太阳能电池和该太阳能电池的制造方法技术

本公开提供了一种太阳能电池和该太阳能电池的制造方法，所述太阳能电池包括：半导体基板；设置在半导体基板的一个表面上的第一透明电极层；和设置在第一透明电极层的一个表面上的第一电极，其中，第一电极包括通过使用荫罩的沉积工艺图案化形成的第一图案层

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】太阳能电池和该太阳能电池的制造方法


[0001]本公开涉及一种太阳能电池，特别地涉及一种太阳能电池的电极
。

技术介绍

[0002]太阳能电池包括设置在基板上的半导体层和电极
。
[0003]例如，相关技术的太阳能电池包括形成在半导体基板的一个表面上的
n
型半导体层
、
形成在半导体基板的另一个表面上的
p
型半导体层以及形成在
n
型半导体层和
p
型半导体层中的每一者上的电极
。
[0004]在这种情况下，在相关技术中，电极通过光刻工艺形成，因此存在制造过程复杂并且生产率降低的问题
。

技术实现思路

[0005]技术问题
[0006]本公开旨在解决上述问题并且提供一种可以通过荫罩
(shadow mask)
工艺形成电极而不是通过光刻工艺形成电极的太阳能电池和该太阳能电池的制造方法
。
[0007]技术方案
[0008]为了实现上述目的，本公开提供了本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种太阳能电池，包括：半导体基板；第一透明电极层，所述第一透明电极层设置在所述半导体基板的一个表面上；以及第一电极，所述第一电极设置在所述第一透明电极层的一个表面上，其中，所述第一电极包括通过使用荫罩的沉积工艺图案化的第一图案层
。2.
根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一透明电极层和所述第一图案层中的每一者包括：包含铟
(In)
和锡
(Sn)
中的至少一种的透明氧化物
。3.
根据权利要求2所述的太阳能电池，其中，所述第一图案层接触所述第一透明电极层，并且所述第一图案层的铟的含量比所述第一透明电极层的铟的含量高
。4.
根据权利要求2所述的太阳能电池，其中，所述第一图案层接触所述第一透明电极层，并且所述第一图案层的氧的含量比所述第一透明电极层的氧的含量低
。5.
根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一电极还包括设置在所述第一图案层上的第一种子层和设置在所述第一种子层上的第一金属层，并且所述第一种子层通过使用荫罩的沉积工艺图案化，并且所述第一金属层通过选择性沉积工艺图案化
。6.
根据权利要求5所述的太阳能电池，其中，所述第一图案层
、
所述第一种子层和所述第一金属层具有相同的图案
。7.
根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，在所述半导体基板与所述第一透明电极层之间还设置有第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层由本征非晶硅层形成，并且所述第二半导体层由
n
型非晶硅层形成
。8.
根据权利要求1所述的太阳能电池，还包括设置在所述第一透明电极层与所述第一图案层之间的钙钛矿太阳能电池，其中，所述钙钛矿太阳能电池包括第一导电电荷传输层
、
设置在所述第一导电电荷传输层上的光吸收层和设置在所述光吸收层上的第二导电电荷传输层
。9.
根据权利要求8所述的太阳能电池，还包括设置在所述第二导电电荷传输层与所述第一图案层之间的第三透明电极层，其中，所述第三透明电极层包括：包含铟
(In)
和锡
(Sn)
中的至少一种的透明氧化物，并且所述第一图案层接触所述第三透明电极层，所述第一图案层的铟的含量比所述第三透明电极层的铟的含量高，并且所述第一图案层的氧的含量比所述第三透明电极层的氧的含量低
。10.
一种太阳能电池，包括：钙钛矿太阳能电池，所述钙钛矿太阳能电池包括第一导电电荷传输层
、
设置在所述第一导电电荷传输层上的光吸收层和设置在所述光吸收层上的第二导电电荷传输层；以及设置在所述第二导电电荷传输层的一个表面上的第一电极，其中，所述第一电极包括通过使用荫罩的沉积工艺图案化的第一图案层
。11.
根据权利要求
10
所述的太阳能电池，还包括：设置在所述第二导电电荷传输层与所述第一图案层之间的第三透明电极层，
其中，所述第三透明电极层和所述第一图案层中的每一者包括：包含铟
(In)
和锡
(Sn)
中的至少一种的透明氧化物
。12.
根据权利要求
11
所述的太阳能电池，其中，所述第一图案层接触所述第三透明电极层，所述第一图案层的铟的含量比所述第三透明电极层的铟的含量高，并且所述第一图案层的氧的...

【专利技术属性】
技术研发人员：金宰湖，
申请(专利权)人：周星工程股份有限公司，
类型：发明
国别省市：