用于制造半导体装置的方法制造方法及图纸

本公开提供了一种用于制造半导体装置的方法

【技术实现步骤摘要】
用于制造半导体装置的方法


[0001]本公开涉及半导体技术的领域，具体地，本公开涉及一种用于制造包括整体形成的非易失性存储器
(NVM)
晶体管和金属氧化物半导体
(MOS)
晶体管的半导体装置的方法
。

技术介绍

[0002]快闪存储器，简称闪存，是一种非易失性存储器
(NVM)
，即在电源断开的情况下仍然不会丢失所存储的数据，特别适用于移动通讯和计算机存储部件等领域
。
此外，有些闪存还具有高密度存储能力，适用于大容量移动存储介质等方面的应用
。
[0003]传统的闪存使用浮栅型单元结构或
SONOS
型
(Silicon
‑
Oxide
‑
Nitride
‑
Oxide
‑
Silicon
：硅
‑
氧化物
‑
氮化物
‑
氧化物
‑
硅
)
单元结构/>。
然而本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种用于制造半导体装置的方法，其中，所述半导体装置包括其中形成多个闪存单元的第一区域和其中形成金属氧化物半导体
MOS
晶体管的第二区域，以及其中，每个闪存单元包括两个存储晶体管和设置在所述两个存储晶体管之间的一个选通晶体管，所述方法包括：提供半导体衬底并且在其中形成隔离结构；形成所述存储晶体管的存储栅介质叠层和第一栅电极层；通过对所述存储栅介质叠层和所述第一栅电极层构图形成所述存储晶体管的栅结构；并发地形成所述选通晶体管和所述
MOS
晶体管的栅介质层和第二栅电极层；并发地形成所述
MOS
晶体管的栅结构和所述选通晶体管的栅结构；以及将所述
MOS
晶体管的栅结构替代为高
K
栅介质层和金属栅极
。2.
根据权利要求1所述的方法，其中，所述存储晶体管的栅结构沿竖直方向自下而上包括沟道区
、
所述存储栅介质叠层
、
所述第一栅电极层和硬掩模阻挡部，其中，所述选通晶体管的栅结构包括沿竖直方向依次设置的沟道区
、
所述栅介质层和所述第二栅电极层
。3.
根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二栅电极层的上表面高于所述第一栅电极层的上表面
。4.
根据权利要求1所述的方法，其中，设置在所述第二区域中的
MOS
晶体管包括低压
MOS
晶体管
、
接口
MOS
晶体管或高压
MOS
晶体管中的一种或更多种，以及其中，将所述
MOS
晶体管的栅结构替代为高
K
栅介质层和金属栅极包括至少将所述低压
MOS
晶体管的栅结构替代为高
K
栅介质层和金属栅极
。5.
根据权利要求1所述的方法，还包括：将所述选通晶体管的栅结构替代为高
K
栅介质层和金属栅极
。6.
根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一区域中的闪存单元通过第一隔离结构隔离，所述第二区域中的
MOS
晶体管通过第二隔离结构隔离，并且所述第一区域和所述第二区域通过所述第一隔离结构和

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋家勇，请求不公布姓名，石振东，
申请(专利权)人：北京磐芯微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：