一种雪崩光电二极管制造技术

本发明专利技术公开一种雪崩光电二极管，包括：多颗二极管芯片；二极管芯片包括：自内至外依次呈水平排布的P型重掺杂区、P型轻掺杂吸收区、N型电荷区、N型轻掺杂雪崩区以及N型重掺杂区，且P型轻掺杂吸收区的深度大于宽度。本发明专利技术采用水平排布，使得电场实现横向分布，且P型轻掺杂吸收区的深度大于宽度，利于光子探测效率的提高。提高。提高。

【技术实现步骤摘要】
一种雪崩光电二极管


[0001]本专利技术涉及光电探测器
，尤其涉及一种雪崩光电二极管。

技术介绍

[0002]雪崩光电二极管在传感器领域有大量应用，且为了提升此类传感器探的测光谱范围，通常采用异质结结构，其中非硅材料用来对非可见光波段的光子进行吸收，而硅材料对收集的光子进行运输和倍增等作业。这种设计可以有效扩展传感器的探测波段，并保证一定的探测灵敏度，但是常规雪崩光电二极管的PN异质结主要为垂直结构，如果为了提高光子探测效率而增大光敏材料厚度，会引入大量缺陷，从而恶化暗电流或暗计数。

技术实现思路

[0003]为解决上述技术问题，本专利技术提供一种雪崩光电二极管。为了对披露的实施例的一些方面有一个基本的理解，下面给出了简单的概括。该概括部分不是泛泛评述，也不是要确定关键/重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围。其唯一目的是用简单的形式呈现一些概念，以此作为后面的详细说明的序言。
[0004]本专利技术采用如下技术方案：
[0005]本专利技术提供一种雪崩光电二极管，包括：多颗二极管芯片；所述二极管芯片包括本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种雪崩光电二极管，包括：多颗二极管芯片；其特征在于，所述二极管芯片包括：自内至外依次呈水平排布的P型重掺杂区、P型轻掺杂吸收区、N型电荷区、N型轻掺杂雪崩区以及N型重掺杂区；所述P型轻掺杂吸收区的深度大于宽度；所述N型轻掺杂雪崩区是在硅晶圆片上外延生长硅所形成的，且所述N型轻掺杂雪崩区上开设槽深大于槽宽的沟槽，所述N型电荷区与所述P型轻掺杂吸收区依次外延生长于所述沟槽的底部与侧壁并预留中心空间，所述P型重掺杂区生长于该预留中心空间。2.根据权利要求1所述的一种雪崩光电二极管，其特征在于，还包括：支撑硅衬底、N型金属电极区以及P型电极金属区；所述P型重掺杂区、所述P型轻掺杂吸收区、所述N型电荷区、所述N型轻掺杂雪崩区以及所述N型重掺杂区位于所述支撑硅衬底的正面；所述N型金属电极区与所述N型重掺杂区连通并由所述支撑硅衬底的背面引出，所述P型电极金属区与所述P型重掺杂区连通并由所述支撑硅衬底的背面引出。3.根据权利要求2所述的一种雪崩光电二极管，其特征在于，还包括：入射光抗反射层以及微透镜结构；所述入射光抗反射层位于所述N型轻掺杂雪崩区的正面，所述微透镜结构生长于所述入射光抗反射层的正面。4.根据权利要求3所述的一种雪崩光电二极管，其特征在于，还包括：二氧化硅层；所述N型金属电极区以及所述P型电极金属区通过所述二氧化硅层与所述支撑硅衬底绝缘隔离。5.根据权利要求4所述的一种雪崩光电二极管，其特征在于，使用硅作为所述N型轻掺杂雪崩区；使用锗作为所述P型轻掺杂吸收区。6.根据权利要求4所述的一种雪崩光电二极管，其特征在于，使用硅作为所述N型轻掺杂雪崩区；使用氮化镓作为...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡海帆，祁帆，蔡鹏飞，
申请(专利权)人：NANO科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：