非对称叉指结构的自驱动制造技术

本发明专利技术公开了一种非对称叉指结构的自驱动

【技术实现步骤摘要】
非对称叉指结构的自驱动GaN基紫外探测器及制备方法


[0001]本专利技术涉及一种非对称叉指结构的自驱动
GaN
基紫外探测器及制备方法，属于半导体器件制造

。

技术介绍

[0002]随着对紫外探测技术的不断研究，紫外光电探测器广泛应用于天文探测
、
空间通信
、
导弹跟踪
、
火灾报警等诸多领域
。III
‑
氮化物半导体材料的宽带隙使它成为制作紫外光电探测器的潜在材料
。
其中，
GaN
基材料具有可调的宽带隙，覆盖
3.4
～
6.2eV
的宽范围，可以通过调节
AlGaN
材料中
Al
组分的含量实现波长范围在
200
～
365nm
之间
。
此外还具有耐高温，高电子迁移率，优异的物理和化学稳定性等优点
。
[0003]目前为止，已经研究了各种类型的/>GaN
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种非对称叉指结构的自驱动
GaN
基紫外探测器，其特征在于，所述
GaN
基紫外探测器从下而上依次包括：衬底层
、AlN
缓冲层
、
非故意掺杂
GaN
层
、
低温掺碳
GaN
层
、GaN
吸收层以及非对称叉指结构的电极，且一侧电极为单层结构，另一侧电极为多层结构，两侧电极均为指状结构，形成非对称叉指电极
。2.
根据权利要求1所述的紫外探测器，其特征在于，多层结构的一侧电极从下而上依次包括
AlN
间隔层
、AlGaN
势垒层和金属电极层；且所述
AlGaN
势垒层和所述
GaN
吸收层形成
AlGaN/GaN
异质结，所述金属电极层与所述
AlGaN
势垒层形成肖特基接触；单层结构的一侧电极由金属电极层构成，且所述金属电极层与所述
GaN
吸收层形成肖特基接触
。3.
根据权利要求2所述的紫外探测器，其特征在于，多层结构的一侧电极的
AlGaN
势垒层和金属电极层之间还包括
GaN
盖帽层，所述金属电极层与所述
GaN
盖帽层形成肖特基接触
。4.
根据权利要求2或3所述的紫外探测器，其特征在于，所述
AlGaN
势垒层的
Al
组分为
0.25。5.
根据权利要求1所述的紫外探测器，其特征在于，所述金属电极层的材料为：
Ni/Au
复合金属
。6.
根据权利要求1所述的紫外探测器，其特征在于，所述非对称叉指结构的金属电极的尺寸为宽
15
μ
m
，长
500
μ
m
，间距为
10
μ
...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨国锋，巩标，谢峰，谷燕，钱维莹，刘玉申，陆乃彦，张秀梅，张向阳，
申请(专利权)人：江南大学，
类型：发明
国别省市：