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本发明公开一种雪崩光电二极管，包括：多颗二极管芯片；二极管芯片包括：自内至外依次呈水平排布的P型重掺杂区、P型轻掺杂吸收区、N型电荷区、N型轻掺杂雪崩区以及N型重掺杂区，且P型轻掺杂吸收区的深度大于宽度。本发明采用水平排布，使得电场实现横向...
该专利属于NANO科技（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过NANO科技（北京）有限公司授权不得商用。

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