dc模块；第一dc-dc模块接收ttl控制信号的输入，并通过主功率mosfet开关对外输出第一正电源；第二dc-dc模块自身单独对外输出第二正电源。
3.根据权利要求2所述的一种考虑上下电时序的tr电源结构，其特征在于：所述主功率mosfet开关为n沟道型的mosfet管；mosfet管的漏极与第一dc-dc模块的输出端相连，源极与第一正电源输出端相连，栅极与第二dc-dc模块的输出端相连并接受其第二正电源的输出驱动。
4.根据权利要求2所述的一种考虑上下电时序的tr电源结构，其特征在于：所述小功率升降压转换组件，包括第一buck-boost模块和第二buck-boost模块；第一buck-boost模块与第二buck-boost模块均连接至第一dc-dc模块的输出端；第一buck-boost模块对外输出第一负电源，第二buck-boost模块对外输出第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐意婷，王斌，余俊宏，赵伟刚，张莉，黄付刚，王凤岩，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第二十九研究所，
类型：发明
国别省市：
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