【技术实现步骤摘要】
本专利技术公开了一种关于cvd shower head部件的清洗方法，涉及半导体零部件清洗。
技术介绍
1、半导体是通常由硅组成的材料部件，其导电性相比石英类的绝缘体高，但比金属类的纯导体导电性低。后期通过引入杂质的方式来改变其导电性和其他性能，以满足其所驻留的电子组件的特定需求，半导体也被称芯片，它可以在数千种部件中找到，例如计算机，智能手机，设备，游戏硬件和医疗设备。例如半导体内存芯片一般用于存储海量数据，将信息传输至计算机大脑。
2、化学气相沉积(cvd)是一种用于生产高性能、高质量材料的重要手段，通常在半导体工业中用于生产薄膜，cvd是半导体芯片制作前道工艺流程中的关键一环。其中cvd机台中存在一种shower head的精密零部件，shower head作为刻蚀气体进入腔体的通路，是晶圆制造刻蚀环节所必需的核心部件，为增加其使用寿命，厂商会将该部件进行清洗，由于shower head表面存在精密的孔径使得清洗变得较为复杂，现有的清洗工艺存在清洗不彻底、容易损坏部件等缺点。因此，目前现有技术中缺少一种对cvd shower head进行有效清洗并且不对部件造成损坏的清洗方法。
技术实现思路
1、技术问题
2、cvd shower head是一种精密零部件，在使用中会累积杂质，影响后续生产使用，因此需要对其进行定期的清洗，以增加其使用寿命，但现有的清洗工艺存在清洗不彻底、容易损坏部件等缺点，因此需要提出一种清洗方法，即完成对cvd shower hea
3、
技术实现思路
4、针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种cvd shower head超高清洗工艺，包括如下步骤：
5、步骤一：使用气流对cvd shower head表面及孔洞内部进行吹扫；
6、步骤二：将步骤一吹扫后的部件放入异丙醇溶液中浸泡，再对部件表面、侧面台阶及孔洞周围进行擦拭；
7、步骤三：对步骤二擦拭后的部件表面及孔洞进行冲洗；
8、步骤四：将步骤三冲洗后的部件浸泡到清洗液，然后冲洗；
9、步骤五：将经步骤四处理后的部件浸泡到koh水溶液中，浸泡完成后进行清洗；
10、步骤六：将经步骤五处理后的部件浸泡酸液中，浸泡完成后进行清洗；
11、步骤七：将经步骤六处理后的部件浸泡到酸蚀液中，浸泡完成后进行清洗；
12、步骤八：将经步骤七处理后的部件吹干，用雪花干冰清洗部件表面孔径；
13、步骤九：将经步骤八处理后的部件放置于溢流装置中进行溢流，之后吹干；
14、步骤十：将经步骤九处理后的部件进行超声处理，之后吹干；
15、步骤十一：将经步骤十处理后的部件进行烘干，冷却，得到清洗干净的cvd showerhead。
16、进一步的，步骤一中所述气流为纯净的化学活性低的气体，包括惰性气体和氮气中的一种或多种。
17、具体可选的，步骤一中所述气流为纯净的n2。
18、进一步的，步骤二中所述的浸泡时间为3-10min，擦拭时间为1-5min。
19、进一步的，步骤四中所述清洗液，按质量分数计算，包括以下组分：柠檬酸钠1-3份，二乙二醇乙醚1-5份，异己二醇1-5份，非离子表面活性剂3-10份，阳离子表面活性剂1-5份，水75-90份的混合溶液。
20、具体可选的，所述清洗液，按质量分数计算，由以下组分组成：柠檬酸钠1.5份，二乙二醇乙醚3.0份，异己二醇2.0份，非离子表面活性剂4.5份，阳离子表面活性剂1.5份，水87.5份。
21、进一步的，所述非离子表面活性剂包括脂肪醇聚氧乙烯醚(aeo-3)，壬基酚聚氧乙烯醚(np-7)中的一种或多种。
22、进一步的，所述阳离子表面活性剂有十二烷基二甲基苄基氯化铵(ddbac)，十六烷基三甲基氯化铵(ctac)，聚季铵盐-11(pq-11)中的一种或多种。
23、具体可选的，所述非离子表面活性剂，按质量分数计算，由以下组分组成：脂肪醇聚氧乙烯醚(aeo-3)5份，壬基酚聚氧乙烯醚(np-7)10份，水85份。
24、具体可选的，所述阳离子表面活性剂为，按质量分数计算，由以下组分组成：十二烷基二甲基苄基氯化铵(ddbac)5.0份，十六烷基三甲基氯化铵(ctac)4.5份，聚季铵盐-11(pq-11)5.0份，水85.5份。
25、进一步的，步骤四中所述浸泡时间为20-30min。
26、进一步的，步骤五中所述koh水溶液的质量浓度为5％。
