一种异质半导体器件、探测器及光伏电池制造技术

本实用新型专利技术提供一种异质半导体器件，至少包括由第一半导体材料构成的第一部件和第二半导体材料构成的第二部件，第一部件和第二部件一般为层状结构(片状结构)；所述的第一部件和第二部件分别构成所述半导体器件的第一活性区域和第二活性区域；所述的第一部件和第二部件仅通过由第三半导体材料构成的第三部件连接，减少了界面面积，进而减少了缺陷数量，能减小器件噪声，提高信噪比。提高信噪比。提高信噪比。

【技术实现步骤摘要】
一种异质半导体器件、探测器及光伏电池


[0001]本技术属于半导体器件，尤其涉及一种异质半导体器件，可用于光电池提升光电转换效率，也可以用于探测器，大大提高信噪比。

技术介绍

[0002]通过将不同半导体材料结合起来可以实现各种高性能的异质器件：利用异质结构，将不同材料的优良物理特性结合，例如将高载流子迁移率的材料和高光子吸收系数的材料制异质结，可以实现高性能的光电器件等。
[0003]但是，目前的异质材料集成技术，包括但不仅限于平面外延，会在不同材料的界面处产生大量缺陷。这是因为不同材料间的存在晶格失配和热失配等，这会导致不同材料的界面处产生应力，为了释放掉这些应力，材料会在界面处产生缺陷，尤其是线性位错等缺陷甚至会传递到半导体材料内部。由于不同半导体材料之间的界面存在大量缺陷，使得探测器产生噪声、光电池产生载流子复合损耗。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于针对现有技术的不足，提供一种异质半导体器件，至少包括由第一半导体材料构成的第一部件和第二半导体材料构成的第二部件，第一部件和第二部件一般为层状结构(片状结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种异质半导体器件，其特征在于，至少包括由第一半导体材料构成的第一部件和第二半导体材料构成的第二部件，所述的第一部件和第二部件分别构成所述半导体器件的第一活性区域和第二活性区域；所述的第一部件和第二部件仅通过由第三半导体材料构成的第三部件连接，以减少所述第一部件和第二部件的连通面积。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第三部件为上下宽度相同的柱形结构或上下宽度不同的梯形结构。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一部件和第二部件之间的第三部件以外的空间，由介电材料填充。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为线性模式雪崩二极管或盖革模式单光子雪崩二极管，具有正负二...

【专利技术属性】
技术研发人员：程志渊，张哲宇，褚衍盟，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：新型
国别省市：