一种垂直喷淋式ＭＯＣＶＤ反应器制造技术

本发明专利技术揭示了一种垂直喷淋式ＭＯＣＶＤ反应器，包括反应室、设于反应室顶部的喷淋头及其冷却水进、出口、设于反应室底部的衬底托、加热器及出气口，用于输入反应气体的进气口设于喷淋头之内，其特点是喷淋头腔体相隔形成三个以上独立区域，各独立区域分别设有各自独立的进气口；喷淋头的轴向中心贯穿设有一转轴，喷淋头与转轴联动；复数个衬底托相对孤立呈环状排布于反应室底部。本发明专利技术技术方案的应用，将反应气源分隔并依次喷淋，能有效消除气相寄生反应，同时反应后的尾气能迅速从各衬底托的空隙流走，被排出反应器，能有效消除积聚未散的尾气对反应气体扰流作用，提高了外延片的生长质量，并为实现无限增大装片容量提供了可能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体薄膜沉积设备，尤指一种新的垂直喷淋式MOCVD反应器及其喷淋头和衬底托结构。目的是通过控制气体在反应器内的流动路径，使基片上方的气体 流速、温度和反应物浓度都均勻分布，从而得到晶格结构完整、厚度和组分均勻的薄膜沉 积。
技术介绍
金属有机化学气相沉积(即MOCVD，Metalorganic Chemical VaporDeposition), 是制备化合物半导体薄膜的一项关键技术。它利用较易挥发的有机物如Ga (CH3)3等作为较 难挥发的金属原子的源反应物，通过载气携带到反应器内，与NH3、AsH3等氢化物发生反应， 在加热的基片上生成GaN、GaAs等薄膜，用于微电子或光电器件。MOCVD系统一般包括(1) 源供给系统；(2)气体输运系统；(3)反应室；(4)加热系统；(5)尾气处理系统；(6)控制系 统；(7)晶片取放系统。通常所说的MOCVD反应器一般包括反应室、加热系统以及进气口和 出气口。根据主气流与基片的相对方向，MOCVD反应器主要分为两大类(1)主气流沿水平 方向流动且平行于基片的称为水平式反应器；(2)主气流沿垂直方向流动且垂直冲击基片 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种垂直喷淋式ＭＯＣＶＤ反应器，包括反应室、设于反应室顶部的喷淋头及其冷却水进、出口、设于反应室底部的衬底托、加热器及出气口，用于输入反应气体的进气口设于喷淋头之内，其特征在于：所述喷淋头腔体相隔形成三个以上独立区域，各独立区域分别设有各自独立的进气口；喷淋头的轴向中心贯穿设有一转轴，喷淋头与转轴联动；复数个衬底托相对孤立呈环状排布于反应室底部。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王国斌，张永红，王怀兵，邱凯，朱建军，张宝顺，杨辉，
申请(专利权)人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]