27、进一步的，步骤五中浸泡时间为2-5sec，浸泡温度25-30℃。
28、进一步的，步骤六中所述酸液，按质量分数计算，包括以下组分：hf 5～8份，hno35～8份，h2o 80～95份。
29、进一步的，步骤六中浸泡时间为2-5sec，浸泡温度25-30℃。
30、进一步的，步骤七中酸蚀液为质量浓度为23-27％hno3水溶液。
31、进一步的，步骤七中浸泡时间为2-5sec，浸泡温度25-30℃。
32、进一步的，步骤八中所述雪花干冰清洗时间为3-6min。
33、进一步的，步骤九中溢流时间为25-30min。
34、进一步的，步骤十中超音波强度3-10w/inch2，超声时间10-20min；
35、进一步的，步骤十中超声在百级无尘室中进行。
36、进一步的，在步骤十一中烘干温度为60-80℃，烘干时间为4-6h。
37、本专利技术所提供的方法在半导体零部件清洗
中的应用。
38、进一步的，所述半导体零部件包括cvd各制程的shower head，如teos lk，omcts、bpsg，pesih4 arc，pesih4 nit。
39、本专利技术取得的有益效果：
40、本专利技术可以有效去除产品表面及孔洞内部的污染物，并且可以有效控制产品表面金属离子浓度，并且有效保持产品的紧密度，清洗过程中对产品母材造成的损伤很小，还可以及时检测出产品状态，使产品可循环使用次数增多。
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1.一种CVD Shower Head超高清洗工艺，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1中所述的方法，其特征在于，步骤一中所述气流为纯净的化学活性低的气体，包括惰性气体和氮气中的一种或多种。
3.根据权利要求1中所述的方法，其特征在于，步骤四中所述清洗液，按质量分数计算，包括以下组分：柠檬酸钠1-3份，二乙二醇乙醚1-5份，异己二醇1-5份，非离子表面活性剂3-10份，阳离子表面活性剂1-5份，水75-90份的混合溶液。
4.根据权利要求1中所述的方法，其特征在于，所述非离子表面活性剂包括脂肪醇聚氧乙烯醚，壬基酚聚氧乙烯醚中的一种或多种。
5.根据权利要求1中所述的方法，其特征在于，所述阳离子表面活性剂有十二烷基二甲基苄基氯化铵，十六烷基三甲基氯化铵，聚季铵盐-11中的一种或多种。
6.根据权利要求1中所述的方法，其特征在于，步骤五中所述KOH水溶液的质量浓度为5％。
7.根据权利要求1中所述的方法，其特征在于，步骤六中所述酸液，按质量分数计算，包括以下组分：HF 5～8份，HNO3 5～8份，H2
8.根据权利要求1中所述的方法，其特征在于，步骤七中酸蚀液为质量浓度为23-27％HNO3水溶液。
9.根据权利要求1中所述的方法，其特征在于，步骤十中超音波强度3-10W/inch2，超声时间10-20min。
10.权利要求1～9任一项所述方法在半导体零部件清洗技术领域中的应用。
...【技术特征摘要】
1.一种cvd shower head超高清洗工艺，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1中所述的方法，其特征在于，步骤一中所述气流为纯净的化学活性低的气体，包括惰性气体和氮气中的一种或多种。
3.根据权利要求1中所述的方法，其特征在于，步骤四中所述清洗液，按质量分数计算，包括以下组分：柠檬酸钠1-3份，二乙二醇乙醚1-5份，异己二醇1-5份，非离子表面活性剂3-10份，阳离子表面活性剂1-5份，水75-90份的混合溶液。
4.根据权利要求1中所述的方法，其特征在于，所述非离子表面活性剂包括脂肪醇聚氧乙烯醚，壬基酚聚氧乙烯醚中的一种或多种。
5.根据权利要求1中所述的方法，其特征在于，所述阳离子表面活性剂...
【专利技术属性】
技术研发人员：薛弘宇，桂传书，顾仁宝，朱文健，李伟东，韩伟男，白晓天，靳普云，徐钰虹，顾鹏铭，潘腾飞，陈开清，刘伟伟，
申请(专利权)人：江苏凯威特斯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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