一种氮化铝陶瓷基板及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种氮化铝陶瓷基板，包括以下重量份的原料：氮化铝粉体60‑70份、有机互溶剂30‑40份、液相烧结助剂3‑5份、复合烧结助剂3‑5份、分散剂1‑3份和增塑剂1‑3份。本发明专利技术还公开了一种氮化铝陶瓷基板的制备方法，具体包括以下步骤：(1)配料；(2)混炼；(3)热压成型；(4)热压烧结。本发明专利技术原料和制备方法能够适用于不同厚度的氮化铝陶瓷基板的生产，且由本发明专利技术制得的氮化铝陶瓷基板导热性好，抗弯强度高，有利于降低氮化铝陶瓷基板的生产成本，在陶瓷基板生产领域具有广泛的应用价值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及陶瓷，更具体的说是涉及一种氮化铝陶瓷基板及其制备方法。

技术介绍

1、随着高功率电力电子、电子信息、半导体技术向高集成化、高速化、微型化、智能化发展，对其中起承载元件、外联、保护和冷却等作用的主要元件之一的陶瓷基板的要求越来越高，主要集中体现在对其热导率和介电性能方面的要求。

2、其中，氮化铝(aln)陶瓷以其优异的高热导率、低介电常数、与si相匹配的热膨胀系数以及其它优良的物理化学性能，受到了国内外学术界和生产厂家的广泛关注，被誉为新一代高密度封装的理想基板材料。氮化铝陶瓷基板的热导率理论值可达到320w.m-1.k-1，工业生产中制成的连续化产品一般在200w.m-1.k-1左右，已经在大功率模块电路、大功率晶体管、半导体激光器、开关电源以及其他既要求高导热又要求良好绝缘性能的大功率器件上取得了广泛应用。

3、目前，氮化铝陶瓷基板的成型方法主要有流延成型和干压成型等。其中，流延法成型生产效率最高，且易于实现生产的连续化和自动化，可改善产品质量，实现大批量生产，但是，流延法制备氮化铝陶瓷基板对工艺要求非常严格，并且仅本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种氮化铝陶瓷基板，其特征在于，包括以下重量份的原料：氮化铝粉体60-70份、有机互溶剂30-40份、液相烧结助剂3-5份、复合烧结助剂3-5份、分散剂1-3份和增塑剂1-3份。

2.根据权利要求1所述的一种氮化铝陶瓷基板，其特征在于，包括以下重量份的原料：氮化铝粉体65份、有机互溶剂35份、液相烧结助剂4份、复合烧结助剂4份、分散剂2份和增塑剂2份。

3.根据权利要求1或2所述的一种氮化铝陶瓷基板，其特征在于，所述有机互溶剂包括乙烯-醋酸乙烯酯共聚物18-22份、聚乙烯8-12份和硬脂酸4-6份。

4.根据权利要求1或2所述的一种氮化铝陶瓷基板，...

【技术特征摘要】

1.一种氮化铝陶瓷基板，其特征在于，包括以下重量份的原料：氮化铝粉体60-70份、有机互溶剂30-40份、液相烧结助剂3-5份、复合烧结助剂3-5份、分散剂1-3份和增塑剂1-3份。

2.根据权利要求1所述的一种氮化铝陶瓷基板，其特征在于，包括以下重量份的原料：氮化铝粉体65份、有机互溶剂35份、液相烧结助剂4份、复合烧结助剂4份、分散剂2份和增塑剂2份。

3.根据权利要求1或2所述的一种氮化铝陶瓷基板，其特征在于，所述有机互溶剂包括乙烯-醋酸乙烯酯共聚物18-22份、聚乙烯8-12份和硬脂酸4-6份。

4.根据权利要求1或2所述的一种氮化铝陶瓷基板，其特征在于，所述液相烧结助剂为纳米氧化铝、仲丁醇铝、异丙醇铝和乙酰丙酮铝中的至少一种。

5.根据权利要求1或2所述的一种氮化铝陶瓷基板，其特征在于，所述复合烧结助剂...

【专利技术属性】
技术研发人员：王前，巩鹏程，张雍，任文杰，任学美，
申请(专利权)人：山东鹏程陶瓷新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：