【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于微纳米电子器件领域，更具体地，涉及一种基于taox电子型忆阻器的温感算器件及阵列。
技术介绍
1、近年来，随着物联网的快速发展，越来越多物品被嵌入传感器，边缘端计算变得越来越重要，越来越多来自各种传感器的信息需要被处理。在传统的架构中，传感器和处理单元是分开的。传感器感知的数据往往还需要通过模数转换器转换成数字信号，而后经过储存单元发送到处理单元。大量的冗余数据将参与到数据传输过程中，往往会导致高功耗、高延迟和额外的硬件成本。受生物神经感知系统启发，感算一体这一方案被提出来解决这一问题，能够在感知端内部直接进行计算，传感器能够在信号转换的同时执行信息处理，无需模数转换器的参与，能够减少冗余数据的传输。
2、温度是重要的物理信息，是仿生神经网络中重要感知的物理量之一。然而，目前常用的温感算单元一般是由电阻、电容和阈值转变器件等多个电子元件构成，温度感知器件与信息处理单元分离，因此搭建的温感算阵列及电路结构复杂、制造工艺复杂、难以微缩和集成度难以提高，而且因为阵列结构复杂，实现感算功能所需的功耗高、速度慢和时延高。
3、因本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种基于TaOx电子型忆阻器的温感算器件，其特征在于，由下而上依次叠设的第一金属层、功能层和第二金属层；
2.根据权利要求1所述的温感算器件，其特征在于，所述第一金属层的材料为Pt、Pd、Au、Ni及ITO中的一种；所述第二金属层的材料为Ti、W、Ag、Cu、Al、Ta、Hf、TaN、TiN及TiW中的一种。
3.根据权利要求1至2所述的温感算器件，其特征在于，所述第一金属层的厚度为5nm～2μm，所述功能层的厚度为2nm～500nm，所述第二金属层的厚度为5nm～2μm。
4.一种基于权利要求1所述的温感算器件的TaOx电子型...
【技术特征摘要】
1.一种基于taox电子型忆阻器的温感算器件，其特征在于，由下而上依次叠设的第一金属层、功能层和第二金属层；
2.根据权利要求1所述的温感算器件，其特征在于，所述第一金属层的材料为pt、pd、au、ni及ito中的一种；所述第二金属层的材料为ti、w、ag、cu、al、ta、hf、tan、tin及tiw中的一种。
3.根据权利要求1至2所述的温感算器件，其特征在于，所述第一金属层的厚度为5nm～2μm，所述功能层的厚度为2nm～500nm，所述第二金属层的厚度为5nm～2μm。
4.一种基于权利要求1所述的温感算器件的taox电子型忆阻器的温感算阵列，其特征在于，包括：m个设有间隙的不相交的第一金属层、功能层和n个设有间隙的不相交的第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：程晓敏，曹丽娟，罗云皓，李家琪，缪向水，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：
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