一种集成限光微结构的高速光电探测器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种集成限光微结构的高速光电探测器及其制备方法，属于光电探测器技术领域

【技术实现步骤摘要】
一种集成限光微结构的高速光电探测器及其制备方法


[0001]本专利技术涉及可见光及红外探测及成像
，具体涉及一种集成限光微结构的高速光电探测器的制备方法
。

技术介绍

[0002]吴奉炳等人采用矩形光栅陷光结构和三角形光栅陷光结构，集成在太阳能电池表面，其研究结果表明这两种陷光结构都有效地提高了太阳能电池表面对可见光和近红外波段的吸收率，从而提高太阳能电池的整体转换效率；
(
吴奉炳等
.
太阳能电池中微纳陷光光栅结构
.
激光杂志
.2010,(005):15
‑
17)
；
Liu Zhen
等人研究硅薄膜上下表面周期半圆凹槽结构对于太阳光吸收的增强效应
,
研究发现这种结构可以实现太阳光宽波段的光吸收增强
,
通过调节
SiO2
表面减反层厚度和凹槽半径长度来实现薄膜太阳能电池最大的光吸收
,
并实现了波长在
300
‑
1000nm
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种集成限光微结构的高速光电探测器，该探测器包括：衬底基片
、
底部单侧叉指电极
、
半导体薄膜
、
顶部单侧叉指电极，所述底部单侧叉指电极或顶部单侧叉指电极都包括：电极和连接电极的连接部；所述衬底基片上依次堆叠底部单侧叉指电极
、
半导体薄膜
、
顶部单侧叉指电极，底部单侧叉指电极与顶部单侧叉指电极形成叉指电极结构；所述顶部单侧叉指电极的电极之间均匀设置周期孔，周期孔位于底部单侧叉指电极的电极上方
。2.
如权利要求1所述的一种集成限光微结构的高速光电探测器，其特征在于，所述周期孔为方形孔
、
圆柱形孔
、
锥形孔
、
倒金字塔形孔中的任意一种，周期孔的周期为
200
～
3000nm
，周期孔的边长或直径与电极方向相邻周期孔的中心距离的比为
0.2
～
0.9
，周期孔的深度为
10
～
400nm。3.
如权利要求1所述的一种集成限光微结构的高速光电探测器，其特征在于，每一条电极的厚度为
10
～
100nm
，电极的宽度
50
～
500nm
，电极间距为
200
～
3000nm
，顶部的底部为一组完整的叉指电极，每组电极间距为
100
～
1500nm
；电极厚度小于半导体薄膜厚度
。4.
如权利要求1所述的一种集成限光微结构的高速光电探测器，其特征在于，所述半导体薄膜的厚度为
20
～
500nm。5.

【专利技术属性】
技术研发人员：苟君，罗鑫，刘立新，张高云，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：